半导体器件拾取装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体器件的拾取装置，它包含：吸气管以及与吸气管相连的吸嘴。其中，吸嘴呈中空结构，并且吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过吸气孔，吸气管和吸嘴相通，从而在抽气装置抽气时，吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取半导体器件。采用本发明专利技术的半导体器件拾取装置，可以大大减小污染、降低半导体器件制造过程中由于拾取而造成的损伤，从而大大提高半导体器件的完好率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及拾取装置，本专利技术尤其涉及一种半导体器件的拾取装置。
技术介绍
众所周知，在半导体器件制造过程中，经常需要在一道工序完成以后，将所涉及的半导体器件从一个制造平台拾取到下一个制造平台，以便进行下一道加工工序。由于半导体器件是精细元器件，对半导体器件的拾取通常要求污染小、损伤小以及完好率高。但是，现有技术的半导体拾取装置无法满足这一要求。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体器件的拾取装置，它包含:吸气管，与一抽气装置相连；以及吸嘴，与吸气管相连。其中，吸嘴呈中空结构，并且吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过吸气孔，吸气管和吸嘴相通，从而在抽气装置抽气时，吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取半导体器件。采用本专利技术的半导体器件拾取装置，可以大大减小污染、降低半导体器件制造过程中由于拾取而造成的损伤，从而大大提高半导体器件的完好率。附图说明图1是本专利技术的半导体器件拾取装置的侧视图；图2是本专利技术的半导体器件拾取装置的俯视图。其中，标号I为吸气管；标号2为吸嘴；而标号3为吸气孔。具体实施例方式下面参照附图，说明本专利技术半导体器件拾取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件拾取装置，包含：吸气管，与一抽气装置相连；以及吸嘴，与所述吸气管相连，其中，所述吸嘴呈中空结构，并且所述吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过所述吸气孔，所述吸气管和吸嘴相通，从而在所述抽气装置抽气时，所述吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取所述半导体器件。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件拾取装置，包含: 吸气管，与一抽气装置相连；以及 吸嘴，与所述吸气管相连， 其中，所述吸嘴呈中空结构，并且所述吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过所述吸气孔，所述吸气管和吸嘴相通，从而在所述抽气装置抽气时，所述吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取所述半导体器件。2.按权利要求1所述的半导体器件拾取装置，其中，所述吸嘴是用聚醚醚酮即PEEK材料制成的。3.按权利要求1所述的半导体器件拾取装置，其中，所述吸嘴呈环形或椭圆或圆形几何形状。4.根据前述任一权利要求所述的半导体器件拾取装置，其中，所述吸气孔在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚平，孙宏伟，王建新，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：