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本发明提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如...
该专利属于诺发系统公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺发系统公司授权不得商用。

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