一种低蚀刻光刻胶清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种低蚀刻的光刻胶清洗液及其组成。这种低蚀刻的光刻胶清洗液含有：(a)季铵氢氧化物，(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇，(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇，(d)水，(e)其它助溶剂。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种清洗液，具体涉及一种光刻胶清洗液。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的 光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1，3_ 二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50 100°C下除去金属和电介质基材上的20 μ m以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高,且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；W02006/056298A1利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，乙二醇(EG)和水组成碱性清洗液，用于清洗铜基板的光刻胶，同时对金属铜基本无腐蚀，但其对金属铝有腐蚀；US5091103公开了 N-甲基吡咯烷酮、1，2-丙二醇和四甲基氢氧化铵的清洗液，于105 125°C下去除经高温烘焙过(hard bake)的光刻胶，其特征是不含有水、操作温度高，一旦清洗液混入水，其对金属铝和铜的腐蚀速率均上升；由此可见，寻找更为有效抑制金属腐蚀的方法和高效的光刻胶去除能力是该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题就是针对现有的光刻胶清洗液存在的清洗能力不足或者对晶片图案和基材腐蚀性较强的缺陷，而提供一种光刻胶清洗能力强且对半导体晶片图案和基材腐蚀性较低的光刻胶清洗剂。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是一种用于光刻胶清洗的清洗液，该清洗液包含(a)季铵氢氧化物、(b)含有两个碳或三个碳的多元醇或它们的混合物、(C)含有五个碳或六个碳的多元醇或它们的混合物、(d)水和(e)其它助溶剂。其中(a)季铵氢氧化物O. I 10%，优选O. I 5% ;(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇5 40%，优选10-35% ；(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇O. I 10%，优选O. I 5% ;(d)水 O. I 10%，优选 O. I 5% ;(e)其它助溶剂为余量。上述含量均为质量百分比含量。本专利技术中所述的季铵氢氧化物包括四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵和羟乙基三甲基氢氧化铵等中的一种或者几种。本专利技术中所述的含有两个碳和/或三个碳的多元醇包括乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇和丙三醇。其主要作用是增加季铵氢氧化物在体系中的溶解度。本专利技术中所述的含有五个碳和/或六个碳的多元醇包括山梨醇、甘露醇和木糖醇。其主要作用是抑制金属铝和铜的腐蚀。本专利技术中水的存在有利于光刻胶在碱性体系中的溶解。但水的存在可能会引起金属基材的腐蚀，因此对体系中的腐蚀抑制剂提出更高的要求,而本专利技术的含有五个碳和/或六个碳的多元醇可以很好地解决这个问题。本专利技术还可以进一步含有助溶剂，所述的助溶剂可选自亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、吡咯烷酮、醇醚、酰胺中的一种或多种。其中，所述的亚砜较佳的为二甲基亚砜；所述的砜较佳的为环丁砜；所述的咪唑烷酮较佳的为1，3_ 二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮较佳的为I，3- 二甲基-2-咪唑啉酮；所述的吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-羟乙基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮；所述的酰胺较佳的为二甲基甲酰 胺、二甲基乙酰胺；所述的醇醚较佳的为乙二醇醚和丙二醇醚；所述的乙二醇醚较佳的为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚；所述的丙二醇醚较佳的为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚。本专利技术中的低蚀刻性光刻胶清洗液，可以在室温至90°C下清洗光刻胶。具体方法如下将含有光刻胶的晶片浸入本专利技术中的低蚀刻性的光刻胶清洗剂，在室温至90°C下浸泡合适的时间后，取出洗涤后用高纯氮气吹干。本专利技术的有益效果是I)光刻胶去除能力强2)对金属铝和铜同时具有较强的腐蚀抑制能力； 3)操作温度较温和，25°C 90°C。具体实施例方式下面通过具体实施方式来进一步阐述本专利技术的优势。表I各实施例中的清洗剂的组分和含量 ~/U A*,~含有两个碳和/或三个含有五个碳和/或六 *甘实施季钕麵化物^碳的多气醇个碳的^元醇= 其匕助'福人■名称 J 名称含量名称含量 J 名称J___m______m___里 1四氧 0.1 乙二醇5 山梨醇 0.1 0.1 二甲基亚砜 94.7__化韦女_________ 210 1，2-丙二醇 40 甘露醇 10 10 环丁砜 30 四丙基氧氧一吉; 1,3-二甲基___化铵 - I，3-丙i醇 … 木糖醇 - - -2-咪唑烷酮权利要求1.一种低蚀刻光刻胶清洗液，该清洗液包含(a)季铵氢氧化物、(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇、(C)含有五个碳和/或六个碳的多元醇、(d)水和(e)助溶剂。2.如权利要求I所述清洗液，其特征在于，季铵氢氧化物的含量为O.I 10%;含有两个碳和/或三个碳的多元醇的含量为5 40% ;含有五个碳和/或六个碳的多元醇的含量为O. I 10% ;水的含量为O. I 10% ;助溶剂为余量，上述含量为质量百分比含量。3.如权利要求2所述清洗液，其特征在于，季铵氢氧化物的含量为O.I 5% ;含有两个碳和/或三个碳的多元醇的含量为10-35% ;含有五个碳和/或六个碳的多元醇的含量为O. I 5% ;水的含量为O. I 5% ;助溶剂为余量，上述含量为质量百分比含量。4.如权利要求I所述清洗液，其特征在于，所述的季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵和羟乙基三甲基氢氧化铵中的一种或者几种。5.如权利要求I所述清洗液，其特征在于，所述的含有两个碳和/或三个碳的多元醇选自乙二醇、I，2-丙二醇、I，3-丙二醇和丙三醇中的一种或者几种。6.如权利要求I所述清洗液，其特征在于，所述的含有五个碳和/或六个碳的多元醇包括山梨醇、甘露醇和/或木糖醇。7.如权利要求I所述清洗液，其特征在于，所述的助溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、吡咯烷酮、醇醚、酰胺中的一种或多种。8.如权利要求7所述清洗液，其特征在于，所述的亚砜为二甲基亚砜；所述的砜为环丁砜；所述的咪唑烷酮为I，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮为I，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-羟乙基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述的醇醚为乙二醇醚和丙二醇醚。9.如权利要求8所述清洗液，其特征在于，所述的乙二醇醚为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚；所述的丙二醇醚为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚。全文摘要本专利技术公开了一种低蚀刻的光刻胶清洗液及其组成。这种低蚀刻的光刻胶清洗液含有(a)季铵氢氧化物，(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇，(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇，(d)水，(e)其它助溶剂。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低蚀刻光刻胶清洗液，该清洗液包含(a)季铵氢氧化物、(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇、(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇、(d)水和(e)助溶剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，孙广胜，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：