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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供晶圆，并对所述晶圆实施一退火处理；利用偏差适时补偿工具对所述晶圆进行时序验证，得到所述晶圆中的晶粒的电学特性分布图；基于所述晶粒电学特性分布图进行局部热处理。根据本发明，可以改善在对晶圆中的晶粒...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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