超薄全波整流器制造技术

技术编号:8515050 阅读:173 留言:0更新日期:2013-03-30 14:15
本实用新型专利技术实施例公开了一种超薄全波整流器,具有:四个晶片,为同一平面上的四边形排列,且相邻周边上的晶片极性为异-同依次交替排列;四个电极触片,分为上、下层两组电极触片,所述上层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片上表面同极性的两个晶片;所述下层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片下表面的同一方向上的异极性的两个晶片;封装胶体,包覆所述晶片以及所述电极触片。采用本实用新型专利技术,可制作成比现有技术的芯片更为薄的整流器,且引脚的脚距以及晶片的类型可根据实际应用进行选择,使得本实用新型专利技术应用灵活,且四个晶片为平面放置结构,产品可直接紧贴于PC板的散热面上,具有更佳的散热性能,使PN结的温度控制在合理的范围内,提高了工作效率。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种整流器,尤其涉及一种超薄型全波整流器。
技术介绍
目前市场上已有的桥式整流器的组装方式为立式组装,即为垂直方向上的多层堆叠结构,并用环氧树脂来包覆其结构,其封装方法比较简单,可实现在一模具上依序进行封装,共效率高,但也存在多个缺陷,如正、负极为对角线位置、体积较大,不利于其内部晶片散热,也不适应于高度集成要求体积小的电路上。专利公告号为CN 2369338Y公开了一 种桥式整流器01,如图1所示,是以立式封装的方式进行封装,包括四晶粒02,每二晶粒02堆叠排列在一起,于上、下二晶粒02中各利用焊锡片04以连接一第一支脚03,使第一支脚03与晶粒02形成电连接,且二第一支脚03是于晶粒02的同一侧;另有二第二支脚05分别连接上层二晶粒02与下层二晶粒02,晶粒02与第二支脚05间亦以焊锡片04相连接,以形成电连接,第二支脚05则位于晶粒02的另一侧,且第二支脚05与第一支脚03是沿相对方向延伸,即晶粒02 二侧的第一支脚03与第二支脚05是相对称,并同时往晶粒02的下方弯曲延伸。最外层的胶体06,包覆晶粒以及第一支脚03与第二支脚05的一部份。本现有技术为立式多层结构,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄全波整流器,其特征在于,其具有:四个晶片,为同一平面上的四边形排列,且相邻周边上的晶片极性为异?同依次交替排列;四个电极触片,分为上、下层两组电极触片,所述上层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片上表面同极性的两个晶片;所述下层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片下表面的同一方向上的异极性的两个晶片;封装胶体,包覆所述晶片以及所述电极触片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:苏松得
申请(专利权)人:广东良得电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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