具有低的互连寄生的有高功率芯片和低功率芯片的系统技术方案

一种IC系统包括位于靠近例如逻辑芯片的一个或多个较高功率芯片的例如存储器芯片的低功率芯片，而不经受过热结果。IC系统可以包括布置在封装基板上的高功率芯片和嵌入在封装基板中的低功率芯片来形成堆叠。因为封装基板的部分热绝缘低功率芯片与高功率芯片，因此低功率芯片能够嵌入在IC系统中与高功率芯片紧密靠近，而不会由高功率芯片使其过热。低功率芯片和高功率芯片之间的这样的紧密靠近有利地缩短了其间的互连路径长度，这提高了装置性能并且减小了IC系统中的互连寄生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例总体上涉及集成电路芯片封装，更具体地，涉及具有高功率芯片和低功率芯片的系统。
技术介绍
在集成电路(IC)芯片的封装中，通常要在包含在封装中芯片和其他装置的热管理和所述装置的性能之间进行权衡。具体地，通过将IC封装的存储器芯片、无源装置和其他低功率组件尽可能靠近IC封装中中央处理单 元(CPU)和其他的高功率装置，来加速IC封装中的装置之间的通信并且减小封装寄生。然而，已知由较高功率的芯片所生成的热量不利地影响定位在附近的存储器芯片和其他装置。因此，当存储器芯片和无源装置合并到单个IC封装中时，将其直接堆叠在CUP或其他高功率芯片之上或之下，从发热方面来说是不可行的；这样的配置必然限制高功率芯片的功率或者冒了危害和/或者影响存储器芯片的性能的风险。通过在IC封装中将这样的芯片定位在高功率芯片旁边来将低功率芯片包括在单个IC封装中也是不可取的，因为这样水平分布的配置导致IC封装具有不实用的大的覆盖区(footprint)并且在低功率芯片和高功率芯片之间具有更长的互连路径。如前所述，本
需要用于布置为彼此紧密靠近的高功率芯片和低功率芯片的IC封装，该IC封装防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统，包括：布置在芯片封装基板的第一侧上的第一高功率芯片；以及嵌入在所述芯片封装基板中并且电连接至所述第一高功率芯片的第一低功率芯片，其中所述高功率芯片在正常操作期间生成至少10W的热量，并且所述低功率芯片在正常操作期间生成少于5W的热量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：亚伯拉罕·F·叶，乔·格雷科，尤恩·翟，约瑟夫·米纳卡佩利，约翰·Y·陈，
申请(专利权)人：辉达公司，
类型：发明
国别省市：