可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架制造技术

本实用新型专利技术要解决的技术问题是提供一种可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架，由此，废旧利用，减少了企业设备投资。该引线框架是由十六个MOSFET管的基岛管脚单元通过与其管脚相垂直的连接条连接而成，所有基岛管脚单元并列设置在同一平面内，每相邻的两个基岛管脚单元之间设有便于切割的单元间隙，基岛管脚单元的栅极脚、源极脚和漏极脚的前端与焊接定位板相连。与现有技术相比，本实用新型专利技术由于对引线框架的结构尺寸进行了改进，使得企业在原有的制造三极管所用的焊线机设备上进行大功率MOSFET管焊线加工，既节约了设备投资，又提高了原有设备的利用率，还激励了员工自主创新的积极性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种MOSFET管的引线框架，特别涉及一种能够在三极管焊线机上进行焊接的用于制造MOSFET管的引线框架。
技术介绍
近年来，随着科技的飞速发展，具有大功率转换效率高的MOSFET (英文全称MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor,中文名为绝缘栅场效应管)器件正被越来越广泛的应用于汽车、玩具、节能灯及各种电源转换器等领域。如今的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用PFC (又称功率因数校正开关电路)技术外，在元器件的选用上，所用的开关管均采用性能优异的MOSFET管来取代过去的大功率晶体三极管，从而使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降，也因此， MOSFET管的市场占有率也越来越大。MOSFET管构造简介1、MOSFET管芯片的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极和源极。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOSFET管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。2、引线框架由基岛和栅极管脚、漏极管脚及源极管脚构成，生产时，将经切割加工好的上述芯片，在焊线机上，使用导热性良好的导电材料(如银胶或焊锡料等)将所述芯片焊接在引线框架的基岛上面，再将芯片通过金属导线(如铝线、金线或铜线)分别与所述的栅极管脚和源极管脚焊接相连，然后再将塑封料封胶体以压模方式填充于芯片及引线框架周围(通常采用具有一定导热性的塑封料)，接着对塑封好的产品成型，去除多余的载体部分，经测试参数合格即可。虽然MOSFET管和大功率晶体三极管在制造工艺上有一些相似之处，但因其在结构、特性方面存在本质的区别，因而现有技术中，MOSFET管的生产尤其是MOSFET管基岛、芯片和各极管脚(栅极、漏极和源极)的焊接均使用重新置备或引进的专业焊线机设备，如此，大大提高了企业的投资成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种可在三极管焊线机上进行焊接用于制造MOSFET管的引线框架，由此，废旧利用，减少了企业设备投资。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为本技术的可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架，该引线框架是由十六个MOSFET管的基岛管脚单元通过与其管脚相垂直的连接条连接而成，所有基岛管脚单元并列设置在同一平面内，每相邻的两个基岛管脚单元之间设有便于切割的单元间隙，基岛管脚单元的栅极脚、源极脚和漏极脚的前端与焊接定位板相连。所述基岛管脚单元由基岛和相互平行的栅极脚、源极脚及漏极脚构成，其中，漏极脚的里端与基岛的一个边相连接，栅极脚和源极脚分设于漏极脚的两侧，其间留有管脚间隙。所述单元间隙在2. 5mm至3. 5mm之间。所述基岛宽度为7. 5mm至8. 0mm。所述定位板上设有光测定位孔。与现有技术相比，本技术由于对引线框架的结构尺寸进行了改进，使得企业在原有的制造三极管所用的焊线机设备上进行大功率MOSFET管焊线加工，既节约了设备投资，又提高了原有设备的利用率，还激励了员工自主创新的积极性。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。附图说明图1为本技术的结构示图。说明书附图标记如下基岛管脚单元1、基岛11、连接条2、定位板3、定位孔31、单元间隙a、基岛宽度b、栅极脚G、源极脚S、漏极脚D。具体实施方式如图1所示，本技术的可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架，该引线框架是由16个MOSFET管的基岛管脚单元I构成，每个基岛管脚单元I均由基岛11和相互间平行的栅极脚G、源极脚S及漏极脚D构成,其中，基岛宽度b为7. 5mm至8. Omm,漏极脚D的里端(接近基岛一端为里端)与基岛11的一个边相连接，栅极脚G和源极脚S分设于漏极脚D的两侧，其间留有管脚间隙。每个MOSFET管的基岛管脚单元I连接在一根与各管脚相垂直的连接条2上，所有基岛管脚单元I并列设置在同一平面内，每相邻的两个基岛管脚单元I之间设有单元间隙a，每个单元间隙a在2. 5mm至3. 5mm之间，该单元间隙a既便于引线框架在三极管焊线机上自动焊接移动走位时与焊枪准确对位，又便于加工完成后，用切割机将其分离为单粒成品。为了利于焊接的自动化操作，基岛管脚单元I的栅极脚G、源极脚S和漏极脚D的前端与焊接定位板3相连，在该定位板3上设有光测定位孔31，三极管焊线机上的光测定位装置根据该定位孔31既可以准确无误地将芯片焊接在基岛11表面规定的位置，又可以将连接导线焊接于芯片上规定的区域与对应的各管脚之间。同样，待加工完成后，将定位板3除去即获得独立的单粒成品。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架，其特征在于：该引线框架是由十六个MOSFET管的基岛管脚单元（1）通过与其管脚相垂直的连接条（2）连接而成，所有基岛管脚单元（1）并列设置在同一平面内，每相邻的两个基岛管脚单元（1）之间设有便于切割的单元间隙（a），基岛管脚单元（1）的栅极脚（G）、源极脚（S）和漏极脚（D）的前端与焊接定位板（3）相连。

【技术特征摘要】
1.一种可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架，其特征在于该引线框架是由十六个MOSFET管的基岛管脚单元(I)通过与其管脚相垂直的连接条(2)连接而成，所有基岛管脚单元(I)并列设置在同一平面内，每相邻的两个基岛管脚单元(I)之间设有便于切割的单元间隙(a)，基岛管脚单元(I)的栅极脚(G)、源极脚(S)和漏极脚(D)的前端与焊接定位板(3)相连。2.根据权利要求1所述的可用三极管焊线机焊接的MOSFET管的引线框架，其特征在于所述基岛管脚单元(I)由基岛(11)和相互平行的栅极脚(G)、源极脚(S)及漏极脚(D)...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫光，
申请(专利权)人：深圳市贵鸿达电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：