一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法技术

一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法。本发明专利技术公开了一种环形正面电极，包括：主栅和细栅；所述细栅为一组以硅片中心为圆心的同心圆环；主栅为中间宽两头尖的针叶形；主栅将细栅等分。本发明专利技术根据扩散后硅片薄层电阻值的分布特点设计太阳能电池的正面电极，电性能、加宽了烧结窗口，降低了烧结不良的风险，使电池片功率的整体分布更高更集中，同时也进一步减少了银浆的使用量，降低了成本。?

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏领域，具体是一种太阳能电池结构及其制造方法。
技术介绍
目前，与国外先进电池制备技术相比，我国晶硅太阳电池制备技术还是相对落后，基本流程由在P型硅片上以制绒、扩散、刻蚀、沉积减反膜、丝网印刷方法制造太阳电池。2010年以来，太阳电池片的销售从卖方市场到买方市场，政务补贴大幅削减，使得电池片得制造商努力降低自己的生产成本，而提高电池片的效率就是有效的途径，不仅降低了每瓦的生产成本，并且销售得市场更大；目前高效电池的研发集中在背面钝化，细栅印刷，双面电池等，这些电池的制备和传统电池的制备工艺兼容和接近，都是单节电池，不能充分的利用太阳电池的光谱，效率的提高受到了限制。
技术实现思路
专利技术目的是针对现有技术存在的不足，提供一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法。技术方案为实现上述目的，本专利技术提供了一种晶体硅\非晶硅双节电池，包括N型硅衬底、非晶硅I层、微晶硅P层、非晶硅N层、微晶硅N层、非晶硅本征层、非晶硅P层、透明导电电极、电池的正极和电池的负极；所述电池从上而下依次为电池的正极、透明导电电极、非晶娃P层、非晶娃本征层、微晶娃N层、微晶娃P层、非晶娃I层、N型娃衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅\非晶硅双节双面电池，其特征在于：包括：？N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、微晶硅P层（c）、非晶硅N层（d）、微晶硅N层（e）、非晶硅本征层（f）、非晶硅P层（g）、透明导电电极（h）、电池的正极（j）和电池的负极（k）；所述电池从上而下依次为：电池的正极（j）、透明导电电极（h）、非晶硅P层（g）、非晶硅本征层（f）、微晶硅N层（e）、微晶硅P层（c）、非晶硅I层（b）、N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、非晶硅N层（d）、透明导电电极（h）、电池的负极（k）。

【技术特征摘要】
1.一种晶体娃\非晶娃双节双面电池，其特征在于包括N型娃衬底(a)、非晶娃I层(b)、微晶娃P层(C)、非晶娃N层(d)、微晶娃N层(e)、非晶娃本征层(f)、非晶娃P层(g)、透明导电电极(h)、电池的正极(j )和电池的负极(k)； 所述电池从上而下依次为电池的正极(j)、透明导电电极(h)、非晶硅P层(g)、非晶娃本征层(f)、微晶娃N层(e)、微晶娃P层(C)、非晶娃I层(b)、N型娃衬底(a)、非晶娃I层(b)、非晶硅N层(d)、透明导电电极(h)、电池的负极(k)。2.根据权利要求I所述的一种晶体硅\非晶硅双节双面电池的制造方法，其特征在于具体步骤如下 (1)对N型单晶硅半导体衬底表面绒面化并进行化学清洗； (2)在N型硅衬底两面沉积非晶硅I层； (3)沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：高艳涛，姜庆堂，邢国强，陶龙忠，张斌，何恬，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：