本发明专利技术公开了一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)：(1.8-1.95)：(0.025-0.2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。其制得的Nb3Sn超导材料具有高磁通钉扎能力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种超导材料的制备方法，尤其涉及一种掺杂Nb3Sn的制备方法。
技术介绍
Nb3Sn是目前实际应用的临界转变温度最高的金属间化合物超导材料。较高的转变温度、较大的相干长度、较高的上临界场、晶界不存在弱连接、结构简单、成本低廉等优点使Nb3Sn成为目前最常用的超导材料。特别是在低场领域，如在磁共振成像磁体应用方面，Nb3Sn表现了极大的优势。然而，目前制备的Nb3Sn材料的临界电流密度与低温超导体和A15超导体相比还比较低，而且会随着磁场强度的增加而急剧的减小。提高Nb3Sn的临界电流密度是本领域的一个难题，因为当电流通过超导体时就会产生电子涡旋，电子涡旋的运动消耗能量，进而破坏材料的超导能力。如果涡旋能钉扎在·杂质或缺陷上并且不影响无阻电流的流动，将可以大大提高临界电流密度。因此，为了提高Nb3Sn在一定磁场下的临界电流密度，可以采用中子轰击、化学腐蚀、机械加工、掺杂等方法，而由于掺杂具有更简便快速、能进行均匀改性等特点，成为目前提高Nb3Sn磁通钉扎能力的主要方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有Nb3Sn超导材料性能的不足，公开了一种Nb3Sn超导材料的制备方法，其制得的超导材料具有高磁通钉扎能力。本专利技术的含有硅和碳的Nb3Sn的制备方法包括如下步骤本专利技术在原料Nb粉，Sn粉中加入纳米Si/N/C粉，原料纯度均为市售化学纯，其组成的摩尔比为Nb Sn Si/N/C 粉=(O. 8-0. 975) (1. 6-1. 95) (O. 025-0. 2)。将 Nb粉，Sn 粉，纳米 Si/N/C 粉按照摩尔比(O. 8-0. 975) (1. 8-1. 95) (O. 025-0. 2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在5000C _800°C保温1. 5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。具体实施例方式为了使本领域技术人员更清楚地理解本专利技术的技术方案，下面通过描述其具体实施方式。本专利技术的含有硅和碳的Nb3Sn的制备方法包括如下步骤本专利技术在原料Nb粉，Sn粉中加入纳米Si/N/C粉，原料纯度均为市售化学纯，其组成的摩尔比为Nb Sn Si/N/C 粉=(O. 8-0. 975) (1. 6-1. 95) (O. 025-0. 2)。将 Nb粉，Sn 粉，纳米 Si/N/C 粉按照摩尔比(O. 8-0. 975) (1. 8-1. 95) (O. 025-0. 2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在5000C _800°C保温1. 5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。Nb3Sn晶体中缺乏能够对磁通蠕动进行钉轧的结构缺陷，所以其临界电流随磁场强度的增大而很快的减小。因此可以采用增加晶体缺陷或者增加晶格界面等方法增加晶体的钉扎中心来提高Nb3Sn的磁通钉扎能力，从而提高材料的临界电流密度。一般来说，钉扎机制可分为两种，一种来源于晶粒内部的短程无序，另一种来源于和晶体结构以及晶界有关的长程不均匀性。掺杂可以引入钉扎中心以及改善晶粒间的连接性，从而达到提高临界电流密度的目的。本专利技术在优化材料加工工艺前提下，通过掺杂纳米Si/N/C，在Nb3Sn晶格中通过C对Sn的替代引入缺陷，并且Si与Nb反应生成的部分粒径较小的杂质也可以作为钉轧中心，这些都可以增强Nb3Sn材料的磁通钉扎能力。而且由于Si/N/C掺杂后对Nb3Sn超导转变温度影响较小，从而减小了由超导转变温度降低产生的对Nb3Sn临界电流密度的负面作用。本专利技术采用采用Si/N/C纳米颗粒掺杂，不但可以提供在SiC纳米颗粒掺杂时起到关键作用的碳元素，而且不会产生太多由于SiC分解导致的Nb2Si杂质。这些优点对于进一步提闻Nb3Sn材料的超导特性具有重要意义。用本专利技术方法制备的Nb3Sn超导带材的临界电流密度在4. 5 X 103A/cm2 (4. 2K，10T)左右，且重复性很好，并且成本费用远低于现有技术中采用同样的原位粉末装管法制 备的样品。实施例1制备(Nb3Sn)ο.95(SiC)ο.05超导材料。将Nb粉，Sn粉，SiC晶须按照摩尔比O. 95 1. 9 0. 05准确称量并混合均匀，烧结或锻造后在流动气氛的氩气真空炉中650°C保温2小时，然后在真空炉中冷却至室温，得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。制得的带材的临界电流密度为4. 5X103A/cm2(4. 2K，10T)。实施例2制备(Nb3Sn)a8(SiC)a2超导材料。将Nb粉，Sn粉，SiC晶须按照摩尔比O. 8 :1. 6 :O. 2准确称量并混合均匀，烧结或锻造后在流动气氛的氩气真空炉中700°C保温1. 5小时，然后在真空炉中冷却至室温，得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。实施例3制备(Nb3Sn)a8(SiC)a2超导材料。将Nb粉，Sn粉，SiC晶须按照摩尔比O. 8 :1. 6 :0.2准确称量并混合均匀，烧结或锻造后在流动气氛的氩气真空炉中600°C保温1. 5小时，然后在真空炉中冷却至室温，得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。实施例4制备(Nb3Sn)a 975 (SiC)atl25超导材料。将Nb粉，Sn粉，SiC晶须按照摩尔比O. 975 1.95 0. 025准确称量并混合均匀，烧结或锻造后在流动气氛的氩气真空炉中700°C保温2.5小时，然后在真空炉中冷却至室温，得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。实施例5制备(Nb3Sn)ο.95(SiC)ο.05超导块材。将Nb粉，Sn粉，SiC晶须按照摩尔比O. 95 1.9:0. 05准确称量并混合均匀，烧结或锻造后在800°C保温2小时，然后在真空炉中冷却至室温，得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。实施例6制备(Nb3Sn) a8 (Si/N/C) α2超导块材。将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比O. 8:1. 6 0. 2准确称量并混合均匀，烧结或锻造后在800°C保温3小时，然后在真空炉中冷却至室温，得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。以上实施例说明应用这种技术可以制备性能很好的线带材和块材，这为Nb3Sn超导材料的实际应用提供了材料基础。 当然，本专利技术还可有其他多种实施例，在不背离本专利技术精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本专利技术作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本专利技术所附的权利要求的保护范围。权利要求1.一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤将 Nb 粉，Sn 粉，纳米 Si/N/C 粉按照摩尔比(O. 8-0. 975) (1. 8-1. 95) (O. 025-0. 2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500°C _800°C保温1. 5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。全文摘要本专利技术公开了一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，包括如下步骤将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8?0.975)：(1.8?1.95)：(0.025?0.2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃?800℃保温1.5?3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，吕锁方，顾忠杰，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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