一种适用于静态随机存储器的冗余容错内建自修复方法技术

本发明专利技术提供一种适用于静态随机存储器的冗余容错内建自修复方法，该方法对传统的内建自修复算法提出了改进，加入了冗余测试模块和失效冗余地址屏蔽模块，解决了传统内建自修复算法在冗余地址失效时，无法正确修复的缺陷。冗余测试模块先对冗余地址测试，如果被测试的冗余地址失效，则将其失效标志位置为1，默认为0。待冗余测试结束时，每一个冗余地址都得到它的失效标志位。此时失效冗余地址屏蔽模块工作，对冗余地址进行分析，如果该冗余地址失效标志位为0，则将该冗余地址存入有效冗余地址寄存器内，否则，将其屏蔽掉，不存入。经过对失效的冗余地址屏蔽后，就可以保证自修复地址替换时，每一个被替换的冗余地址都是有效的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器的内建自修复算法领域，特别涉及。
技术介绍
嵌入式静态随机存储器(SRAM)由于其高速性能而被广泛用于SOC中。根据国际半导体技术蓝图(ITRS)预测，SOC系统中嵌入式SRAM所占面积比例将不断变大，到2014年将提升到94%。由于工艺缺陷等原因，导致S R AM的良率降低。S R AM内建自修复(BISR)是一种有效的修复方法。BISR的自修复功能，是通过将SRAM的一部分主地址作为冗余地址使用，当主地址失效时，BISR使用冗余地址替 换失效地址来实现的。传统的BI SR直接对主地址进行测试，如果主地址发生失效，即通过冗余地址替换来达到修复的目的。然而，当冗余本身出现失效时，通过将常规的发生错误的地址用冗余地址替换，并不能修复失效，因为被替换的冗余地址，仍然是失效的。因此，传统的内建自修复算法存在缺陷，对S R A M的良率提升是有限的。因此，设计一种对冗余具有容错功能的内建自修复算法，对提高嵌入式SRAM的良率，是十分有意义的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出，以解决上述技术问题。本专利技术方法对传统的内建自修复算法提出了改进，加入了冗余测试模块和失效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于静态随机存储器的冗余容错内建自修复方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、首先，进行复位操作，对SRAM内建自修复算法中所有的寄存器初始化；2）、进入冗余测试，对SRAM冗余地址执行March?C?算法；获取冗余地址失效标志位；3）、分析冗余地址的失效标志位，屏蔽失效的冗余地址，存储有效的冗余地址。

【技术特征摘要】
1.一种适用于静态随机存储器的冗余容错内建自修复方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)、首先，进行复位操作，对SRAM内建自修复算法中所有的寄存器初始化； 2)、进入冗余测试，对SRAM冗余地址执行MarchC-算法；获取冗余地址失效标志位； 3)、分析冗余地址的失效标志位，屏蔽失效的冗余地址，存储有效的冗余地址。2.如权利要求1所述的一种适用于静态随机存储器的冗余容错内建自修复方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤: 4)、进行主测试，对SRAM主地址执行MarchC-算法；在主测试中，存储检测到的失效主地址，并计数；没有失效，则结束测试；有失效，并且溢出，则结束测试；有失效，但没有溢出，则进入修复和测试； 5)、在修复和测试中，用有效冗余地址替换失效主地址,再次对主地址执行一次MarchC-算法；如果有错误，则提示有错误，测试结束；如果没有错误，则提示没有错误，测试结束。3.如权利要求1所述的一种适用于静态随机存储器的冗余容错内建自修复方法，其特征在于，步骤2)具体包括以下步骤:对SRAM冗余地址执行MarchC-算法，对每个冗余地址进行测...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊保玉，拜福君，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：