一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成多结太阳能电池外延结构；形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；对旁路二极管制作区域的外延层进行特定能量的离子注入，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，属半导体器件与工艺

技术介绍
近些年来，作为第三代光伏发电技术的多结化合物太阳电池开始倍受关注，通过优化子电池的数量和能带结构的不断优化，其光电转化效率无论理论还是实际都是太阳能电池中最高的，被广泛的应用于注重效率的空间电源领域。另外由于三五族材料良好的耐热能力，使得多结化合物太阳电池十分适合于高倍聚光条件，在民用聚光光伏领域也有广阔的应用前景。多个太阳能电池芯片通过串并联形成电池模组时，为了避免由于某一片电池芯片因被遮光而损坏，通常需要在电池芯片上并联一个旁路二极管。单独制备的旁路二极管封装工艺较为复杂，因此在多结太阳能电池芯片上集成旁路二极管成为发展趋势。在多结太阳能芯片上集成旁路二极管通常有两种方案，一种是在多结太阳能电池外延结构之上再外延生长二极管结构，但这种方案增加了外延成本，且由于正面半导体极性不同而使得电极制备较为复杂。另一种方案是利用原有的多结太阳能电池外延结构隔离出一个区域制备旁路二极管，这种方案的缺点是由于外延结构不是针对旁路二极管设计，制备出的旁路二极管通常正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，其步骤包括：1）在衬底上形成多结太阳能电池外延层结构；2）形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；3）对旁路二极管制作区域的外延层进行离子注入，控制离子注入的深度，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；4）对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；5）制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；6）按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。

【技术特征摘要】
1.一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，其步骤包括：
1）在衬底上形成多结太阳能电池外延层结构；
2）形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；
3）对旁路二极管制作区域的外延层进行离子注入，控制离子注入的深度，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；
4）对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；
5）制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；
6）按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。
2.如权利要求1所述的一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，其特征在于：所述多结太阳能电池外延结构包含多个子电池结构，从上到下各个子电池的基区材料带隙逐步减小，实现对不同波段的太阳光的吸收。
3.如权利要求1所述的一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，其特征在于：所述离子注入过程只在旁路二极管制作区域进行，太阳能电池制作区域采用光刻胶、介质层材料保护的方式来避免...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冠洲，毕京锋，熊伟平，李明阳，杨美佳，宋明辉，李森林，陈文浚，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12