用于改善的器件集成的光刻胶剥离方法技术

本发明专利技术提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如，2%-16%的氢气浓度，3）通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化，4）使用低温脱胶，5）控制植入条件和浓度，以及6）执行一种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行所述光刻胶剥离方法的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及用于处理半导体基片的方法和装置。
技术介绍
光刻胶是ー种在ー些制造エ艺中用于在处理过程中在例如半导体晶片等エ件上形成带图案涂层的光敏材料。在将光刻胶涂层的表面暴露于高能辐射图案之后，光刻胶的部分被去除以呈现出下面的表面，使得其余表面受到保护。可以在露出的表面和其余的光刻胶上进行诸如蚀刻、沉积和离子植入等半导体处理。在进行ー种或多种半导体处理之后，在剥离操作中去除其余的光刻胶。
技术实现思路
本文提供了減少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下列技术中的ー种或多种I)通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2)提供稀释的氢气，例如，2%-16%的氢气浓度,3)通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化,4)使用低温脱胶，5)控制植入条件和浓度，以及6)执行ー种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行光刻胶剥离方法的装置。方法包括将其上布置有光刻胶的基片提供给反应腔室；以及将所述基片暴露于由处理气体产生的等离子体以由此从基片上去除光刻胶，所述处理气体包括氮气和氢气并且具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将其上面布置有光刻胶的基片提供给反应腔室；将所述基片暴露于由处理气体产生的等离子体以由此从所述基片上去除光刻胶，所述处理气体包括氮气和氢气并且具有约2%和16%之间的氢气浓度[H]。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗伊·沙夫维，柯克·奥斯特洛夫斯基，大卫·张，朴俊，巴渝·特迪约斯沃尔，帕特里克·J·洛德，
申请(专利权)人：诺发系统公司，
类型：发明
国别省市：