GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层，所述势垒层为p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构。本发明专利技术还公开了一种双结太阳能电池的制作方法以及多结级联太阳能电池。本发明专利技术基于p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构对p型掺杂源Be的扩散的抑制，利用分子束外延生长方法，将常用的AlGaInP做势垒和背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构优化为p+-AlInP/p+-GaInP做势垒同时AlInP作为顶层电池的背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构。从而将抑制p型掺杂源的扩散，实现隧道结光电流密度的提高，有效提高双结太阳电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于太阳能电池领域,特别是涉及一种GaAs/GalnP双结太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
太阳能高效发电技术作为一种支撑我国国民经济可持续发展的新能源技术在最近颁布的国家中长期科学和技术发展规划中已被列为重点支持和优先发展的方向。相比于硅太阳电池，多结II1-V化合物半导体太阳电池以多种带隙宽度不同的半导体材料吸收与其带隙宽度相匹配的那部分太阳光，从而实现对太阳光的宽光谱吸收，目前双结电池的效率以极高超过了 30%，三结太阳电池效率已经超过了 40%。由于其体积小重量轻，在空间技术和军用充电设施中具有广泛应用。同时，高倍聚光型太阳电池系统在大规模的产业化应用也引起了广泛的重视。随着器件设计的优化和材料质量的提高，II1-V族化合物太阳电池的效率在不断提高。尤其是失配材料的生长和高倍聚光条件下的太阳电池效率不断提升。GaAs/GalnP双结电池由于其较高的转换效率和抗辐射性能，一直是空间太阳电池研究的热点。但是，GaAs/GalnP双结电池虽然用了很多新想法来提高效率，自1997年的15年间却一直保持30. 2%的最高效率。而从1. 42ev带隙的GaAs模型结果来看，I个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，其特征在于：所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层，所述势垒层为p+?AlInP/p+?GaInP双异质结结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：代盼，陆书龙，何巍，季莲，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：