一种阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以改善显示装置的视角，提高显示装置的质量。阵列基板包括至少一个阵列结构，所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元；所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向，所述第二像素单元具有多畴倾斜方向；所述第一像素单元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同；所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同，其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术的不断发展，具有更高开口率与更宽视角的FFS(Fringe FieldSwitching,边缘场开关)液晶显示器已得到越来越多人们的青睐。为了进一步提高显示性能，目前的FFS液晶显示器大多采用单畴或者双畴的像素阵列结构。具体的，如图1a所示，在采用单畴像素的液晶显示器中像素电极11的倾斜方向相同，通电状态下液晶分子12将按照同一个方向进行排列，这样一种像素结构的液晶显示器具有较高的光透过率，但其不足之处在于液晶显示器的对比度较低且存在色偏，尤其是在倾斜视角的情况下，用户所观察到的显示器对比度效果如图1b所示，可以看到，尤其是当用户在225°或315°角观察时，对比度相对较差，视角很不理想。对于图2所示的采用双畴像素的液晶显示器而言，每个像素单元内的像素电极21的上半部211和下半部212为对称的倾斜结构，在通电状态下，位于上下半部区域的液晶分子22具有相反方向的倾角，即在单个像素区域内存在着两个不同的液晶畴。与单畴像素相比，双畴像素对比度虽然有所提高，同样存在着在倾斜 视角的的情况下视角不理想的问题。现有技术尚难以解决这一问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以改善显示装置的视角，提高显示装置的质量。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括至少一个阵列结构。所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元；所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向，所述第二像素单元具有多畴倾斜方向；所述第一像素单元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同；所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同，其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。本专利技术实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例的又一方面，提供一种阵列基板制造方法，包括:在透明基板上形成至少一个阵列结构；其中，所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元；所述像素单元由横纵交叉的栅线和数据线划分而成；在所述像素单元中形成梳状的第一电极和面状的第二电极；所述第一电极倾斜排列，用于驱动液晶分子产生畴倾斜方向；其中，所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向，所述第二像素单元具有多畴倾斜方向；所述第一像素单元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同；所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同，其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。本专利技术实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，阵列基板包括至少一个阵列结构，该阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，其中，第一像素单元和第三像素单元具有相互对称的单畴倾斜方向，第二像素单元具有多畴倾斜方向。这样一种结构的阵列基板在加电压时，液晶分子会在电场的作用下倾斜排列，其排列方向使得从各个方向观看均无位相差，从而改善了显示装置的视角，提高了显示装置的质量。附图说明图1a为现有技术中一种单畴结构液晶显示器的阵列基板的结构示意图；图1b为图1a所示的单畴结构液晶显示器从不同角度观察的对比度的模拟示意图；图2为现有技术中一种双畴结构液晶显示器的阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图4为单畴结构和双畴结构显示装置的V-T曲线比较示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板在不同角度下的色偏情况模拟示意图；图7为本专利技术实施例提供的又一阵列基板的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供的阵列基板30，如图3所示，包括至少一个阵列结构31。该阵列结构31包括逐行排列的第一像素单元321、第二像素单元322和第三像素单元323。其中，第一像素单元321和第三像素单元323具有单畴倾斜方向，第二像素单元322具有多畴倾斜方向。第一像素单元321的畴倾斜方向与第三像素单元323的畴倾斜方向不同。第二像素单元322靠近第一像素单元321 —侧的畴倾斜方向与第三像素单元323的畴倾斜方向相同，其靠近第三像素单元323 —侧的畴倾斜方向与第一像素单元321的畴倾斜方向相同。在本专利技术实施例中，阵列结构31内部的畴倾斜方向可以对称。如图3所示，第一像素单元与第三像素单元所具有的畴倾斜方向可以为对称的，第二像素单元的多畴倾斜方向沿水平中线a轴对称，这样一来，阵列结构31内部的畴倾斜方向整体沿水平中线a轴对称。本专利技术实施例提供的阵列基板，包括至少一个阵列结构，该阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，其中，第一像素单元和第三像素单元具有相互对称的单畴倾斜方向，第二像素单元具有多畴倾斜方向。这样一种结构的阵列基板在加电压时，液晶分子会在电场的作用下倾斜排列，其排列方向使得从各个方向观看均无位相差，从而改善了显示装置的视角，提高了显示装置的质量。需要说明的是，本专利技术实施例中所述的视角具体是指对比度大于10时的观察角度。单畴或多畴结构均是指像素阵列结构。具体的，单畴倾斜方向是指在通电状态下液晶分子按照单一方向倾斜排列，多畴倾斜方向则是指在通电状态下液晶分子按照多个不同的方向倾斜排列。如图3所示，在本专利技术实施例所提供的阵列基板中，是以斜线的倾斜方向表示不同的畴倾斜方向。在本专利技术实施例中，是以第二像素单元采用双畴结构为例进行的说明，如图3所示，第二像素单元中的液晶分子在通电状态下将按照两个不同的方向倾斜排列。可以理解，第二像素单元采用双畴结构只是举例说明，并非对本专利技术所做的限制，第二像素单元同样可以采用三畴或更多的畴结构以改善显示装置的视角。例如，第二像素单元可以包括三部分，上、下两部分可以为单畴结构，其靠近第一像素单元一侧的畴倾斜方向与第三像素单元的畴倾斜方向相同，其靠近第三像素单元一侧的畴倾斜方向与第一像素单元的畴倾斜方向相同，中间部分可以为一个完整的双畴结构，该双畴结构中的畴倾斜方向与两个单畴结构的畴倾斜方向不同，采用这样一种四畴结构同样可以改善显示装置的视角。以双畴结构为例，在通电状态下，单畴结构和双畴结构的V-T (电压-透过率)曲线可以如图4所示，可以清楚地看到，随着电压的变化,单畴结构和双畴结构的透过率变化曲线基本一致，因此这样一种结构的阵列基板不会产生透过率不同所造成的视觉不一致的不良现象。另一方面，单畴结构和双畴结构的开口率应当相同，从而避免了由于相邻像素单元结构不同所造成的视觉差异和水波纹不良等现象的发生，进一步提高了产品的质量。本专利技术实施例提供的阵列基板可以广本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括至少一个阵列结构，其特征在于，所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元；所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向，所述第二像素单元具有多畴倾斜方向；所述第一像素单元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同；所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同，其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。

【技术特征摘要】
1.种阵列基板，包括至少一个阵列结构，其特征在于， 所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元； 所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向，所述第二像素单元具有多畴倾斜方向； 所述第一像素单 元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同； 所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同，其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。2.据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元由横纵交叉的栅线和数据线划分而成； 每个所述像素单元包括梳状的第一电极和面状的第二电极；所述第一电极倾斜排列，用于驱动液晶分子产生畴倾斜方向。3.据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元为双畴结构。4.据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一像素单元区域内的所述第一电极向右倾斜预设角度，所述第三像素单元区域内的所述第一电极向左倾斜所述预设角度，所述第二像素单元区域内的靠近所述第一像素单元一侧的所述第一电极向左倾斜所述预设角度，所述第二像素单元区域内的靠近所述第三像素单元一侧的所述第一电极向右倾斜所述预设角度；或， 所述第一像素单元区域内的所述第一电极向左倾斜预设角度，所述第三像素单元区域内的所述第一电极向右倾斜所述预设角度，所述第二像素单元区域内的靠近所述第一像素单元一侧的所述第一电极向右倾斜所述预设角度，所述第二像素单元区域内的靠近所述第三像素单元一侧的所述第一电极向左倾斜所述预设角度。5.据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述预设角度在5°至7。范围内。6.据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，位于每个所述像素单元两侧的所述数据线与所述像素单元内的所述第一电极倾斜角度相同。7.据权利要求1-4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；或， 所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。8.据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列结构内部的畴倾斜方向对称。9.种显示装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁洪亮，李伟，解会杰，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：