一种分离发光二极管衬底的方法技术

本发明专利技术公开了一种分离发光二极管衬底的方法，包括步骤：提供一生长衬底；在所述生长衬底上形成第一半导体层，其呈倒置金字塔锥体阵列分布，各个单元相互分离；在所述第一半导体层之上形成发光外延层；湿法蚀刻所述呈倒置金字塔锥体阵列分布的第一半导体层，从而分离生长衬底。其为在倒置金字塔锥体阵列上上生长发光二极管外延层，将此结构置于可快速蚀刻此条状倒置金字塔锥体阵列材料的溶液里，藉由快速蚀刻此条状倒置金字塔锥之尖端而与原先衬底分离。

【技术实现步骤摘要】
一种分罔发光二极管衬底的方法
本专利技术属于半导体材料领域，具体涉及。
技术介绍
随着垂直导通型发光二极管(Vertical Conductive LED)的优越特性日渐被证实及量产，分离发光二极管组件衬底的技术即为发展此类组件的重要课题之一。通常分离光二极管组件衬底主要包括以下几种方式第一种为以激光(Laser)光束照射衬底以将其剥离，称之为激光剥离(Laser lift-off, LLO);第二种为以研磨方式(Polish)将衬底薄化结合干式蚀刻如ICP蚀刻之乃至完全移除；第三种为在衬底与底层材料之间插入一相对脆弱之材料，再施以机械应力破坏此层从而将衬底分离，称之为机械剥离(mechanical lift-off);第四种为先成长一牺牲层(Sacrificial Layer)于衬底与底层材料之间,此牺牲层与衬底具有高蚀刻选择比之特性，藉由蚀刻液将此牺牲层湿蚀刻至其与衬底分离，称之为化学剥离(chemical lift-off)。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一能以低成本且快速分离衬底之方法，其在倒置金字塔维体阵列上(Reverse Pyramid Stripe Arra本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分离发光二极管衬底的方法，包括步骤：提供一生长衬底；在所述生长衬底上形成第一半导体层，其呈倒置金字塔锥体阵列分布，各个单元相互分离；在所述第一半导体层之上形成发光外延层；湿法蚀刻所述呈倒置金字塔锥体阵列分布的第一半导体层，从而分离生长衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林文禹，叶孟欣，林科闯，李水清，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：