晶闸管模块制造技术

晶闸管模块，属于功率半导体模块制造领域。本实用新型专利技术采用了全新的芯片与信号端的连接方式，进而能简化工艺和材料，使得产品具有高可靠性和高一致性的连接结构，从而显著优化产品性能。包括底板、壳体、基板、芯片一、芯片二、电极一、电极二、电极三、信号端子Ga、信号端子Ka、信号端子Kb和信号端子Gb；两芯片的正面为阳极A，背面设有阴极K和门极G；基板的顶面印制有相互绝缘的导电块区一、导电块区二、导电块区三、导电线区一、导电线区二、导电线区三和导电线区四；本实用新型专利技术中产品一致性大大提高，可靠性也随之提高。本实用新型专利技术制得的产品原材料和工艺步骤大幅度简化，产品制造良率提升，性能和一致性显著提高，可靠性增加。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

晶闸管功率模块及其信号端子内部连接方式，属于功率半导体模块制造领域。
技术介绍
晶闸管功率模块，是将数个晶闸管芯片按照一定的拓扑功能封装在一起的集合体。一般的，在ー个功率模块里，这些晶闸管芯片的底面被焊接于绝缘基板的金属表面上。该绝缘基板使得芯片底部能够实现电气连接，同时还拥有良好的散热性能以及与散热底板实现相対的电气绝缘。芯片的上表面被金属化(一般为银材料)，可以用焊接钥片和金属连接桥的方式实现电气连接。这些功率元件在模块中会使用硅胶充分覆盖，使得元件被充分绝缘和避免环境损害。晶闸管芯片4含三个极，一般背面为阳极A41，正面为阴极K42和门极G43，结构如图8、9所示。一般地，晶闸管模块主要由晶闸管芯片(Thyristor)、覆铜陶瓷基板(DBC)、铜底板以及外壳、电极和信号线等构成。按照晶闸管模块的使用需要，在模块的内部，芯片的门极G43和阴极K42要与模块对应的信号端子分别连接，电路图如图7。芯片4与信号端常规地连接方式是芯片表面(阴极42)焊接钥片，在钥片和DBC铜箔间用连接桥5连接，然后相同DBC铜箔区域焊接高温线9的一端；高温线9的另外一端与信号端子(端子一 四24)用本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶闸管模块，包括底板、壳体、基板、芯片一、芯片二、电极一、电极二、电极三、信号端子Ga、信号端子Ka、信号端子Kb和信号端子Gb；两所述芯片的正面为阳极A，背面设有阴极K和门极G；其特征在于，所述基板的顶面印制有相互绝缘的导电块区一、导电块区二、导电块区三、导电线区一、导电线区二、导电线区三和导电线区四；所述电极一、芯片一的阳极A和所述芯片二的阴极K连接所述导电块区一；所述电极二和所述芯片一的阴极K连接所述导电块区二；所述电极三、芯片二的阳极A连接所述导电块区三；所述芯片一的门极G通过铝丝连接所述导电线区一，所述导电线区一再连接所述信号端子Ga；所述芯片一的阴极K通过连接桥连接所述导电线区二，...

【技术特征摘要】
1.晶闸管模块，包括底板、壳体、基板、芯片一、芯片二、电极一、电极二、电极三、信号端子Ga、信号端子Ka、信号端子Kb和信号端子Gb ;两所述芯片的正面为阳极A，背面设有阴极 K和门极G ;其特征在于，所述基板的顶面印制有相互绝缘的导电块区一、导电块区二、导电块区三、导电线区一、导电线区二、导电线区三和导电线区四；所述电极一、芯片一的阳极A和所述芯片二的阴极K连接所述导电块区一；所述电极二和所述芯片一的阴极K连接所述导电块区二；所述电极三、芯片二的阳极A连接所述导电块区三；所述芯片一的门极G通过铝丝连接所述导电线区一，所述导电线区一再连接所述信号端子Ga ；所述芯片一的阴极K通过连接桥连接所述导电线区二，所述导电线区二再连接所述信号端子Ka ；所述芯片二的阴极K通过连接桥连接所述导电线区三，所述导电线区三再连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锦源，柏治国，蒋陆金，臧凯晋，
申请(专利权)人：江苏爱普特半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：