切割片及半导体晶片的的制造方法技术

本发明专利技术提供一种切割片，由基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明专利技术提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在使半导体晶片的每个电路単体化作成半导体晶片时为了固定半导体晶片所使用的切割片，特别涉及ー种较佳用于固定及切断半导体晶片表面具有突起状电极的切割片及利用该切割片制造半导体晶片的方法。
技术介绍
半导体晶片表面形成电路后，进行对晶片内面ー侧的研磨、削切加工而调整晶片厚度的内面研磨削切步骤，及将晶片単体化为特定的晶片体积的切割步骤。接续内面研磨削切步骤，实施进ー步对内面蚀刻处理等的伴随发热的加工处理，或对内面的金属膜蒸镀地进行高温的处理。単体化晶片体积的半导体晶片被提取，移送至下一步骤。近年随着IC电路的普及，其构成元件的半导体晶片朝薄型化发展。因此，约350 V- m厚度的晶片被要求薄成50 100 y m或以下。电子电路的大容量化，因应高机能化，朝向使多个半导体晶片立体层积的集成电路开发。此类的集成电路中，一般经由电子封线进行半导体晶片的导电连接，但是由于近年的小型化、高机能化的必要性，不进行电子封线而是在半导体晶片设置从形成电路面贯通至内面的电极(贯通电极)，直接导线连接上下晶片之间的方法为有效的方法而进行开发。此种具有贯通电极的晶片的制造方法，例如在半导体晶片的特定位置以等离子体等设置贯通孔，经此贯通孔流入铜等的导电体后进行蚀刻等，使半导体晶片表面设置电路与贯通电极的方法。设有电路及贯通电极的半导体晶片使用在基材膜上形成粘接剂层的切割片切割，获得每个具有贯通电极的晶片。已有提议在为了获得上述具有贯通`电极的晶片的切割步骤中，在基材膜上所形成的粘接剂层的粘贴面压入突出的贯通电极而变形，将电极埋入与电极的突出部相似形状的粘接剂层的凹陷部，形成贯通电极的半导体晶片贴附于切割片固定后进行切割而获得各晶片的方法(专利文献1、2)。但是，专利文献1、2所记载的切割片因为将贯通电极埋入粘接剂层，恐有在贯通电极间残留下粘接剂层的残渣。因为此残渣，而有晶片表面被污染，半导体晶片的信赖度降低。专利文献1、2的方法中虽提议减少此种残渣残留的手段，但是无法确定可完全排除残渣残留的可能性。且专利文献1、2所记载的切割片为了埋入贯通电极必须调低切割时的弹性。因此，切割时的震动也容易发生晶片破损(破裂)的问题。[现有技术文献][专利文献][专利文献I]特开2006_202926号公报[专利文献2]特开2010-135494号公报
技术实现思路
本专利技术以解决伴随上述已知技术问题为目的。也即，本专利技术以提供使突起状电极(贯通电极)之间不残留粘接剂层的残渣、不便晶片破损的可切割及提取的切割片为目的。以解决此课题为目的的本专利技术的要g如下所述。本专利技术提供ー种切割片，由基材、位于该基材ー表面的中间层、以及位于该中间层上、厚度8 30 ii m的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23°C储存弾性率G'为中间层的23°C储存弾性率G'的4倍以上，在高15 u m、直径15 m的圆柱型电极以40 y m的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5iim以下的部分不接触该粘接剂层。[本专利技术所述的切割片，其中该分子内具有能量线硬化性双键的化合物包括由聚合物主链或侧链键结能量线聚合性基所形成的能量线硬化型粘接性聚合物。本专利技术所述的切割片，其中该中间层的23°C储存弾性率G'为IO4Pa以上、未满IO5Pa0本专利技术所述的切割片，其中该粘接剂层的硬化前的23°C储存弾性率G'为3X IO5Pa 以上。本专利技术所述的切割片，其中该粘接剂层包括具有反应性官能团的丙烯聚合物及交联剂，相对于该丙烯聚合物100质量份，含有该交联剂5质量份以上。本专利技术所述的切割片，其中该交联剂为异氰酸酯系交联剂。本专利技术任一所述的切割 片，其用于粘贴于具有突起状电极的晶片。本专利技术所述的切割片，其中该突起状电极为贯通电扱。本专利技术所述的切割片，其中该中间层的厚度为该突起状电极高度的0.5 1.5倍。本专利技术还提供一种半导体晶片制造方法，包括在具有突起状电极的半导体晶片形成电极的表面粘贴本专利技术所述的切割片的步骤，切割该半导体晶片使每个电路单体化而制成半导体晶片的步骤，以及提取该半导体晶片的步骤。专利技术效果本专利技术所述的切割片在贴附半导体晶片之时，粘接剂层不沿着突起状电极，但沿着突起状电极所形成的区域(电极形成区域)的外围部。结果，突起状电极间不残留粘接剂层的残渣，且抑制因聚合不全所造成的电极形成区域的外围部中残渣的残留。在电极形成区域的外围部中，粘接剂层贴附于半导体晶片，且粘接剂层不过度柔软化，因此防止切割时的水入侵。切割性优良，可防止破裂发生。通过使粘接剂层能量线硬化，可控制其粘接力，使晶片的提取容易，可防止晶片破损。附图说明图1为本专利技术的切割片的剖面示意图。图2为显示本专利技术的切割片贴附于形成圆柱型电极的晶片的状态的剖面示意图。图3为显示形成圆柱型的半导体晶片的电路形成面的平面图。主要部件符号说明I 粘接剂层；2 中间层；3 粘接剂层；10 切割片；20(20a 20e) 圆柱型电极；30 半导体晶片。具体实施例方式以下针对本专利技术的切割片具体说明。如图1所示，本专利技术的切割片10由基材3、设置于该基材ー表面的中间层2、以及设置于中间层2上的粘接剂层I所构成。(粘接剂层I)粘接剂层的硬化前(能量线照射前)的23°C储存弾性率G'为中间层的23°C储存弾性率G'的4倍以上，较佳为中间层的23°C储存弾性率G'的5倍以上。以覆盖如此低弹性率的中间层2的型态而存在弹性率较闻的粘接剂层者，良好地抑制粘接剂层沿着突起状电极间，可防止突起状电极间的粘接剂层的残渣发生或者提取时的晶片破损。粘接剂层与中间层的层集成中，因为粘接剂层补强中间层的低弹性，相较于仅有ー层低弾性率层存在的情形，切割时的晶片震动被抑制，破裂发生变得困难。粘接剂层的硬化前的23°C储存弾性率G'具体较佳为3X IO5Pa以上，更佳为3.5X IO5Pa IX 107Pa。粘接剂层的硬化前的23°C储存弾性率G'在上述范围时，可更确实地获得抑制粘接剂沿着突起状电极间的效果等。粘接剂层的厚度为8 30 iim，较佳为8 25 iim的范围。粘接剂层的厚度在上述范围内时，切割性提升，可抑制破裂的发生。良好地抑制粘接剂层沿着突起状电极间，可抑制突起状电极间的粘接剂层的残渣发生或提取时晶片的破损，且维持如后述的突起状电极所形成的区域(电极形成区域)的外围部中切割片沿着的追随性。粘接剂层含有由分子内具有能量线硬化性双键的化合物及为了表现粘接性的物质所构成的成分(以下记载为”能量线硬化型粘接成分”)。粘接剂层使用调配能量线硬化型粘接成分与视需要而定的光聚合起始剂的粘接剂组成物所形成。而且，为了改良各种性质，上述粘接剂组成物可视需要含有其他成分。其他成分较佳为交联剂。以下，对于能量线硬化型粘接成分以丙烯系粘接剂为例具体说明。丙烯系粘接剂含有赋予粘接剂组成物充分的粘接性与成膜性(片形成性)的丙烯共聚物(A)，又含有能量线硬化性化合物(B)。能量线硬化性化合物(B)包含能量线聚合性基，受到紫外线、电子线等的能量线照射而聚合硬化，具有使粘接剂组成物的粘接力降低的功能。作为兼具上述成分(A)及(B)性质的物质，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割片，其由基材、位于所述基材表面的中间层、以及位于所述中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，其中所述粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且所述粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为所述中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过所述粘接剂层粘贴的情形中，所述3行3列所形成的圆柱型电极中心的电极中，所述电极高度7.5μm以下的部分不接触所述粘接剂层。

【技术特征摘要】
2011.11.02 JP 2011-2410201.一种切割片，其由基材、位于所述基材表面的中间层、以及位于所述中间层上厚度8 30 ii m的粘接剂层所构成，其中 所述粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且所述粘接剂层的硬化前的23°C储存弾性率G'为所述中间层的23°C储存弾性率G'的4倍以上， 在高15 u m、直径15 m的圆柱型电极以40 y m的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过所述粘接剂层粘贴的情形中，所述3行3列所形成的圆柱型电极中心的电极中，所述电极高度7.5 以下的部分不接触所述粘接剂层。2.按权利要求1所述的切割片，其中所述分子内具有能量线硬化性双键的化合物包括由聚合物主链或侧链键结能量线聚合性基所形成的能量线硬化型粘接性聚合物。3.按权利要求1或2所述的切割片，其中所述中间层的23°C储存弾性率G'为IO4...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤阳辅，金井道生，中西勇人，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：