光电耦合器制造技术

技术编号:8342998 阅读:225 留言:0更新日期:2013-02-16 21:43
本实用新型专利技术提供光电耦合器。其能够进行低高度化且能够减少零件个数。该光电耦合器包括:布线基板(1)、接合在布线基板的表面(1a)上的I?R发光装置(60)、接合在布线基板的表面上的与IR发光装置分开的位置的IR受光装置(50),在布线基板的表面上,具有IR发光装置的发光部(61)的发光面(61a)与具有IR受光装置的光学滤光器(20)的受光面(20a)相对。IR发光装置与受光装置不是上下方向的位置关系,而是水平方向的位置关系,因此,能够减小光电耦合器的高度。另外,从发光面输出的光不会经由凹状的反射面等,而是直接向受光面入射,因此,不需要凹状的反射面等,能够减少零件个数。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电耦合器
技术介绍
作为这种现有技术,例如存在专利文献I所公开的技术。在该文献中公开了如该专利文献的图5所示那样,使发光元件的发光面与受光元件的受光面在遮光性树脂内在上下方向上相对的结构的光电I禹合器(以下,称为现有例I)。另外,在该专利文献I的图I中公开了使发光元件的发光面和受光元件的受光面分别朝向上方向并且在上述发光元件和受光元件的上方配置有凹状的反射面的结构的光 电耦合器(以下,称为现有例2)。在该现有例2中,遮光性树脂的下表面为凹状的反射面,从发光元件的发光面发出的光经过在该凹状的反射面发生的两次反射而到达受光元件的受光面。专利文献I :日本特开2001-358361号公报然而,在上述的现有例I中,发光元件与受光元件在遮光性树脂内的位置关系是上下方向,因此,存在光电耦合器的高度变大这样的问题。而在现有例2中,发光元件和受光元件配置在绝缘性基板的一个表面上,因此,与现有例I相比,现有例2具有能够减小封装的高度的可能性。但是,在现有例2中,为了确保从发光元件的发光面到受光元件的受光面的光路,需要凹状的反射面,相应地存在零件个数较多这样的问题。这样,在现有例1、2中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电耦合器,其特征在于,该光电耦合器包括:布线基板;发光装置,其接合在上述布线基板的一个面上;受光装置,其接合在上述布线基板的一个面上的与上述发光装置分开的位置,在上述布线基板的一个面上,上述发光装置的发光面与上述受光装置的受光面相对。

【技术特征摘要】
2011.03.18 JP 2011-0612971.一种光电稱合器,其特征在于, 该光电稱合器包括 布线基板; 发光装置,其接合在上述布线基板的一个面上; 受光装置,其接合在上述布线基板的一个面上的与上述发光装置分开的位置, 在上述布线基板的一个面上,上述发光装置的发光面与上述受光装置的受光面相对。2.根据权利要求I所述的光电耦合器,其特征在于, 上述受光装置具有 用于检测光的受光元件; 具有贯通部的引线框; 引线; 密封部, 在该光电耦合器中,上述受光元件配置在上述引线框的上述贯通部中,上述受光元件的光电转换部与上述弓I线框被上述弓I线电连接起来, 上述受光元件的受光面自上述密封部的面向上述发光装置一侧的面暴露出, 而且,在受光装置的接合在上述布线基板的一个面上的被接合面上,上述引线框的侧面作为以立式安装的方式与上述布线基板电连接的多个端子部自上述被接合面暴露出。3.根据权利要求2所述的光电耦合器,其特征在于, 各个上述多个端子部以在俯视观察时在上述被接合面的一侧和隔着上述被接合面的中心位于与上述一侧相反一侧的另一侧彼此对称的方式配置。4.根据权利要求2所述的光电耦合器,其特征在于, 上述受光装置还具有 盖体,其安装于上述密封部; 光学滤光器,其用于覆盖上述受光元件的受光面, 在上述盖体中设有贯通的开口部,上述光学滤光器收容在上述开口部内。5.根据权利要求3所述的光电耦合器,其特征在于, 上述受光装置还具有 盖体,其安装于上述密封部; 光学滤光器,其用于覆盖上述受光元件的受光面, 在上述盖体中设有贯通的开口部,上述光学滤光器收容在上述开口部内。6.根据权利要求2 5中的任一项所述的光电稱合器,其特征在于, 上述引线框包括 第I引线框,其具有第I贯通部; 第2引线框,其具有第2贯通部, 上述第I引线框配置在上述第2引线框上,上述第I贯通部与上述第2贯通部在俯视观察时相重合, 作为上述贯通部,以在上述第I贯通部与上述第2贯通部在俯视观察时相重合的区域中配置有上述受光元件的状态成形有上述密封部, 上述第I引线框的第I侧面和上述第2引线框的第2侧面作为上述多个端子部分别自成形的上述密封部的上述被接合面暴露出。7.根据权利要求4或5所述的光电耦合器,其特征在于, 上述受光元件包括第I受光元件和第2受光元件, 上述光学滤光器包括第I光学滤光器、特性与上述第I光学滤光器的特性不同的第2光学滤光器, 上述贯通部包括第I区域、位置与上述第I区域...

【专利技术属性】
技术研发人员:福中敏昭德尾圣一
申请(专利权)人:旭化成微电子株式会社
类型:实用新型
国别省市:

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