双层金属框架内置电感集成电路制造技术

技术编号:8581508 阅读:198 留言:0更新日期:2013-04-15 05:17
本实用新型专利技术公开了一种双层金属框架内置电感集成电路,有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料,芯片固定于第一个金属引线框架上,合金磁芯放置于电感器内部,电感器放置于第二个金属框架内部,第二个金属框架接地,芯片、电感器、合金磁芯及两个金属框架均设置在封装材料内部。将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。第二个接地的金属框架包裹电感器提供了磁屏蔽,有效地降低了电感器对芯片的磁干扰,提升了系统的整体性能。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子技术中的元器件,是ー种集成电路,具体地说,是双层金属框架内置电感集成电路。技术背景 电感是电子技术中不可缺少的元器件。随着电子产品不断朝小型化、低功耗方向发展的趋势,电子电路同步地朝着高密度、小型化方向发展。目前,电感在电子电路中是以分立器件的形式存在的,不但占用了电路的面积,而且需要単独的安装步骤。集成电路中芯片与封装材料的外周有较大的可利用空间,将电感与芯片一起封装,不但节约电路的面积,而且节省了安装的步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供ー种将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,降低整体成本的集成电路。本专利技术的技术解决方案是—种双层金属框架内置电感集成电路,有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料,芯片固定于第一个金属引线框架上,合金磁芯放置于电感器内部,电感器放置于第二个金属框架内部,第二个金属框架接地,芯片、电感器、合金磁芯及两个金属框架均设置在封装材料内部。电感置于芯片的周围,电感线圈环绕的平面与芯片摆放的平面呈0度至180度之间的任何角度。电感的个数至少为ー个;当电感为多个时,电感的连接方法为串联、并联、既有串联又有并联或者各自独立与芯片连接。双层金属框架内置电感集成电路,其特征是合金磁芯的部分或者整体为使用含3%至15% (重量百分比)硅的硅铝铁合金或是其他种类的高磁通磁芯粉。双层金属框架内置电感集成电路,其特征是封装材料是封装塑料、硅的氧化物及硅酸盐、陶瓷或其他任意一种绝缘材料。双层金属框架内置电感集成电路,芯片、电感用胶或其它方式固定于金属引线框架上,封装材料密封后对电感起二次绝缘保护的作用。本专利技术将电感器与芯片一起封装,节省了安装步骤,同时还提高系统集成度,降低系统的整体成本。放置于电感器内部的合金磁芯增强了电感器的电感系数,减小了所需电感器的体积。第二个接地的金属框架包裹电感器提供了磁屏蔽,有效地降低了电感器对芯片的磁干扰,提升了系统的整体性能。附图说明图1为本专利技术的一种双层金属框架内置电感集成电路的结构示意图。具体实施方式—种双层金属框架内置电感集成电路,有第一个金属框架1、芯片2、电感器3、合金磁芯4、第二个金属框架6和封装材料5,第一个金属框架1、芯片2、电感3、合金磁芯4、和第二个金属框架6均设置在封装材料5内部。芯片2固定于第一个金属引线框架I上,合金磁芯4设置在电感3内部,电感3设置在第二个金属框架6内部。电感3置于芯片2的周围,电感3线圈环绕的平面与芯片2摆放的平面呈0度至180度之间的任何角度。电感3的个数至少为ー个;当电感3为多个时(如图1所示),电感3的连接方法为串联、并联、既有串联又有并联或者各自独立与芯片2连接。封装材料5是封装塑料、硅的氧化物及硅酸盐、陶瓷或其他任意一种绝缘材料。 合金磁芯的部分或者整体为含3%至15%硅的硅铝铁合金或是含有其他种类的高磁通磁芯粉。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双层金属框架内置电感集成电路,其特征是:有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料。芯片固定于第一个金属引线框架上,合金磁芯放置于电感器内部。电感器放置于第二个金属框架内部,第二个金属框架接地,芯片、电感器、合金磁芯及两个金属框架均设置在封装材料内部。

【技术特征摘要】
1.一种双层金属框架内置电感集成电路,其特征是有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料。芯片固定于第一个金属引线框...

【专利技术属性】
技术研发人员:李真
申请(专利权)人:苏州贝克微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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