一种LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED芯片。所述LED芯片包括数个串联的微芯片。本实用新型专利技术的LED芯片利用半导体制程将微芯片排列串联在一起，使LED芯片达到高电压，当配合linear/Switch?power时，可有效减少LED芯片的数量，缩小了芯片占用空间，降低了制作成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电领域，尤其涉及一种LED芯片。
技术介绍
传统的DC (直流)LED (发光二极管)芯片为低电压设计。图1为现有技术中LED芯片的结构图。如图1所示，芯片I系设有单颗灯珠10，灯珠10的电压介于3. 0-3. 8伏特之间，所以当搭配linear / Switch power使用时,需要串联多数个DC LED芯片，使其电压达到可启动范围。因此要启动现有的DC LED，需要串联多个DC LED芯片，该现有技术存在如下问题UDC LED芯片控制单颗灯珠，电压较小,搭配linear / Switch power使用，贝丨J需要数量很多的DC LED芯片串联使用，不仅非常麻烦不便，使用上更是不方便；2、DC LED芯片增加，则其制作成本也相对提高，经济效益低，且市场竞争力较差；3,DC LED芯片增加，需要占据较大空间，且增加安装、施工的成本，效益降低，无法取代现有灯具。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种LED芯片，缩小芯片占用空间，降低制作成本。为解决上述技术问题，本技术提出了一种LED芯片，所述LED芯片包括数个串联的微芯片，所述微芯片的数量为18个、19个或20个。进一步地，上述LED芯片还可具有以下特点，所述微芯片的电压范围为3. 0-3. 8伏特。本技术的LED芯片利用半导体制程将微芯片排列串联在一起，使LED芯片达到高电压，当配合linear / Switch power时,可有效减少LED芯片的数量,缩小了芯片占用空间，降低了制作成本。附图说明图1为现有技术中LED芯片的结构图；图2为本技术实施例中LED芯片的结构图；图3为图2中图芯片2的截面图；附图中，各标号所代表的部件列表如下1、芯片，10、灯珠，2、LED芯片，20、微芯片，21、金电极，22、光反射膜，23、蓝宝石基板，24、N型氮化镓，25、量子井，26、P型氮化镓，27、P型电极27，28N型电极28。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。图2为本技术实施例中LED芯片的结构图。如图2所示，本实施例中，LED芯片2包括数个串联的微芯片20。图2中，LED芯片2将微芯片20直接排列于芯片2上端。 微芯片20以半导体制程串联在LED芯片2上。图2中，微芯片20的数量为19个，每一个微芯片20的电压范围为3. (Γ3. 8伏特，所以串联19个微芯片20能产生约60伏特的电压。图3为图2中图芯片2的截面图。如图3所示，LED芯片2底层设有金电极21， 金电极21上端设有光反射膜22，光反射膜22上端设有蓝宝石基板23，蓝宝石基板23上端设有N型氮化镓24，N型氮化镓24上端设有量子井25，量子井25上端设有P型氮化镓26， P型氮化镓26上设置有P型电极27，N型氮化镓24上设置有N型电极28。再如图2所示，本技术在LED芯片2上直接设置串联的微芯片20排列，使LED 芯片2的电压借由微芯片20串联，从而达到60伏特左右的高电压，图2中显示为19个微芯片20排列。微芯片20的电压约3. (Γ3. 8VoIt之间，所以要达到60伏特的电压，并非限制在19个微芯片串联，18个或20个微芯片20也能达到约60伏特高电压的LED芯片2，差别仅是微芯片20的数量多少，线路完全相同，以半导体制程串联在一起。另外，当配合linear power时,高电压LED芯片2仅需2组就能安装使用，而要利用低电压的DC LED芯片1，则需要串联数量很多的芯片I (如图1所示)，不仅施工极为麻烦，而且占用空间大，显然不合实用。本技术的高电压LED芯片2显然具有如下优点1、本技术的LED芯片2直接将微芯片20 (约18 20颗)以半导体制程串联在一起，使每个LED芯片2的电压达到约60伏特，当配合linear / Switch power使用时,仅需连接二片LED芯片2，即可在IlOV上使用，串联4片LED芯片2即可于220V使用，不需串联数 量很多的DC LED芯片，操作简单，使用方便；2、本技术的LED芯片2能达到60伏特的高电压，可以减少LED芯片2的数量， 降低了制作成本，经济效益高，增加了市场竞争力；3、本技术的LED芯片2，可达到60伏特的电压，除能减少LED芯片2的数量外，还能缩小芯片所占用的空间，并能符合照度的要求，因而能取代现有灯具。综上，本技术的LED芯片利用半导体制程将微芯片排列串联在一起，使LED 芯片达到高电压，当配合linear / Switch power时,可有效减少LED芯片的数量,缩小了芯片占用空间，降低了制作成本。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括数个串联的微芯片，所述微芯片的数量为18个、19个或20个。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述微芯片的电压范围为3.0-3. 8伏特。专利摘要本技术涉及一种LED芯片。所述LED芯片包括数个串联的微芯片。本技术的LED芯片利用半导体制程将微芯片排列串联在一起，使LED芯片达到高电压，当配合linear/Switch power时，可有效减少LED芯片的数量，缩小了芯片占用空间，降低了制作成本。文档编号H01L25/075GK202839601SQ201220188788公开日2013年3月27日 申请日期2012年4月27日 优先权日2012年4月27日专利技术者蔡吉明, 许育宾 申请人:江苏璨扬光电有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括数个串联的微芯片，所述微芯片的数量为18个、19个或20个。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡吉明，许育宾，
申请(专利权)人：江苏璨扬光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：