包括具有通孔的半导体芯片的半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：基板，具有穿过基板形成的第一通孔；第一半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在基板上并且具有穿过第一半导体芯片形成的第二通孔；第二半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在第一半导体芯片上并且具有穿过第二半导体芯片形成的第三通孔；成型材料，覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且填充基板和第一半导体芯片之间的空间、第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间，且填充第一通孔、第二通孔和第三通孔中的每个通孔。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及一种包括具有通孔的半导体芯片的半导体封装件。
技术介绍
在将多个半导体芯片堆叠在基板上后，在堆叠的半导体芯片之间设置底部填料或者用环氧成型化合物(EMC)使半导体芯片成型，从而形成半导体封装件。然而，在底部填充工艺中，底部填料溶液从半导体芯片的外部朝向半导体芯片的中心的流动可能是缓慢的。因此，可能在将堆叠的半导体芯片进行连接的凸起之间产生空隙。此外，在成型工艺中，在堆叠的半导体芯片之间填充EMC之前，半导体芯片可能因位于半导体芯片上的EMC的压力而被损坏。另外，当位于半导体芯片上的EMC的压力集中在半导体芯片的中心部分时，应力会作用于凸起，并且会在凸起之间产生空隙。
技术实现思路
一个或更多个示例性实施例可以提供一种能够通过改善半导体芯片之间的填充性来减少空隙的出现和对半导体芯片的损坏的半导体封装件。根据一个示例性实施例的一个方面，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括:基板，具有穿过基板形成的第一通孔；第一半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在基板上并且具有穿过第一半导体芯片形成的第二通孔；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上并且具有穿过第二半导体芯片形成的第三通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基板，包括穿过基板形成的第一通孔；第一半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在基板上并且包括穿过第一半导体芯片形成的第二通孔；第二半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在第一半导体芯片上并且包括穿过第二半导体芯片形成的第三通孔；以及成型材料，覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且填充基板和第一半导体芯片之间的空间、第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间以及第一通孔、第二通孔和第三通孔中的每个通孔。

【技术特征摘要】
2011.10.26 KR 10-2011-01100781.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括: 基板，包括穿过基板形成的第一通孔； 第一半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在基板上并且包括穿过第一半导体芯片形成的第二通孔； 第二半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在第一半导体芯片上并且包括穿过第二半导体芯片形成的第三通孔；以及 成型材料，覆盖第一半导体芯 片和第二半导体芯片，并且填充基板和第一半导体芯片之间的空间、第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间以及第一通孔、第二通孔和第三通孔中的每个通孔。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括多个贯穿电极，以及 第二通孔穿过位于第一贯穿电极和与所述第一贯穿电极相邻的第二贯穿电极之间的第一半导体芯片形成。3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括沿第一方向顺序地布置的第一贯穿电极、第二贯穿电极和第三贯穿电极， 第一贯穿电极和第二贯穿电极之间的距离比第二贯穿电极和第三贯穿电极之间的距离小，以及 第二通孔形成在第一贯穿电极和第二贯穿电极之间。4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括沿第一方向布置的多个贯穿电极，以及 第二通孔沿第一方向延伸 。5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一通孔从基板的第一表面到基板的第二表面穿过基板， 成型材料的一部分穿过第一通孔从基板第一表面突出而形成通道，以及 第一半导体芯片堆叠在基板的第二表面上。6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一通孔、第二通孔和第三通孔均相互叠置。7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片的尺寸与第二半导体芯片的尺寸不同。8.如权利要求7所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括多个第二通孔， 第二半导体芯片包括多个第三通孔，以及 第二通孔的数量不同于第三通孔的数量。9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第二通孔的横截面尺寸不同于第三通孔的横截面尺寸。10.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，成型材料包括环氧成型化合物。11.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一通孔、第二通孔和第三通孔全部仅填充有成型材料。12.—种半导体封装件，所述半导体封装件包括: 基板，包括穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌哲，金显俊，李仁荣，丁起权，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：