一种低蚀刻光刻胶清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种低蚀刻的光刻胶清洗液及其组成。这种低蚀刻的光刻胶清洗液含有：(a)季铵氢氧化物，(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇，(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇，(d)水，(e)其它助溶剂。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种清洗液，具体涉及一种光刻胶清洗液。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的 光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1，3_ 二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50 100°C下除去金属和电介质基材上的20 μ m以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高,且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；W02006/056298A1利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，乙二醇(EG)和水组成碱性清洗液，用于清洗铜基板的光刻胶，同时对金属铜基本无腐蚀，但其对金属铝有腐蚀；US5091103公开了 N-甲基吡咯烷酮、1，2-丙二醇和四甲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低蚀刻光刻胶清洗液，该清洗液包含(a)季铵氢氧化物、(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇、(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇、(d)水和(e)助溶剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，孙广胜，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：