一种高功率高密度半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种高功率高密度半导体器件；其结构包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接；本实用新型专利技术采用了铜线连接，降低了企业制造高功率高密度半导体器件的成本，同时，又增加了产品的导电性，极大地降低通电状态的电阻，减少功耗，也降低了产品的散热量，延长了产品的使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种高功率高密度半导体器件
本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种高功率高密度半导体器件。技术背景电子产品朝向设计复杂、尺寸小、重量轻及人性化方面发展，以致于需要在一个小小的半导体器件上集成的电路越来越多，从而导致了形成一种高功率高密度半导体器件的急迫需求。在现有技术中，高功率高密度的半导体器件内的半导体芯片与引线框架的管脚是通过金线连接的，随着半导体工业的高度发展，电子及半导体器件广泛地应用于日常生活中，如娱乐、教育、交通运输及家电用品等方面，对高功率高密度半导体器件的需求非常大， 而采用金线的成本很高，因此，这就需要寻找一种低成本的高功率高密度半导体器件。
技术实现思路
本技术的目的在于避免上述现有技术中存在的高成本的问题而提供一种低成本的高功率高密度半导体器件。本技术的目的通过以下技术方案实现提供了一种高功率高密度半导体器件，包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接。其中，所述半导体芯片包括有三个，三个所述半导体芯片之间均通过铜线连接。其中，所述封装胶体还设有散热层。其中，所述散热层设为三块散热板。其中，所述散热板放置的区域与所述半导体芯片放置的位置相对应。本技术的有益效果本技术一种高功率高密度半导体器件，包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载在所述引线框架，所述半导体芯片封装在所述封装胶体内，所述半导体芯片与所述引线框架的管脚通过铜线连接，采用了铜线连接，降低了企业制造高功率高密度半导体器件的成本，同时，又增加了产品的导电性，极大地降低通电状态的电阻，减少功耗，也降低了产品的散热量，延长了产品的使用寿命。附图说明利用附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。图1为本技术的一种高功率高密度半导体器件的结构示意图。图2为本技术的一种高功率高密度半导体器件的另一视角的结构示意图。图3为本技术的一种高功率高密度半导体器件的内部结构示意图。附图标记1-半导体芯片、2-管脚、3-封装胶体、4-铜线、5-散热板。具体实施方式结合附图及以下实施例对本技术作进一步描述。本技术的一种高功率高密度半导体器件的具体实施方式，如图1、图2和图3 所示，包括有封装胶体3、若干个半导体芯片I和引线框架，所述半导体芯片I装载于所述引线框架，所述半导体芯片I封装于所述封装胶体3内，所述半导体芯片I与所述引线框架的管脚2之间通过铜线4连接。采用了铜线4连接，降低了企业制造高功率高密度半导体器件的成本，同时，又增加了产品的导电性，极大地降低通电状态的电阻，减少功耗，也降低了产品的散热量，延长了产品的使用寿命。所述半导体芯片包括有三个，三个所述半导体芯片之间均通过铜线4连接，器件内部也采用铜线4进行连接，也可降低生产成本，同时，增强高功率高密度半导体器件的导电性，提闻性能。所述封装胶体3还设有散热层，由于高功率高密度半导体器相对于一般的半导体器件，其集成的电路将更多，因此产生的热量也更多，在所述封装胶体3外侧加设散热层有利于高功率高密度半导体器的散热。其中，所述散热层设为三块散热板5，且所述散热板5放置的区域与所述半导体芯片放置的位置相对应，更有针 对性使用散热材料，实现最好的散热效果，同时也能避免散热材料的浪费，降低企业不必要的成本。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。权利要求1.一种高功率高密度半导体器件，包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，其特征在于 所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接。2.根据权利要求1所述的一种高功率高密度半导体器件，其特征在于所述半导体芯片包括有三个，三个所述半导体芯片之间均通过铜线连接。3.根据权利要求1所述的一种高功率高密度半导体器件，其特征在于所述封装胶体还设有散热层。4.根据权利要求3所述的一种高功率高密度半导体器件，其特征在于所述散热层设为三块散热板。5.根据权利要求4所述的一种高功率高密度半导体器件，其特征在于所述散热板放置的区域与所述半导体芯片放置的位置相对应。专利摘要本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种高功率高密度半导体器件；其结构包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接；本技术采用了铜线连接，降低了企业制造高功率高密度半导体器件的成本，同时，又增加了产品的导电性，极大地降低通电状态的电阻，减少功耗，也降低了产品的散热量，延长了产品的使用寿命。文档编号H01L23/31GK202839595SQ201220468989公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月14日 优先权日2012年9月14日专利技术者罗艳玲 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率高密度半导体器件，包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，其特征在于：所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳玲，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：实用新型
国别省市：