一种控制阵列式高压LED侧壁倾斜角度的新工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种制造阵列式高压LED芯片(HV-LED)过程中控制侧壁倾斜角度的新工艺，通过湿法刻蚀的方法在二氧化硅掩膜的侧壁形成大角度倾斜，然后再复制到LED外延层上，实现HV-LED中微单元的倾斜侧壁结构。

【技术实现步骤摘要】
—种控制阵列式高压LED侧壁倾斜角度的新工艺
本专利涉及一种制造阵列式高压LED芯片(HV-LED)过程中控制侧壁倾斜角度的新工艺。
技术介绍
最近发展起来的阵列式高压LED芯片(HV-LED)技术采用了新型的微单元阵列结构，构成LED芯片的每一个微单元因为被通过离子束刻蚀形成的沟槽环绕，而独立发光，同时，相互之间又经金属桥联取得电流级联，通过串-并联组合的方式构成预先设计的电路结构，承载预定的交直流(高)电压，工作发光，因此，虽然单晶粒LED发光芯片驱动电压在 4V以内，HV-LED的阵列设计方案可以通过改变微单元的数量和串并联电路结构，满足更高的驱动电压要求。其功能和性价比大幅度超越了普通的半导体二极管光源由于无需(像普通二极管那样)通过恒定低压(< 4伏)直流(DC)供电，HV-LED芯片产品可以在没有任何额外变压稳流设施的条件下，直接连接10-220伏范围内的交直流(AC/DC)电源来实现驱动，·且具备高效、大功率、高功率因数校正、结构紧凑、散热优良、工作寿命长和低成本的特点，极大地扩展了 HV-LED芯片在市电照明、汽车灯具、航空舰船照明和仪表显示、以及医疗器械特殊光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造阵列式高压LED芯片(HV?LED)过程中控制侧壁倾斜角度的新工艺.其特征在于：通过湿法刻蚀的方法在二氧化硅掩膜的侧壁形成大角度倾斜，然后再复制到LED外延层上，实现HV?LED中微单元的倾斜侧壁结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆，
申请(专利权)人：张庆，
类型：发明
国别省市：