布线构造、包括它的薄膜晶体管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能抑制透明导电膜上的绝缘膜产生膜浮起，且得到透明导电膜与金属膜的良好的电连接性的布线构造。在和分别作为布线起作用的第一导电膜(2)与第二导电膜(5)连接的布线转换部(45)中，第一透明导电膜(6)具有在该第一透明导电膜(6)的角部附近不覆盖第二导电膜(5)的端面，在角部附近以外覆盖第二导电膜(5)的端面的部分。第一透明导电膜(6)的上层的第二透明导电膜(7)通过与第二导电膜(5)和第一导电膜(2)连接，第一导电膜(2)与第二导电膜(5)被电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如包含配设在液晶显示装置的显示面板等的、透明导电膜的布线的布线构造。
技术介绍
近年来，作为能够兼顾广视角和高透射率这样的特征的液晶模式，在液晶显示装置采用FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)模式的情况急速增多。FFS模式的TFT阵列基板例如下述的专利文献I所示，包含两层透明导电膜隔着绝缘膜重叠的构造。而与之相对，一般的TN (Twi sted Nemat i c，扭曲向列)模式的TFT阵列基板具有的透明导电膜是ー层。所以，制造FFS模式的TFT阵列基板所需的照相制版エ序数与制造一般的TN模式的TFT阵列基板相比，至少要增加ー个エ序。作为对该エ序数増加的应对，例如在下述的专利文献2中，公开了通过对设置在FFS模式的TFT阵列基板的透明导电膜图案的配置进行设计，減少所需的照相制版エ序数的技术。专利文献2所公开的FFS模式的TFT阵列基板的结构，能够使用与制造一般的TN模式的TFT阵列基板相同数量的照相制版エ序来形成。专利文献1:日本特许第3826217号公报； 专利文献2:日本特愿2010-191410号公报。如上所述，FFS模式的T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线构造，其特征在于，包括：第一导电膜；以及第一透明导电膜，形成于所述第一导电膜上，所述第一透明导电膜具有在该第一透明导电膜的角部附近不覆盖所述第一导电膜的端面，而在所述角部附近以外覆盖所述第一导电膜的端面的部分。

【技术特征摘要】
2011.11.07 JP 2011-2430761.一种布线构造，其特征在于，包括: 第一导电膜；以及 第一透明导电膜，形成于所述第一导电膜上， 所述第一透明导电膜具有在该第一透明导电膜的角部附近不覆盖所述第一导电膜的端面，而在所述角部附近以外覆盖所述第一导电膜的端面的部分。2.按权利要求1所述的布线构造，其中， 所述第一导电膜是层叠有不同种类的导电性的膜的层叠膜。3.按权利要求1或2所述的布线构造，其中， 在所述第一导电膜下还包括与该第一导电膜电连接的半导体膜。4.按权利要求1或2所述的布线构造，其中， 在...

【专利技术属性】
技术研发人员：外德仁，永野慎吾，岛村武志，宫川修，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：