用于减小存储器中的编程噪声的锯齿形多脉冲编程制造技术

在存储器系统中，编程波形通过使用具有锯齿形的多个相邻次脉冲集合而减小了编程噪声。在集合中，初始次脉冲从例如0V的初始电平步升至峰值电平，随后步降至在初始电平之上的中间电平。集合中的一个或多个后续的次脉冲可从中间电平步升至峰值电平，并随后步降至中间电平。集合中的最后次脉冲可从中间电平步升至峰值电平，并随后步降至初始电平。在次脉冲集合之后执行验证操作。在相继集合中的每集合次脉冲的数量可减少，直到朝编程操作结束施加孤立脉冲为止。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及非易失性存储器。
技术介绍
半导体存储器已经变得越来越普遍地用于各种电子设备中。例如，将非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其它设备中。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)及闪速存储器属于最流行的非易失性半导体存储器。相比于传统的完全特征化EEPR0M，对于也是EEPROM类型的闪速存储器，整个存储器阵列的内容或者存储器一部分的内容可在一个步骤中擦除。传统EEPROM和闪速存储器都使用半导体衬底中位于沟道区上方并与该沟道区绝·缘的浮置栅极。该浮置栅极位于源极区和漏极区之间。控制栅极被设置在浮置栅极上并与之绝缘。如此形成的晶体管的阈值电压(Vth)因而由浮置栅极上保留的电荷量来控制。也就是说，在晶体管导通以允许在晶体管的源极和漏极之间的传导之前必须施加给控制栅极的最小电压量由浮置栅极上的电荷电平控制。一些EEPROM及闪速存储器设备包括具有用于存储两个范围的电荷的浮置栅极的存储元件或单元，因此，存储元件可在两个状态(例如，擦除状态和编程状态)之间被编程/擦除。这样的闪速存储器设备有时被称为二进制闪速存储器设备，因为每本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：董英达，玉平·K·方，赫里特·扬·海明克，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：
国别省市：