【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池,具体涉及基本由II1-V族半导体合金形成的多结太阳能电池。
技术介绍
最高的已知太阳能电池效 率由基本由II1-V族半导体合金构成的多结太阳能电池制备。这样的合金是来自标准周期表的IIIA和VA族的元素的组合,下文用它们的标准化学符号、名称和缩写标识,其中,来自IIIA族的元素总数等于来自VA族的元素的总数。这些太阳能电池的高效率使得它们对于地球上的聚光光伏系统和设计用于空间的系统是引人瞩目的。历史上,最高效率的太阳能电池由在锗(Ge)或砷化镓(GaAs)衬底上生长的三个亚电池的整体叠层组成,所述亚电池又称为结。所述亚电池含有一定范围波长的光能被吸收并转换成可以从外部收集的电能的太阳能电池区域。所述亚电池通过隧道结彼此相互连接。其它层,例如缓冲层,也可能存在于亚电池之间。在到目前为止的最高效率的太阳能电池中,上层亚电池具有用(Al)GaInP制成的一个或更多个吸收层,中间的亚电池具有用(In)GaAs制成的一个或更多个吸收层,底层亚电池包括Ge衬底或具有用II1-V族材料制成的吸收层。II1-V族合金的上述命名,其中组成元素在括号中表示 ...
【技术保护点】
一种光伏电池,其中包含:至少四个亚电池,所述亚电池的至少一个具有由选自周期表中的第III族的一种或更多种元素、氮、砷和选自锑和铋的至少一种元素的合金形成的基极层;以及所述至少四个亚电池中的每一个与其它亚电池的每一个基本晶格匹配。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:丽贝卡·琼斯阿尔伯特,伯拉诺布·米斯拉,迈克尔·J·谢尔登,霍曼·B·袁,刘婷,丹尼尔·德卡克斯,薇吉特·萨伯尼斯,迈克尔·W·威梅尔,费兰·苏亚雷斯,
申请(专利权)人:太阳光电公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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