【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子空穴对。电子空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与该电池耦接的外部电路。附图说明图1示出根据一些实施例的用于太阳能电池的旁路二极管的俯视平面图。图2示出根据一些实施例的旁路二极管的俯视平面图，该旁路二极管包括P型区域和N型区域。图3示出根据一些实施例的旁路二极管的剖视图。图4为根据一些实施例的流程图，该流程图示出形成旁路二极管的示例性方法。图5-图14示出根据一些实施例的形成旁路二极管的示例性序列的剖视图。具体实施方式以下具体实施方式在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施例或此...
【技术保护点】
一种制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法，所述方法包括：在所述太阳能电池的基板上的第一介电层上形成第一导电类型的第一导电区域；在所述第一导电区域上形成第二介电层；移除所述第二介电层的一部分；在所述第一导电区域的由所述第二介电层的所述移除部分暴露的部分上方形成第二导电类型的第二导电区域；移除所述第二导电区域的一部分以将所述第二导电区域分离成所述第二导电区域的第一部分和第二部分；以及将所述第二导电类型的金属耦接至所述第一导电区域并且将所述第一导电类型的金属耦接至所述第二导电区域的所述第一部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.20 US 14/136,7191.一种制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法，所述方法包括：
在所述太阳能电池的基板上的第一介电层上形成第一导电类型
的第一导电区域；
在所述第一导电区域上形成第二介电层；
移除所述第二介电层的一部分；
在所述第一导电区域的由所述第二介电层的所述移除部分暴露
的部分上方形成第二导电类型的第二导电区域；
移除所述第二导电区域的一部分以将所述第二导电区域分离成
所述第二导电区域的第一部分和第二部分；以及
将所述第二导电类型的金属耦接至所述第一导电区域并且将所
述第一导电类型的金属耦接至所述第二导电区域的所述第
一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一导电区域包括形成p
型导电区域，并且其中形成所述第二导电区域包括形成n型导电区
域，其中所述耦接包括将n型金属耦接至所述p型导电区域以及将p
型金属耦接至所述n型导电区域的所述第一部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第二导电区域的一部分
包括激光烧蚀所述第二导电区域的所述部分。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第二导电区域之
前，形成第三介电层，其中所述第三介电层提供所述第一导电区域
和所述第二导电区域之间的分隔。
5.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第二介电层的所述部分
包括激光烧蚀所述第二介电层的所述部分，而不移除所述烧蚀部分
下方的所述第一导电区域的部分。
6.一种制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法，所述方法包括：
在第一导电区域上的介电层中形成开口；
通过所述介电层中的所述开口在所述第一导电区域上方形成第
二导电区域；
将所述第二导电区域的第一部分与所述第二导电区域的第二部
分隔离；以及
在所述第一导电区域与其对应相对金属类型之间并且在所述第
二导电区域的所述第二部分与其对应相对金属类型之间形
成导电连接。
7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述介电层中形成所述开口通
过激光烧蚀执行。
8.根据权利要求6所述的方法，其中分离所述第二导电区域的所述第
一部分与所述第二部分包括激光烧蚀所述第二导...
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·D·史密斯，林承笵，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。