氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法技术

一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指一种。
技术介绍
由于发光二极管具有节能、环保，寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。目前，氮化物基发光二极管材料主要异质外延生长在蓝宝石、硅、碳化硅等衬底上。由于氮化镓材料的折射率与空气存在较大差别，在逃逸界面处发生的光全反射效应，使得发光二极管器件的光提取受到非常大的限制。T. Fujii，Y. Gao,等人在Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 855.提出了氮化镓基发光二极管 表面粗化技术来提高发光二极管的提取效率。在此之后，表面粗化是常用的提高发光二极管光提取效率的关键技术。但是，之前的表面粗化技术主要集中在P型氮化镓表面粗化、氧化铟锡透明导电层表面粗化、蓝宝石衬底背面粗化、氮化镓外延层的侧面粗化等。近年来，有人利用光子晶体的带隙结构提高发光二极管的出光效率，利用半导体工艺的方法制备出了光子晶体结构，从实验上验证了光子晶体提高发光二极管出光效率的效果。目前有多种加工光子晶体的方法，主要利用电子束曝光生成图形，利用反应离子束刻蚀(RIE)转移图形的方法。本技术采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，卢鹏志，耿雪妮，杨华，李璟，伊晓燕，王军喜，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：