【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及阻气膜及阻气膜的制造方法。
技术介绍
1、近年来，阻气膜被广泛用作基板材料、密封材料。作为阻气膜，已知具有使用聚硅氮烷类化合物形成的阻气层的阻气膜。
2、对于具有使用聚硅氮烷类化合物形成的阻气层的阻气膜而言，提出了对阻气层进行改性处理而提高阻气性。其中，通过等离子体照射将特定的离子注入阻气层而进行改性的等离子体离子注入处理特别容易提高阻气性，是非常有用的改性方法。
3、以下，将抑制水蒸气、氧的透过的特性称为“阻气性”，将具有阻气性的膜称为“阻气膜”。
4、例如，在专利文献1中记载了在具有基材和改性促进层的基材单元中形成有阻气层的阻气性层叠体。而且，记载了通过将氩(ar)等离子体离子注入含有聚硅氮烷类化合物的层的表面而实施改性处理，从而形成上述阻气层。
5、这里，希望阻气膜在各种用途中的应用，例如，可以考虑将包含半导体芯片的电子部件等粘贴在阻气膜上、或者进一步用密封材料进行密封的方式。在这样的情况下，由于有时将阻气膜供于暴露在高温下的加热工序，因此，可能会要求即使经过加热工序也能够保持高阻气性的高耐热性的阻气膜。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：国际公开第2015/186694号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、根据本专利技术人等的研究，查明了在以往利用的使用了氩气的等离子体离子注入处理中，由于无法使改性区域足够厚，因此，难以进一步提高阻气性，而
3、需要说明的是，专利文献1中记载了如下主旨：作为用于等离子体离子注入处理的气体种类，可举出氩、氦、氖、氪及氙等稀有气体的离子。然而，在专利文献1的实施例中具体使用的仅为氩离子，而且，在专利文献1中，并没有记载从耐热性的观点出发以充分的厚度形成具有给定折射率的改性区域。
4、鉴于上述问题，本专利技术的课题在于提供具有高阻气性及高耐热性的阻气膜及其制造方法。
5、解决问题的方法
6、本专利技术人等为了解决上述问题而反复进行了深入研究，结果发现，通过在给定的基材上设置包含给定的改性区域的阻气层，能够解决上述问题，从而完成了本专利技术。
7、即，本专利技术提供以下的[1]～[6]。
8、[1]一种阻气膜，其具有：
9、在40℃、相对湿度90％的气体氛围中的水蒸气透过率为1g/m2/day以下的基材、和
10、设置于上述基材上的阻气层，
11、上述阻气层是实施了改性处理的聚硅氮烷膜，
12、[i]上述阻气层包含位于与上述基材为相反侧的第1表面侧的改性区域、和与上述改性区域相接且位于比上述改性区域更靠近上述基材侧的非改性区域，上述改性区域的厚度为上述非改性区域的厚度以上；或者
13、[ii]上述阻气层全部为改性区域，
14、上述改性区域的折射率为1.70～2.00，上述非改性区域的折射率为1.45～1.69。
15、[2]根据上述[1]所述的阻气膜，其中，
16、上述阻气层包含硅、氧及氮，将上述阻气层总体的硅、氧及氮的合计设为100at％时的元素比率sixoynz为x∶y＝1∶0.1～1.5、x∶z＝1∶0.2～0.7、y∶z＝1∶0.1～7.0。
17、[3]根据上述[2]所述的阻气膜，其中，
18、在上述阻气层的距上述第1表面15nm以上的深度方向上，下述式(1a)表示的x的变化率、下述式(1b)表示的y的变化率及下述式(1c)表示的z的变化率分别为20％以下，
19、x的变化率(％)＝{(xa-xb)/(xa+xb)}×100···式(1a)
20、y的变化率(％)＝{(ya-yb)/(ya+yb)}×100···式(1b)
21、z的变化率(％)＝{(za-zb)/(za+zb)}×100···式(1c)
22、上述式(1a)中，xa表示x的最大值，xb表示x的最小值，
23、上述式(1b)中，ya表示y的最大值，yb表示y的最小值，
24、上述式(1c)中，za表示z的最大值，zb表示z的最小值。
25、[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的阻气膜，其中，
26、上述改性区域的厚度为15～1000nm，上述非改性区域的厚度为0～1000nm。
27、[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的阻气膜，其中，
28、将上述阻气膜在氮气氛围中以350℃加热5小时后，上述阻气膜在40℃、相对湿度90％的气体氛围中的水蒸气透过率小于1.0×10-2g/m2/day。
29、[6]一种阻气膜的制造方法，上述阻气膜具有基材、和设置于上述基材上的阻气层，
30、该方法包括：
31、通过在上述基材上涂布聚硅氮烷化合物的溶液，从而形成用于形成上述阻气层的阻气前体层，
32、通过在氦气的存在下对上述阻气前体层的表面部进行等离子体照射，在上述阻气前体层的表面部形成改性区域，从而形成阻气层，
33、上述基材在40℃、相对湿度90％的气体氛围中的水蒸气透过率为1g/m2/day以下，
34、[i]上述阻气层包含位于与上述基材为相反侧的第1表面侧的改性区域、和与上述改性区域相接且位于比上述改性区域更靠近上述基材侧的非改性区域，上述改性区域的厚度为上述非改性区域的厚度以上；或者
35、[ii]上述阻气层全部为改性区域。
36、专利技术的效果
37、根据本专利技术，可以提供具有高阻气性及高耐热性的阻气膜及其制造方法。
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1.一种阻气膜，其具有：
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
3.根据权利要求2所述的阻气膜，其中，
4.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
5.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
6.一种阻气膜的制造方法，所述阻气膜具有基材、和设置于所述基材上的阻气层，
【技术特征摘要】
1.一种阻气膜，其具有：
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
3.根据权利要求2所述的阻气膜，其中，
4.根据权利要求1或2...
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