【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别涉及一种垂直型的发光二极管的制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势，但是目前还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低。近年来，为了提高发光二极管的发光功率和效率，发展了垂直结构的发光二极管， 相对于正装结构的发光二极管来说，垂直结构的发光二极管诸多优点。对于正装结构的发光二极管而言，由于n、p电极都处于衬底的同一侧，因此电流须在同侧的n、p型电极之间横向流动，这样就导致电流拥挤，发热量高。而垂直结构发光二极管的两个电极分别处于发光二极管的两侧，电流几乎全部垂直流过外延层，没有横向流动的电流，因此电流分布均匀， 产生的热量相对较少。并且由于垂直结构的两个电极处于两侧，因此出光过程中不会受到同侧电极的阻挡，其出光效率更高。在发光二极管的实际工作过程中，当光离开二极管内部时，其无论如何都无法避免发生损耗，造成损耗的主要原因，是由于形成发光二极管表面层的半导体材料具有高折射系数。高的光折射系数会导致光在该半导体材料表面产生全反射，从而使发光二极管内部发出的光无法充分地发射出去...
【技术保护点】
一种垂直型发光二极管的制造方法，包括以下步骤：（1）在衬底上采用MOCVD外延生长GaN缓冲层；（2）利用碱性溶液对GaN缓冲层的表面进行腐蚀，从而在GaN缓冲层表面上形成纳米级的锯齿状的所述表面粗化层；（3）在GaN缓冲层被粗化的表面上采用MOCVD或者分子束磊晶工艺（MBE）来依次形成n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层；（4）在p型GaN层表面上旋涂光刻胶，利用光刻工艺对p型GaN层表面进行光刻，以便在p型GaN层的两侧形成凹槽；（5）利用溅镀工艺或者电子束蒸发工艺在p型GaN层两侧的凹槽上形成第一反射层和第二反射层；（6）对溅镀第一...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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