【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种芯片嵌入式三维圆片级封装结构，属于半导体芯片封装
技术介绍
在当前的半导体行业中，电子封装已经成为行业发展的一个重要方面。几十年的封装技术的发展，使高密度、小尺寸的封装要求成为封装的主流方向。随着电子产品向更薄、更轻、更高引脚密度、更低成本方面发展，采用单颗芯片封装技术已经逐渐无法满足产业需求，一种新的封装技术——圆片级封装技术的出现为封装 行业向低成本封装发展提供了契机。传统多芯片封装技术中，芯片与芯片之间的对话通过基板实现，即芯片信号传输必须在基板上传输一圈才能到达另外的一个芯片，甚至需要到印刷电路板上传输才能实现信号的交流，这大大损失了信号的传输速度和增加了封装模块的功率消耗，与提倡绿色能源的现代社会理念矛盾。多芯片圆片级封装方法，其将多个芯片通过重构圆片和圆片级再布线的方式，实现多芯片结构封装，最终切割成单颗封装体。但目前的多芯片圆片级封装多采用二维平面排布模式，实现的芯片数量和封装体积受到限制。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种实现多个芯片在封装体内部实现三维空间排布、缩短信号传输的路线、加快信号传输速度的芯片嵌...
【技术保护点】
一种芯片嵌入式三维圆片级封装结构，所述封装结构包括带有芯片电极Ⅰ（11）的IC芯片Ⅰ（1）、带有芯片电极Ⅱ（21）的IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层、树脂层（6）和焊球凸点（9）,所述金属微结构（3）包括金属微柱（31）和设置在金属微柱（31）顶端的金属微凸点（32），其特征在于：所述IC芯片Ⅰ（1）与IC芯片Ⅱ（2）面对面分布在高密度布线层的下表面和上表面，所述高密度布线层包括再布线金属层Ⅰ（4）、填充再布线金属层Ⅰ（4）的介电层（41）和设置在高密度布线层的上表面的再布线金属电极（42），所述再布线金属电极（42）包括再布线金属电极Ⅰ（421）和再布线金...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，陈栋，赖志明，陈锦辉，徐虹，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。