一种黑色异质结晶硅电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种黑色异质结晶硅电池，依次包括第一金属电极、第一导电薄膜、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、第二导电薄膜、第二金属电极；所述第一导电薄膜和第二导电薄膜为多晶掺硼ZnO薄膜。制造方法包括步骤：硅片表面预处理；双面沉积的本征非晶硅层镀膜；正面沉积P型非晶硅层，反面沉积N型非晶硅层；电池片正、反两面生长ZnO薄膜，正、反两面导电薄膜上丝网印刷金属栅线。本发明专利技术采用抛光的表面平整的硅片，以ZnO薄膜的金字塔结构实现陷光，使电池的陷光结构和电池表面钝化可以分别实现最大化，从而提高电池的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池及其制造方法，特别是涉及。
技术介绍
自从Sanyo开始非晶硅-晶硅异质结(HIT)电池的研究以来，HIT技术已经取得很大的发展，Sanyo已将HIT电池转化率提高到23. 7 %，成为目前为止实现量产的转化效率最高的晶硅电池结构之一。HIT电池与其他晶硅电池相比，最大的特点是开路电压(Voc)大，这得益于非晶硅对晶体硅表面很好的钝化效果。上述特点导致了 HIT电池一个最大的优点，即温度系数小，可以保证HIT电池在正午的高温下，比常规的晶硅 组件获得更多的发电量。Sanyo的HIT电池另一个方面的优点是制备过程全部为低温过程，热预算小，且电池结构为正反面对称结构，热应力小，制备过程形变小，因此可以使用更薄的硅片且保证较低的碎片率，有利于降低电池每瓦的发电成本。HIT电池结构如图1所示，包括第一金属电极107、第一 ITO导电薄膜105、P型非晶硅层103、第一本征非晶硅层101、硅片100、第二本征非晶硅层102、N型非晶硅层104、第二 ITO导电薄膜106、第二金属电极108。HIT电池工艺上的难点之一是制绒硅片表面的非晶硅钝化，这是保证HIT电池获本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黑色异质结晶硅电池，其特征在于：依次包括第一金属电极、第一导电薄膜、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、第二导电薄膜、第二金属电极；所述第一导电薄膜和第二导电薄膜为多晶掺硼ZnO薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王明华，常辉，杨文魁，杨帆，张杰，杨欣，陈锐，
申请(专利权)人：国电光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：