基于多符号多清理周期分析的抢先存储器修复方法和系统技术方案

在一些示范性实施例中，一种方法包括跨多个清理周期的一个清理周期地进行存储器的存储器清理。该方法包括识别作为响应于存储器清理来自存储器的区段中的存取的结果的、存储器中的符号的可纠正错误。该方法还包括跨多个清理周期地进行分析，其中分析的进行包含确定跨多个清理周期的至少两个符号是否含有至少一个可纠正错误。该方法包括响应于确定跨多个清理周期的至少两个符号含有至少一个可纠正错误，进行包括所述存储器的区段的存储器的至少一个修复。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主题的实施例一般涉及计算机领域，尤其涉及计算机、装置、设备等的存储器的抢先修复。
技术介绍
现代计算机系统典型地配置有大量存储器，以便将数据和指令提供给计算机系统中的一个或多个处理器。历史上，处理器速度已经比大部分存储器，尤其是DRAM存储器(动态随机存取存储器)的存储器存取时间更迅速地提高。为了减小处理器与存储器之间的性能失配，已经构造多存储器层级。例如，大多数现代处理器被构造成含有由处理器半导体芯 片上的SRAM (静态随机存取存储器)构成的LI (I级)高速缓存。LI高速缓存非常快，只在处理器的一个或几个周期中提供读写。然而，LI高速缓存虽然非常快，但也相当小，大概64KB (千字节)到256KB。通常还在处理器芯片上实现L2 (2级)高速缓存。L2高速缓存典型地也使用SRAM存储构成，虽然一些处理器利用DRAM存储。L2高速缓存通常比LI高速缓存大几倍字节数，但读写较慢。一些现代处理器芯片还包含L3 (3级)高速缓存。L3高速缓存能够保存比L2高速缓存大几倍的数据。L3高速缓存有时利用DRAM存储构成。一些计算机系统中的L3高速缓存被实现在与处理器分开的一个或多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修复存储器的方法，其包含：跨多个清理周期的一个清理周期地进行存储器的存储器清理；识别作为响应于存储器清理来自存储器的区段的存取的结果的、存储器中的符号的可纠正错误；跨多个清理周期地进行分析，其中分析的进行包含确定跨多个清理周期的至少两个符号是否含有至少一个可纠正错误；以及响应于确定跨多个清理周期的至少两个符号含有至少一个可纠正错误，进行包括所述存储器的区段的存储器的至少一个修复。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JW卡曼，MA戈鲁布，A卡恩杜尔，J帕特尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：