引线框架及其制造方法、半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了引线框架及其制造方法、半导体器件及其制造方法，其中，可以在不需要额外制造步骤的情况下得知切割之后每个半导体器件的单位引线框架在切割之前在引线框架中所处的位置。引线框架包括多个单位引线框架，每个单位引线框架均具有管芯焊盘、耦合到管芯焊盘的悬挂引线，以及在管芯焊盘周围形成的引线。在管芯焊盘、悬挂引线和引线中的至少一种中形成识别标记，该识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种。第一单位引线框架的识别标记和第二单位引线框架的识别标记至少就于单位引线框架中的位置或形状而言是彼此不同的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及引线框架、半导体器件、制造引线框架的方法和制造半导体器件的方法。
技术介绍
QFN (方形扁平无引线)封装或SON (小外形无引线)封装的引线框架是已知的，在 该引线框架中，形成每个均具有一个管芯焊盘的多个单位引线框架。在使用这种引线框架的封装工艺中，将半导体元件安装到单位引线框架中的每一个上，之后将其树脂密封并且切割成单独的单位引线框架。在使用这种类型的引线框架的技术中，期望的是，提供一种得知每个单独半导体器件的单位引线框架在切割之后处于切割之前的引线框架中的何处的方法。日本未审查专利公开No. 2004-193189公开了一种技术，对于在承载多个单位引线框架的引线框架中的每个半导体芯片，存储了该半导体芯片的识别码、承载半导体芯片的引线框架的识别信息、关于半导体芯片在引线框架中的位置以及它们相互关系的信息，并且将与半导体芯片相关的引线框架的识别信息和关于半导体芯片在引线框架中的位置的信息印刷在半导体芯片封装的背面上。日本未审查专利公开No. 2003-124365描述了提供半导体集成电路芯片管理信息的方法，该方法包括以下步骤对于形成在半导体晶片中的多个半导体集成电路芯片中的每一个，记录与半导体集成电路芯片的制造工艺相关的管理信息(芯片生产的日期和时间、批号、晶片编号和芯片在晶片中的位置等)；以及当将从半导体晶片分离的半导体集成电路芯片安装在引线框架上时，将管理信息印刷在安装有半导体集成电路芯片的区域的附近的引线框架上。日本未审查的专利公开No. 2001-127236描述了通过以下步骤生产IC封装利用透明树脂密封接片(tab)、内引线和安装在接片上的IC芯片，其中，内引线具有印刷区，并且将代表制造商的标记、代表产品型号的标记和/或代表制造批号的标记印刷在该印刷区中。日本未审查的专利公开No.平5(1993)-36739描述了一种半导体器件制造设备，该设备将半导体颗粒(pellet)接合到引线框架并且包括印刷机模块，该印刷机模块用于将接合管芯的颗粒的记录印刷在其上安装有该颗粒的引线框架的背面上。
技术实现思路
然而，当如以上现有技术中将某些信息印刷在封装的背部或引线框架的给定区域中时，必须增加印刷信息的步骤。根据本专利技术的第一方面，提供了一种引线框架，在该引线框架中形成多个单位引线框架，每个单位引线框架均包括管芯焊盘；悬挂引线，其耦合到管芯焊盘；引线框架保持件，其耦合到悬挂引线；以及引线，其具有耦合到引线框架保持件的一端。这里，在管芯焊盘、悬挂引线和引线中的至少一种中形成识别标记，该识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种。单位引线框架中的第一单位引线框架的识别标记和单位引线框架中的第二单位引线框架的识别标记至少就于单位引线框架中的位置或形状而言是彼此不同的。根据本专利技术的第二方面，提供了一种制造引线框架的方法，该方法包括步骤设置金属板；并且在于金属板的表面上设置具有给定图案的掩膜之后，进行蚀刻，以去除金属板的一部分。将掩膜的给定图案设计为形成引线框架，在该引线框架中形成多个单位引线框架，每个单位引线框架具有管芯焊盘、耦合到管芯焊盘的悬挂引线和形成在管芯焊盘周围的引线。这里，在管芯焊盘、悬挂引线和引线中的至少一种中形成识别标记，该识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种。单位引线框架中的第一单位引线框架的识别标记和单位引线框架中的第二单位引线框架的识别标记至少就于单位引线框架中的位置或形 状而言是彼此不同的。优选地，在半导体器件中，将半导体元件安装在引线框架中的单位引线框架中的每一个上。根据本专利技术的第三方面，提供了一种半导体器件，半导体器件包括单位引线框架，其具有管芯焊盘、耦合到管芯焊盘的悬挂引线和形成在管芯焊盘周围的引线；半导体元件，其安装在单位引线框架上；以及密封树脂，其用于密封单位引线框架和半导体元件。这里，在管芯焊盘、悬挂引线和引线中的至少一种中形成识别标记，该识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种。这里，多个半导体器件中的至少两个的识别标记至少就于单位引线框架中的位置或形状而言是彼此不同的。根据本专利技术的第四方面，提供了一种制造半导体器件的方法，方法包括以下步骤设置引线框架，在该引线框架中形成多个单位引线框架，每个单位引线框架都具有管芯焊盘、耦合到管芯焊盘的悬挂引线和形成在管芯焊盘周围的引线；在管芯焊盘中的每一个上安装半导体元件；在安装半导体元件之后，利用密封树脂密封单位引线框架和半导体元件；并且在密封单位引线框架和半导体元件之后，切割为单位引线框架。在引线框架中，在管芯焊盘、悬挂引线和引线中的至少一种中形成识别标记，该识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起的至少一种。单位引线框架中的第一单位引线框架的识别标记和单位引线框架中的第二单位引线框架的识别标记至少就于单位引线框架中的位置或形状而言是彼此不同的。在本专利技术中，通过蚀刻金属板形成引线框架，在该引线框架中形成多个单位引线框架，每个单位引线框架都具有管芯焊盘、耦合到管芯焊盘的悬挂引线和形成在管芯焊盘周围的引线。另外，在本专利技术中，通过与形成这些相同的蚀刻步骤，在管芯焊盘、悬挂引线和引线框架保持件中的至少一种中形成作为识别标记的穿透沟槽、凹陷和凸起的至少一种。根据本专利技术，可以在不需要额外制造步骤的情况下，为单位引线框架赋予识别标记。因此，可以得知切割之后每个单独的半导体器件的单位引线框架在切割之前在引线框架中所处的位置。根据本专利技术，可以在不需要额外制造步骤的情况下，得知切割之后每个单独的半导体器件的单位引线框架在切割之前在引线框架中所处的位置。附图说明图1是示意性示出根据本专利技术的实施例的引线框架的基本部件的平面图；图2A至图2D是示意性示出根据实施例的单位引线框架的基本部件的平面图；图3A和图3B示出根据实施例的单位引线框架，其中，图3A是示意性平面图并且图3B是截面·图4是示出根据实施例的制造引线框架的方法的流程图；图5是示意性示出根据实施例的半导体器件的截面图；图6是示出根据实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图7A至图7E示出根据实施例的制造半导体器件的方法的工作流程；图8是示意性示出根据实施例的引线框架的基本部件的平面图；图9A至图9D是示意性示出根据实施例的单位引线框架的基本部件的平面图；图1OA至图1OC是示意性示出根据实施例的单位引线框架的基本部件的平面图；图1lA至图1lC是示意性示出根据实施例的单位引线框架的基本部件的平面图；图12A和图12B示出根据实施例的单位引线框架，其中，图12A是平面图并且图12B是截面图；图13是示意性示出根据实施例的半导体器件的截面图；图14A至图14C是示意性示出根据实施例的单位引线框架的基本部件的平面图；图15A至图15C是示意性示出根据实施例的单位引线框架的基本部件的平面图；图16A和图16B示出根据实施例的单位引线框架，其中，图16A是平面图并且图16B是截面图；以及图17是示意性示出根据实施例的半导体器件的截面图。具体实施例方式接着，将参照附图详细描述本专利技术的实施例。以下给出的所有结构图示意性示出本专利技术的实施例，并且就尺寸而言，各种构成元件是按照每个附图中使用的尺度比率示出的，并且除非另外指示，否则图示内容没有限定本专利技术的任何结构尺寸。利用相同的附图标记指示相同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架，所述引线框架包括在其中形成的多个单位引线框架，所述单位引线框架中的每一个包括：管芯焊盘；悬挂引线，所述悬挂引线耦合到所述管芯焊盘；以及引线，所述引线形成在所述管芯焊盘周围，其中，在所述管芯焊盘、所述悬挂引线和所述引线中的至少一种中形成识别标记，所述识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种，并且其中，所述单位引线框架中的第一单位引线框架的所述识别标记和所述单位引线框架中的第二单位引线框架的所述识别标记至少形状或在所述单位引线框架中的位置彼此不同。

【技术特征摘要】
2011.09.21 JP 2011-2055211.一种引线框架，所述引线框架包括在其中形成的多个单位引线框架，所述单位引线框架中的每一个包括管芯焊盘；悬挂引线，所述悬挂引线耦合到所述管芯焊盘；以及引线，所述弓丨线形成在所述管芯焊盘周围，其中，在所述管芯焊盘、所述悬挂引线和所述引线中的至少一种中形成识别标记，所述识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种，并且其中，所述单位引线框架中的第一单位引线框架的所述识别标记和所述单位引线框架中的第二单位引线框架的所述识别标记至少形状或在所述单位引线框架中的位置彼此不同。2.根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述识别标记包括在所述管芯焊盘、所述悬挂引线和所述引线中的至少一种的表面中制成的凹陷和凸起中的至少一种，并且其中，在将半导体元件安装在所述单位引线框架上方时，所述表面处于设置有所述半导体元件的一侧上。3.根据权利要求2所述的引线框架，其中，在其上方安装有所述半导体元件的所述单位引线框架的平面图中，所述凹陷或所述凸起的至少一部分没有与所述半导体元件重叠。4.根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述管芯焊盘、所述悬挂引线和所述引线中的至少一种具有作为凹陷的薄壁部分，其处于在将半导体元件安装在所述单位引线框架上方时在没有设置所述半导体元件的一侧上的表面的一部分中，并且其中，所述识别标记包括通过去除所述薄壁部分的一部分而制成的穿透沟槽。5.根据权利要求4所述的引线框架，其中，所述引线框架包括多个块，每个所述块具有多个所述单位引线框架，并且所述第一单位引线框架和所述第二单位引线框架两者都位于所述块中的一个中。6.根据权利要求5所述的引线框架，其中，所述单位引线框架在所述块中布置成栅格图案，并且其中，在所述块中处于相同位置的所述单位引线框架的所述识别标记的形状和在所述单位引线框架中的位置相同。7.根据权利要求6所述的引线框架，其中，在所述块中位于所述第一单位引线框架的右侧的所述单位引线框架的所述识别标记在所述单位引线框架中的位置处于所述第一单位引线框架的所述识别标记在所述单位引线框架中的位置的右侧。8.根据权利要求7所述的引线框架，其中，在所述块中位于所述第一单位引线框架的下方的所述单位引线框架的所述识别标记在所述单位引线框架中的位置处于所述第一单位引线框架的所述识别标记在所述单位引线框架中的位置的下方。9.根据权利要求1所述的引线框架，其中，半导体元件被安装在所述引线框架的所述单位引线框架中的每一个的上方。10.根据权利要求8所述的引线框架，其中，半导体元件被安装在所述引线框架的所述单位引线框架中的每一个的上方。11.一种半导体器件，包括单位引线框架，所述单位引线框架具有管芯焊盘、耦合到所述管芯焊盘的悬挂引线和形成在所述管芯焊盘周围的引线；半导体元件，所述半导体元件被安装在所述单位引线框架的所述管芯焊盘上方；以及密封树脂，所述密封树脂用于密封所述单位引线框架和所述半导体元件，其中，在所述管芯焊盘、所述悬挂引线和所述引线中的至少一种中形成识别标记，所述识别标记包括穿透沟槽、凹陷和凸起中的至少一种，并且其中，多个所述半导体器件中的至少两个的所述识别标记至少形状或在所述单位引线框架中的位置彼此不同。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述半导体器件中的至少两个的所述识别标记的形状和在所述单位引线框架中的位置相同。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森冈宗知，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：