【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指。
技术介绍
从结构上讲，GaN基LED目前主要有正装结构、倒装结构以及垂直结构三种。其中， 垂直结构LED具有散热好、电流分布更加均匀、更可靠的优点。LED结构中的透明导电层主要采用ITO作为其电流扩展层，但是由于铟是一种稀有贵金属、ITO制备设备昂贵、易碎等技术和经济的原因，应用受到限制，因此，寻找新的透明导电材料至关重要。以石墨烯、碳纳米管等为代表的新型透明导电新型材料以其低廉的价格成为极佳选择，其在重量、强度、柔韧性、化学稳定性等方面均优于ΙΤ0。将这类新型材料用于LED器件结构中，使得LED具有可变形可弯曲的特点，应用的范围不再是固定在室内的某个地方而更具广泛多样性，同时， 器件造型和表面线条更为独特且多样化，可弯曲成各种图形或者文字，更具美感和人性化。 这种柔性结构的LED将成为未来LED发展的一大主流趋势。但是，这些新型材料仍存在着可靠性、大电流下的老化等问题，成为其得到广泛应用所应克服的难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种，该方法是将剥离后的氮极性GaN层在一定浓度一定温度的溶液中腐蚀一定时间，从...
【技术保护点】
一种制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底，及在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；步骤2：在p型GaN层上制备金属层；步骤3：在金属层上转移一衬底；步骤4：将外延结构中的蓝宝石衬底从非故意掺杂氮化镓层分离；步骤5：腐蚀，将非故意掺杂氮化镓层向下腐蚀，腐蚀深度到达金属层，形成分离金字塔型阵列；步骤6：在金字塔型阵列的侧面涂覆绝缘材料；步骤7：用等离子体处理涂覆绝缘材料，使金字塔型阵列上端的非故意掺杂氮化镓层暴露出来；步骤8：在涂覆绝缘材料和非故意掺杂氮化镓层的上面沉...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程滟，汪炼成，刘志强，伊晓燕，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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