一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。根据本发明专利技术，可以改善在对晶圆中的晶粒实施退火处理时出现的退火不均一的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种局部热处理方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的特征尺寸的不断减小，由此导致的金属氧化物场效应晶体管(M0S晶体管)的特性偏差所带来的影响日益显著。为了保证MOS晶体管的电学特性，除了通过制造工艺本身直接减少所述特性偏差的产生，利用偏差适时补偿工具来减少所述特性偏差的产生也是必要的。在半导体制造工艺中，退火步骤是经常出现的，例如，在离子注入之后，加速所注入的元素在被注入的材料中的扩散以形成所需的新材料；在沉积应力材料层之后，使所述应力被记忆在所需要的地方；形成自对准硅化物；修复受损的材料等。随着制造工艺节点的不断减小以及晶圆尺寸的不断增加，采用传统的退火工艺对整个晶圆进行退火处理时，在所述晶圆上的晶粒(即重复单元)中出现退火不均一的现象，如图1所示，其将提高成品的不良率。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供，包括:提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。进一步，所述退本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理； 利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图； 基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为半导体制造过程中出现的退火处理步骤。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹国宾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：