一种工作温度可控的多芯片组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种温度可控多芯片组件，具有管壳基座、管脚、多层低温共烧陶瓷基片、片式元件、集成电路芯片Ⅰ、集成电路芯片Ⅱ、阻带和导带/键合区；多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成，在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带；在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置有厚膜热敏电阻，其位置正对温度较敏感的集成电路芯片Ⅰ；在该基片正面用多芯片三维平面方式集成有导带、阻带、集成电路芯片Ⅰ、集成电路芯片Ⅱ、小容量电感、电容和微型元器件；在该基片背面集成有半导体热电致冷器。使用本实用新型专利技术的器件长期工作在某一特定的工作温度范围内，能确保器件长期工作的温度稳定性，提高器件的长期可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多芯片组件(简称MCM)，进一步来说，涉及厚膜多层低温共烧陶瓷多芯片组件(简称MCM-C)，尤其涉及工作温度可控厚膜多层低温共烧陶瓷多芯片组件。
技术介绍
在同一封装体内安装多个半导体芯片的器件为多芯片组件。原有的多芯片组件是将厚膜低温多层共烧陶瓷(简称LTCC)基片直接装贴在管壳基座上，然后在LTCC基片上丝网印刷、烧结厚膜导体浆料或厚膜电阻浆料，对烧结后的厚膜电阻进行激光修调，装贴半导体芯片、片式元器件，再采用键合丝键合，连接整个电路，最后在特定气氛中将管基和管帽进行密封而成。由于MCM多芯片组件集成的集成密度高，集成容量大，因而产生的热量就相应增大，给使用过程中的散热设计、散热手段、散热环境带来很多困难，使用环境要求较高，使用配套成本大幅增加，限制多芯片组件产品的使用。经检索，涉及多芯片组件的专利申请件有20件，但涉及温度可控的多芯片组件的仅有I件，即CN1489200号《多芯片组件和多芯片关闭方法》，该专利提供一个在第一设置温度时关闭自己的用于稳压的半导体芯片，和一个与用于稳压的半导体芯片位于同一封装体内，在第二设置温度时关闭自己的用于放大器的半导体芯片。显然，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度可控多芯片组件，它具有管壳基座(1)、管脚(2)、多层低温共烧陶瓷基片(3)、片式元件(4)、集成电路芯片Ⅰ(5)、集成电路芯片Ⅱ(6)、阻带(7)和导带/键合区(8)；多层共烧陶瓷基片(3)由多层陶瓷烧结而成，在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带；其特征在于在多层共烧陶瓷基片(3)的第二层陶瓷版上埋置有厚膜热敏电阻(9)，其位置正对温度较敏感的集成电路芯片Ⅰ(5)；在该基片正面用多芯片三维平面方式集成有导带、阻带(7)、集成电路芯片Ⅰ(5)、集成电路芯片Ⅱ(6)、小容量电感、电容和微型元器件；在该基片背面集成有半导体热电致冷器(10)，并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过...

【技术特征摘要】
1.一种温度可控多芯片组件，它具有管壳基座(I)、管脚(2)、多层低温共烧陶瓷基片(3)、片式元件(4)、集成电路芯片I (5)、集成电路芯片II (6)、阻带(7)和导带/键合区(8);多层共烧陶瓷基片(3)由多层陶瓷烧结而成，在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带；其特征在于在多层共烧陶瓷基片(3)的第二层陶瓷版上埋置有厚膜热敏电阻(9)，其位置正对温度较敏感的集成电路芯片I(5);在该基片正面用多芯片三维平面方式集成有导带、阻带(7)、集成电路芯片I (5)、集成电路芯片II ...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成刚，苏贵东，刘俊，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：