一种含有硅和碳的Nb3Sn的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)：(1.8-1.95)：(0.025-0.2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。其制得的Nb3Sn超导材料具有高磁通钉扎能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超导材料的制备方法，尤其涉及一种掺杂Nb3Sn的制备方法。
技术介绍
Nb3Sn是目前实际应用的临界转变温度最高的金属间化合物超导材料。较高的转变温度、较大的相干长度、较高的上临界场、晶界不存在弱连接、结构简单、成本低廉等优点使Nb3Sn成为目前最常用的超导材料。特别是在低场领域，如在磁共振成像磁体应用方面，Nb3Sn表现了极大的优势。然而，目前制备的Nb3Sn材料的临界电流密度与低温超导体和A15超导体相比还比较低，而且会随着磁场强度的增加而急剧的减小。提高Nb3Sn的临界电流密度是本领域的一个难题，因为当电流通过超导体时就会产生电子涡旋，电子涡旋的运动消耗能量，进而破坏材料的超导能力。如果涡旋能钉扎在·杂质或缺陷上并且不影响无阻电流的流动，将可以大大提高临界电流密度。因此，为了提高Nb3Sn在一定磁场下的临界电流密度，可以采用中子轰击、化学腐蚀、机械加工、掺杂等方法，而由于掺杂具有更简便快速、能进行均匀改性等特点，成为目前提高Nb3Sn磁通钉扎能力的主要方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有Nb3Sn超导材料性能的不足，公开了一种Nb3Sn超导材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8?0.975)：(1.8?1.95)：(0.025?0.2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃?800℃保温1.5?3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，吕锁方，顾忠杰，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：