【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造边缘场切换(FFS)液晶显示器(IXD)装置的方法，尤其涉及一种使用有机绝缘层且功耗较少的边缘场切换LCD装置及其制造方法。
技术介绍
随着对信息显示的关注日益增长以及对便携式(移动)信息媒介的需求日益增加，正在积极进行可替代常规的显示装置(阴极射线管(CRT))的轻薄平板显示器(FPD)的研究和商业化。在FH)之中，液晶显示器(IXD)是通过利用液晶的光学各向异性来显示图像的装置。LCD装置表现出优良的分辨率、色彩显示和画面质量，从而它们通常用于笔记本电脑或台式显示器等。LCD包括滤色器基板、阵列基板以及形成在滤色器基板与阵列基板之间的液晶层。这里，通常在LCD中使用的驱动方案包括在垂直于基板的方向上驱动液晶分子的扭曲向列(TN)方案，但扭曲向列LCD装置具有90度窄视角的缺陷。这是由液晶分子的折射各向异性导致的。也就是说，当给面板施加电压时，平行于基板排列的液晶分子变为大致垂直于基板排列。因而，已出现了面内切换(IPS)模式IXD装置，其中通过在平行于基板的方向上驱动液晶分子，视角提高到170度或更大。下面将详细描述IPS模式LCD装置...
【技术保护点】
一种制造边缘场切换液晶显示器装置的方法，所述方法包括：提供被划分为像素部和焊盘部的第一基板；在所述第一基板的像素部中形成栅极和栅极线，并在所述第一基板的焊盘部中形成焊盘线；在上面形成有所述栅极、所述栅极线和所述焊盘线的第一基板上形成栅极绝缘层；在上面形成有所述栅极绝缘层的栅极的上部形成有源层；在上面形成有所述有源层的第一基板的有源层的上部形成源极和漏极，并形成与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线；在上面形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的第一基板上形成第一保护膜；在上面形成有所述第一保护膜的第一基板的像素部中形成由有机绝缘层形成的第二保护膜；在上面形成有所述第二保护膜的...
【技术特征摘要】
2011.11.03 KR 10-2011-01141591.一种制造边缘场切换液晶显示器装置的方法，所述方法包括: 提供被划分为像素部和焊盘部的第一基板； 在所述第一基板的像素部中形成栅极和栅极线，并在所述第一基板的焊盘部中形成焊盘线； 在上面形成有所述栅极、所述栅极线和所述焊盘线的第一基板上形成栅极绝缘层； 在上面形成有所述栅极绝缘层的栅极的上部形成有源层； 在上面形成有所述有源层的第一基板的有源层的上部形成源极和漏极，并形成与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线； 在上面形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的第一基板上形成第一保护膜；在上面形成有所述第一保护膜的第一基板的像素部中形成由有机绝缘层形成的第二保护月吴; 在上面形成有所述第二保护膜的第一基板的像素部中形成第一电极； 通过调整气体流速，在上面形成有所述第一电极的第一基板上形成第三保护膜，使得所述第三保护膜的上层具有比其下层强的多孔性； 选择性地蚀刻所述 栅极绝缘层、所述第一保护膜和所述第三保护膜，以形成暴露所述焊盘线的焊盘部接触孔； 在上面形成有所述第三保护膜的第一基板的像素部中形成第二电极，并在所述第一基板的焊盘部中形成通过所述焊盘部接触孔与所述焊盘线电连接的焊盘电极；以及接合所述第一基板和第二基板。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二保护膜由诸如感光压克力这样的有机绝缘层形成。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二保护膜由包括诸如丙烯酸酯、聚酰亚胺或环氧树脂这样的成分的有机绝缘层形成。4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述第一基板的像素部中形成所述第二保护膜之后，通过固化工艺固化所述第二保护膜。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第三保护膜由诸如硅氮化物膜、硅氧化物膜这样的无机绝缘层形成，且以低于所述固化工艺的处理温度形成所述第三保护膜。6.根据权利要求5所述的方法，其中通过将SiH4气体与NH3气体的比率从3:1提高到4:1并将N2气体的 流速从100%降低到小于100%，形成所述第三保护膜。7.根据权利要求5所述的方法，其中与所述栅极绝缘层与所述第一保护膜和第三保护膜之间的不连续沉积表面相比，将所述第三保护膜的上层形成为使得S1-H/S1-N的键合比为80%或更大，以减少所述第三保护膜的上层的相关S1-N键。8.根据权利要求5所述的方法，其中将所述第三保护膜形成为使得所述第三保护膜的上层的厚度相对于所述第三保护膜的总厚度为5%到20%。9.根据权利要求1所述的方法，其中将作为像素电极的所述第二电极形成为在每个像素区域中具有包含多个狭缝的盒状，将作为公共电极的所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：南敬真，朴承烈，孙庚模，李智惠，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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