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本发明公开了一种分离发光二极管衬底的方法，包括步骤：提供一生长衬底；在所述生长衬底上形成第一半导体层，其呈倒置金字塔锥体阵列分布，各个单元相互分离；在所述第一半导体层之上形成发光外延层；湿法蚀刻所述呈倒置金字塔锥体阵列分布的第一半导体层，从...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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