一种高功率高密度半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种高功率高密度半导体器件；其结构包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接；本实用新型专利技术采用了铜线连接，降低了企业制造高功率高密度半导体器件的成本，同时，又增加了产品的导电性，极大地降低通电状态的电阻，减少功耗，也降低了产品的散热量，延长了产品的使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种高功率高密度半导体器件
本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种高功率高密度半导体器件。技术背景电子产品朝向设计复杂、尺寸小、重量轻及人性化方面发展，以致于需要在一个小小的半导体器件上集成的电路越来越多，从而导致了形成一种高功率高密度半导体器件的急迫需求。在现有技术中，高功率高密度的半导体器件内的半导体芯片与引线框架的管脚是通过金线连接的，随着半导体工业的高度发展，电子及半导体器件广泛地应用于日常生活中，如娱乐、教育、交通运输及家电用品等方面，对高功率高密度半导体器件的需求非常大， 而采用金线的成本很高，因此，这就需要寻找一种低成本的高功率高密度半导体器件。
技术实现思路
本技术的目的在于避免上述现有技术中存在的高成本的问题而提供一种低成本的高功率高密度半导体器件。本技术的目的通过以下技术方案实现提供了一种高功率高密度半导体器件，包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接。其中，所述半导体芯片包括有三个，三个所述半导体芯片之间均通过铜线连接。其中，所述封本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率高密度半导体器件，包括有封装胶体、若干个半导体芯片和引线框架，所述半导体芯片装载于所述引线框架，所述半导体芯片封装于所述封装胶体内，其特征在于：所述半导体芯片与所述引线框架的管脚之间通过铜线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳玲，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：实用新型
国别省市：