发光二极管阵列制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管阵列，主要包括有多个发光二极管单元，其中各个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管阵列，特别涉及一种串联序列的发光二极管阵列。
技术介绍
发光二极管(LED ；Light-Emitting Diode)由于具备有寿命长、体积小、耗电量少及反应速度快等优点，因而被广泛应用于指示灯、广告看板、交通号志灯、汽车车灯、显示面板、通讯器具及室内照明等各项产品中。请参阅图1所示，为现有发光二极管的构造示意图。如图所示，现有的发光二极管芯片100包括基底102、N型层110、发光层125及P型层130。此外，第一电极115与第二电极135分别形成在N型层110与P型层130上，并与其电性连接。当适当电压被施加到第一电极115与第二电极135时，电子将会离开N型层110并与空穴在发光层125内结合而发光。基底102通常以蓝宝石制成；N型层110例如可由掺杂硅的氮化铝镓(AlGaN)或掺杂硅的氮化镓(GaN)制成；P型层130例如可由掺杂镁的氮化铝镓(AlGaN)或掺杂镁的氮化镓(GaN)制成。发光层125通常由单量子阱或多量子阱，例如氮化铟镓/氮化镓形成。一般而言，驱动单一个发光二极管芯片100大约需要在第一电极115及第二电极135之间提供一 3伏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管阵列，包含有多个发光二极管单元，所有该多个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。

【技术特征摘要】
2011.10.26 CN 201110335039.51.一种发光二极管阵列，包含有多个发光二极管单元，所有该多个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，每一个发光二极管单元为四边形，且具有电性相反的一第一电极与一第二电极，该第一电极位于或邻近该四边形的一第一端点，该第二电极位于或邻近该四边形的一第二端点，该第一端点与该第二端点为对角关系。3.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其特征在于，每一个发光二极管单元正方形，且具有电性相反的一第一电极与一第二电极，该第一电极位于或邻近该正方形的一第一端点，该第二电极位于或邻近该正 方形的一第二端点，该第一端点与该第二端点为对角关系。4.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管阵列为四边形，且连接一电流输入端与一电流输出端。5.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管阵列正方形，且连接一电流输入端与一电流输出端。6.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，该串联序列的第一个发光二极管单元以该第二电极连接该电流输入端，该串联序列的最后一个发光二极管单元以该第一电极连接该电流输出端。7.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，m与n两者之中一者为奇数，一者为偶数，该电流输入端与该电流输出端位于或邻近该发光二极管阵列的一边线上。8.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，m与...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵世丰，刘恒，
申请(专利权)人：华夏光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：