【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体存储器件。
技术介绍
近年来，正在大力研究一种在记录材料中使用了硫材料的相变存储器(专利文献1、2)。相变存储器的存储构造是用金属电极夹持记录材料而成的构造。相变存储器是利用电极间的记录材料具有不同的电阻状态的情形来存储信息的电阻变化型存储器。相变存储器利用Ge2Sb2Te5等相变材料的电阻值在非晶体状态和晶体状态下不同的情形来存储信息。在非晶体状态下电阻高，在晶体状态下电阻低。因而，通过在元件的两端赋予电位差、测量流过元件的电流来辨别元件的高电阻状态/低电阻状态，由此进行读取。相变存储器根据电流所产生的焦耳热使相变膜的电阻变为不同的状态来进行数据重写。通过在短时间内流动大电流来使相变材料溶解之后使电流急剧减少而骤冷，由此进行复位动作、即变化为高电阻的非晶体状态的动作。另一方面，通过使足以将相变材料保持晶体化温度的电流长时间流动，来进行置位动作、即变为低电阻的晶体状态的动作。当推进微细化时使相变膜的状态改变所需的电流变小、理论上正在趋向于微细化，因此正在大力研究这种相变存储器。 作为将利用了这些电阻变化型元件的存储器进行高集成化的方法，在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：笹子佳孝，峰邑浩行，小林孝，新谷俊通，半泽悟，木下胜治，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：
国别省市：
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