NAND Flash芯片智能分析设备制造技术

一种NAND?Flash芯片智能分析设备，它由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。本实用新型专利技术相比使用传统测试工具，在分析Flash存储芯片总线信号方面，有了很大的进步和显著的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及数据恢复
，特别是一种NAND Flash芯片智能分析设备。
技术介绍
闪存(FLASH)器件是基于半导体工艺制作的集成电路芯片，具有防磁、抗震、耐潮、体积小等优异性能。作为固态存储介质的大容量数码存储芯片，比照传统磁记录和光盘存储器，NAND FLASH器件具有无机械结构、可反复擦写、速度快、功耗低等显著优点，目前已经在移动存储领域(例如U盘，MP3播放器，数码存储卡，固态硬盘等等)和嵌入式应用系统中成为无可争议的主角。这些Flash存储芯片相关的产品都会涉及到Flash总线信号。Flash总线信号指的是=Flash存储芯片上所有控制和数据信号的集合。对于Flash存储芯片相关的产品所会涉及到总线信号分析问题。目前一般采用的方法是使用传统的测试工具，比如逻辑分析 仪、示波器等。这些传统的测试工具，可以把Flash总线当作普通信号进行采样和分析，但是这样的采样和分析缺乏针对性，所以在分析Flash总线信号时需要通过以下两个步骤来实现=(I)Flash存储芯片总线信号采样；(2)Flash存储芯片总线信号分析。采用通用测试工具对Flash总线信号进行采样，不但信号采样十分不方便，而且由于存储深度的限制，所获取的信号量也是十分有限。信号分析过程是将采样后的信号，通过比对Flash总线信号接口协议，将信号解释成Flash的命令、地址、数据等总线信息。这一过程由于缺乏专业工具的支持，一般需要人工完成。另外对于一些更高的要求,如Flash擦除的均衡性、Flash读写分布情况等,几乎无法实现。针对Flash存储芯片总线信号的分析，不但需要将Flash存储芯片总线信号提取出来，而且需要将这些信号解析成Flash的命令、地址、数据等总线信息直观的反映出来。随着Flash存储芯片应用领域的不断拓展，针对Flash存储芯片总线信号分析的需求也随之增加。对于采用通用信号测试工具实现Flash存储芯片总线信号分析，已经越来越无法满足这样的需求。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足，本技术的目的是提供一种NAND Flash芯片智能分析设备。本技术的技术方案是一种NAND Flash芯片智能分析设备，它由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。作为优选技术方案，本技术的所述信号采样单元为采样探头，所述采样探头由接插件、导线、探针的一种或几种组成。作为优选技术方案，本技术的所述Flash接口协议模块为计算机的内存、RAM、ROM、EPROM 或 Flash。作为优选技术方案，本技术的所述信号显示单元为计算机的显示器、LCD或LED。作为优选技术方案，本技术的所述信号存储单元为硬盘、U盘或存储卡。本技术的有益效果是本技术相比使用传统测试工具，在分析Flash存储芯片总线信号方面，有了很大的进步和显著的优点。本技术搭建分析环境十分简便只要将Flash总线信号分 析工具的采样探头(如接插件、导线、探针等)直接和Flash总线信号相连即可。本技术的结构简单，操作简单、方便，成本低廉，易于推广使用。附图说明图I是本技术的结构示意图。图2是本技术其信号分析单元的结构示意图。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图I和图2，提出本技术的实施例1，本实施例是一种NANDFlash芯片智能分析设备，它由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。本技术通过采样探头(如接插件、导线、探针等)连接到被分析对象的Flash总线信号上，并按照一定的频率(一般大于Flash总线频率的2倍)对其进行采样。信号分析单元将采样采样单元送过来的信号分析、解释成Flash的命令、地址、数据等总线信息。Flash擦除均衡性分析单元用于分析Flash存储芯片的每个Block在应用过程中擦除的均匀度。本技术的所述Flash接口协议模块为计算机的内存、RAM、ROM、EPROM或Flash。本技术的所述信号显示单元为计算机的显示器、IXD或LED。信号显示单元将信号分析单元分析完成的数据，直观的显示出来。本技术的所述信号存储单元为硬盘、U盘或存储卡。以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此而限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。权利要求1.一种NAND Flash芯片智能分析设备，其特征在于由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。2.根据权利要求I所述的NANDFlash芯片智能分析设备，其特征在于所述信号采样单元为采样探头，所述采样探头由接插件、导线、探针的一种或几种组成。3.根据权利要求2所述的NANDFlash芯片智能分析设备,其特征在于所述Flash接口协议模块为计算机的内存、RAM、ROM、EPROM或Flash。4.根据权利要求3所述的NANDFlash芯片智能分析设备，其特征在于所述信号显示单元为计算机的显示器、IXD或LED。5.根据权利要求4所述的NANDFlash芯片智能分析设备，其特征在于所述信号存储单元为硬盘、U盘或存储卡。专利摘要一种NAND Flash芯片智能分析设备，它由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。本技术相比使用传统测试工具，在分析Flash存储芯片总线信号方面，有了很大的进步和显著的优点。文档编号G11C29/56GK202771809SQ20122029726公开日2013年3月6日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日专利技术者梁效宁, 许超明 申请人:内江市效率源信息安全技术有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND?Flash芯片智能分析设备，其特征在于：由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁效宁，许超明，
申请(专利权)人：内江市效率源信息安全技术有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：