一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池制造技术

技术编号:8490920 阅读:178 留言:0更新日期:2013-03-28 18:05
本发明专利技术公开了一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池,包括:顶部可吸收偏向短波高能太阳光的碲化镉太阳能电池和底部可吸收偏向长波低能太阳光的多晶硅太阳能电池。顶部碲化镉太阳能电池的透明导电层由p型碳纳米管涂层和p型透明导电膜组成,有效改善了透明导电层在碲化镉吸收层上的附着性。叠合时采用顶部碲化镉太阳能电池的背电极和底部多晶硅太阳能电池的表面电极完全重合,可使多晶硅太阳能电池的受光面可充分吸收从顶部电池透过的光子。这种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池结构不仅扩展了对太阳光谱的吸收范围,而且简化了制备工艺,降低了电池成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,具体是指一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池结构。
技术介绍
CdTe是能隙为1. 45eV的直接禁带半导体材料,很接近太阳电池需要的最优化能隙,吸收系数约为IO5CnT1,就太阳辐射光谱中能量高于CdTe能隙的范围而言,I微米厚的CdTe可以有效吸收其99%。目前国际上CdTe太阳电池的光电转换效率已达17. 3%。多晶硅太阳能电池以其转换效率较高(19. 8% )、性能稳定和成本适中而得到越来越广泛的应用。多晶硅太阳能电池对原料的纯度要求低,原料的来源渠道也较为广阔,可由铸锭而成,适合大规模商业化生产,多线切割工艺可为电池生产提供不同规格的硅片,以适应不同用途,并使生产成本大大降低。 多晶硅太阳能电池多半是含有大量单晶颗粒的集合体,或用废次单晶硅料和冶金级硅材料融化浇铸而成。其过程是选择电阻率为100 300 Ω ·αιι的多晶块料或单晶硅头尾料,经破碎,用V(氢氟酸)V(硝酸)=1 5混合液进行适当的腐蚀,然后用去离子水冲洗呈中性,烘干。用石英坩埚装好多晶硅料,加入适量硼硅,放入浇铸炉,在真空状态中加热熔化。熔化后保温20min,然后注入石墨铸模中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池,其特征在于,包括:一位于顶部的吸收偏向短波高能太阳光的碲化镉太阳能电池,以及一位于底部的吸收偏向长波低能太阳光的多晶硅太阳能电池;所述的碲化镉太阳能电池,包括:玻璃衬底(1),在玻璃衬底上依次沉积有透明导电氧化物前电极层(2)、n型CdS窗口层(3)、p型碲化镉吸收层(4)、透明导电层(5)、背电极(6);所述的多晶硅太阳能电池由在多晶硅薄片上通过扩散形成的n型层(8)和p型层(9),该n型层(8)和p型层(9)构成pn结,在pn结的表面和背面通过印刷形成的表面电极(7)和背面电极(10)组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曹鸿王善力邬云骅潘建亮张传军褚君浩
申请(专利权)人:上海太阳能电池研究与发展中心
类型:发明
国别省市:

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