一种存储器及其存储方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器，包括为正常工作模式设置的片上程序区与片上数据区；片上程序区与片上数据区互换使能管脚，提供片上程序区与片上数据区互换的使能信号；片上地址编码器或地址仲裁器模块，接收使能信号并输出访问片上程序区的程序区总线和访问片上数据区的数据区总线；第一选择器，具有一接收使能信号的选择端、接收程序区总线的输入端、接收数据区总线的输入端，及连接至该片上程序区的输出端；及第二选择器，具有一接收使能信号的选择端、接收程序区总线的输入端、接收数据区总线的输入端，及连接至该片上数据区的输出端。本发明专利技术具有测试灵活、客户代码密度高等诸多优点。本发明专利技术还公开了一种存储器的存储方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片测试领域，尤其涉及。
技术介绍
相变存储器测试是非易失性闪存存储器测试的一项主要内容。图1是一独立式相变存储器8的结构示意图；其中片上程序区80是用只读存储器(ROM，Read Only Memory)实现的，片上数据区82是用静态随机存储器(SRAM, StaticRandom Access Memory)实现的；而存储器阵列84则由相变存储器(PCM, Phase-Change Memory)实现。微控制器内核86访问片上程序区80、片上数据区82和片上寄存器区88，并通过片上寄存器区88的输出来访问片上存储器阵列84。事实上，片上程序区80通常选用ROM的原因是因为在封装和板级贴片的时候会在芯片上产生高温，而相变材料不耐高温，如果采用PCM的话，会使片上程序区80里的客户应用程序丢失。由于是只读存储器，一旦程序固化到用ROM做的片上程序区80中，片上程序区80里面的内容在封装后就固定了。这样导致的直接结果是片上程序区80不灵活，固定的程序只能测试固定的功能。如果以后在客户使用过程中发现了生产时没有测试到的问题，工厂就不能通过更改片上程序区80中的程序来测试新的问题，必须重新设计和制造芯片，写入新的测试程序来测试问题。这必然会花费额外的人力、物力、财力，极大的降低效率。另一方面，片上程序区80中有一部分写了工厂的测试代码，只有剩下的一部分是客户可用的。这意味着客户实际能用的片上程序区80的大小将小于实际的片上程序区80大小，客户代码密度降低。其它类型的存储器也存在类似问题。综上所述，在集成电路应用愈来愈广泛的前景下，如何克服存储器测试中存在的诸多问题，以提高测试灵活性和客户代码密度等亟需解决。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术中缺乏测试灵活性以及客户代码密度低等缺陷，提出了。本专利技术提出了一种存储器，包含微控制器内核，及为正常工作模式设置的片上程序区与片上数据区，所述微控制器内核可访问所述片上程序区与片上数据区；所述存储器进一步包含片上程序区与片上数据区互换使能管脚，其提供所述片上程序区与片上数据区互换的使能信号；片上地址编码器或地址仲裁器模块，其接收所述使能信号并输出访问所述片上程序区的程序区总线和访问所述片上数据区的数据区总线；第一选择器，其具有一接收使能信号的选择端、接收所述程序区总线的输入端、接收所述数据区总线的输入端，及连接至所述片上程序区的输出端；及第二选择器，其具有一接收使能信号的选择端、接收所述程序区总线的输入端、接收所述数据区总线的输入端，及连接至所述片上数据区的输出端。其中，当所述存储器进行测试时，所述使能管脚输出所述使能信号，测试程序将被下载到互换后的片上程序区；否则所述使能管脚悬空。其中，输出所述使能信号时，如果所述使能管脚内部带下拉，则所述使能管脚置高；如果所述使能管脚内部带上拉，则所述使能管脚置低。其中，如果所述存储器是独立式相变存储器，则为所述正常工作模式设置的所述片上程序区为只读存储器，所述片上数据区为静态随机访问存储器；如果所述存储器是嵌入式相变存储器，则为所述正常工作模式设置的所述片上程序区为相变存储器，所述片上数据区为静态随机访问存储器。其中，当接收到所述使能信号后，所述片上地址编码器或者地址仲裁器模块将输出的所述程序区总线中的地址与控制总线和数据区总线中的地址与控制总线互换。本专利技术还提出了一种存储器的存储方法，包含驱动所述使能管脚以产生所述使能信号；及将测试程序将被下载到互换后的片上程序区。其中，非测试时所述使能管脚悬空。其中，为产生所述使能信号，如果所述使能管脚内部带下拉，将所述使能管脚置高；如果所述使能管脚内部带上拉，将所述使能管脚置低。其中，如果所述存储器是独立式相变存储器，则为所述正常工作模式设置的所述片上程序区为只读存储器，所述片上数据区为静态随机访问存储器；如果所述存储器是嵌入式相变存储器，则为所述正常工作模式设置的所述片上程序区为相变存储器，所述片上数据区为静态随机访问存储器。其中，当接收到所述使能信号后，所述片上地址编码器或者地址仲裁器模块将输出的所述程序区总线中的地址与控制总线和数据区总线中的地址与控制总线互换。相较于现有技术，本专利技术的存储器及存储方法在需要时，如测试时可将片上程序区与数据区互换，从而可将测试程序下载至SRAM。避免了片上程序区使用ROM或PCM的缺点。从而具有测试灵活、客户代码密度高，不惧高温等诸多优点，提供了存储器的质量和稳定性。附图说明图1是一独立式相变存储器的结构示意图；图2是根据本专利技术一实施例的存储器的结构示意图；图3是根据本专利技术一实施的存储器的总线分配结构示意图；图4是根据本专利技术一实施例的存储器的测试和应用流程图；图5是根据本专利技术一实施例的嵌入式相变存储器的结构示意图。具体实施例方式结合以下具体实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明。实施本专利技术的过程、条件、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本专利技术没有特别限制内容。在芯片，如存储器大规模测试验证阶段，测试工厂会把某些大量测试代码下载到芯片的片上程序区里，由芯片内核执行测试代码，经寄存器输出而直接访问存储器阵列，而实现测试的目的。主要的测试内容包括读操作窗口冗余检测(Read Window Budget),相变存储器区老化测试，及数据保持性测试(data retention)等。现有的片上程序区在材料选择上多为ROM或PCM，然这两种配置皆不尽人意。就采用ROM的片上程序区而言，其只读存储的特点导致片上程序区不灵活且客户代码密度低；而就采用PCM的片上程序区而言，由于相变材料不耐高温，在封装和板级贴片时候产生的高温可能造成片上程序区里的客户应用程序丢失。根据本专利技术实施例的存储器及其存储方法通过在需要时，如测试时对片上程序区和片上数据区的配置区域进行互换，可解决上述问题。 图2是根据本专利技术一实施例的存储器200的结构示意图。如图2所示，该存储器200包含微控制器内核20、片上程序区22、片上数据区24、片上寄存器区26，及片上存储器阵列28。正常工作模式时，该片上程序区22由ROM实现，片上数据区24由SRAM实现；而存储器阵列28则由PCM实现。微控制器内核20可访问片上程序区22、片上数据区24和片上寄存器区26，并通过片上寄存器区26的输出来访问片上存储器阵列28。该存储器200进一步包含一个带上拉或者下拉的使能管脚29，用来提供片上程序区22和片上数据区24互换的使能信号。在非测试的使用期间，该管脚29悬空，不加载任何驱动，SRAM作为片上数据区24，ROM做片上程序区22正常使用。而在工厂测试的时候将该管脚置高(管脚内部带下拉)或将该管脚置低(管脚内部带上拉)，使原来的片上程序区22由ROM转成片上数据区24的SRAM，原来的片上数据区24由SRAM转成片上程序区22的ROM。S卩，正常的ROM片上程序区22转为测试时的SRAM片上程序区23，正常的SRAM片上数据区24转为测试时的ROM片上数据区25。如此，工厂测试时即可在SRAM的程序区写测试程序供测试相变存储阵列28使用。图3是根据本专利技术一实施的存储器的总线分配结构示意图。如图3所示，为互换片上R0M30和片上SRAM 32的用途，微控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，其特征在于，包含微控制器内核，及为正常工作模式设置的片上程序区与片上数据区，所述微控制器内核可访问所述片上程序区与片上数据区；所述存储器进一步包含：片上程序区与片上数据区互换使能管脚，其提供所述片上程序区与片上数据区互换的使能信号；片上地址编码器或地址仲裁器模块，其接收所述使能信号并输出访问所述片上程序区的程序区总线和访问所述片上数据区的数据区总线；第一选择器，其具有一接收使能信号的选择端、接收所述程序区总线的输入端、接收所述数据区总线的输入端，及连接至所述片上程序区的输出端；及第二选择器，其具有一接收使能信号的选择端、接收所述程序区总线的输入端、接收所述数据区总线的输入端，及连接至所述片上数据区的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包含微控制器内核，及为正常工作模式设置的片上程序区与片上数据区，所述微控制器内核可访问所述片上程序区与片上数据区；所述存储器进一步包含 片上程序区与片上数据区互换使能管脚，其提供所述片上程序区与片上数据区互换的使能信号； 片上地址编码器或地址仲裁器模块，其接收所述使能信号并输出访问所述片上程序区的程序区总线和访问所述片上数据区的数据区总线； 第一选择器，其具有一接收使能信号的选择端、接收所述程序区总线的输入端、接收所述数据区总线的输入端，及连接至所述片上程序区的输出端；及 第二选择器，其具有一接收使能信号的选择端、接收所述程序区总线的输入端、接收所述数据区总线的输入端，及连接至所述片上数据区的输出端。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述存储器进行测试时，所述使能管脚输出所述使能信号，测试程序将被下载到互换后的片上程序区；否则所述使能管脚悬空。3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，输出所述使能信号时，如果所述使能管脚内部带下拉，则所述使能管脚置高；如果所述使能管脚内部带上拉，则所述使能管脚置低。4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，如果所述存储器是独立式相变存储器，则为所述正常工作模式设置的所述片上程序区为只读存储器，所述片上数据区为静态随机访问存储器；如果...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：