防塌丝多芯片集成电路引线框架制造技术

技术编号:8581509 阅读:198 留言:0更新日期:2013-04-15 05:17
本实用新型专利技术涉及一种防塌丝多芯片集成电路引线框架,它包括第一基岛(1)、第二基岛(2)以及多个内引脚(3),其特征在于所述第一基岛(1)的左半部向下延伸,所述第二基岛(2)的右半部向上延伸,所述第一基岛(1)向下延伸的部分与第二基岛(2)向上延伸的部分错位布置。本实用新型专利技术通过第一基岛以及第二基岛结构的变化,可以减少粘贴在其表面芯片间的距离,减小连接引线的长度,从而使得在作业过程中不容易出现塌丝现象,降低了作业的难度,产品可靠性较高。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种防塌丝多芯片集成电路引线框架,属于半导体封装行业。
技术介绍
如图1所示,传统的多芯片集成电路引线框架包括第一基岛1、第二基岛2以及多个内引脚5,第一基岛I用于粘贴第一芯片3,第二基岛2用于粘贴第二芯片4,第一芯片3与第二芯片之间的连接引线6非常长,在作业过程中容易出现塌丝现象,增加了作业的难度,且其破断力远远低于其他连接引线,对产品的质量及可靠性存在潜在风险。因此寻求一种产品可靠性较高,降低作业难度的防塌丝多芯片集成电路引线框架尤为重要。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足,提供一种防塌丝多芯片集成电路引线框架,使得产品可靠性较高,降低作业难度。本技术的目的是这样实现的一种防塌丝多芯片集成电路引线框架,它包括第一基岛、第二基岛以及多个内引脚,所述第一基岛的左半部向下延伸,所述第二基岛的右半部向上延伸,所述第一基岛向下延伸的部分与第二基岛向上延伸的部分错位布置。与现有技术相比,本技术的有益效果是本技术通过第一基岛以及第二基岛结构的变化,可以减少粘贴在其表面芯片间的距离,减小连接引线的长度,从而使得在作 业过程中不容易出现塌丝现象,降低了作业的难度,产品可靠性较高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防塌丝多芯片集成电路引线框架,它包括第一基岛(1)、第二基岛(2)以及多个内引脚(3),其特征在于所述第一基岛(1)的左半部向下延伸,所述第二基岛(2)的右半部向上延伸,所述第一基岛(1)向下延伸的部分与第二基岛(2)向上延伸的部分错位布置。

【技术特征摘要】
1. ー种防塌丝多芯片集成电路引线框架,它包括第一基岛(I)、第二基岛(2)以及多个内引脚(3),其特征在于所述第一基岛(I)...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴志勇
申请(专利权)人:江阴苏阳电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1