芯片用聚酰亚胺剥离液及制备方法技术

技术编号:8366523 阅读:492 留言:0更新日期:2013-02-28 04:25
本发明专利技术公开一种芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于由如下组分(质量百分比)构成:吡咯烷酮5~60%,亚砜5~80%,醇醚5~40%,季铵0.1~20%,碱0.1~10%,水余量,既可快速彻底(无残留)去除聚酰亚胺,又能防止金属材料被氧化受损,有效提高了产品的优良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种聚酰亚胺剥离液及制备方法,尤其是一种既可快速彻底(无残留)去除聚酰亚胺,又能防止金属材料受损的。
技术介绍
聚酰亚胺具有非常优异的耐高温和低温性能、抗化学腐蚀性及优异的强度和韧性,是应用非常广泛的一种功能性高分子材料,已广泛应用于半导体集成电路芯片、LED芯片等制造行业中。如用作为介电层进行层间绝缘;作为缓冲层以减少应力、提高成品率;作为保护层可以减少环境对器件的影响,还可以对a-粒子起屏蔽作用,减少或消除器件的软误差;感光型聚酰亚胺还可以用于正、负型光阻使用,分辨率可以达到亚微米级。在聚酰亚胺经光刻或相关制程工艺后需要返工,即需要把芯片上的聚酰亚胺去除干净。聚酰亚胺的分子结构决定了聚酰亚胺一旦亚胺化(环化)后,很难溶于一般常见的有机溶剂中。因此,目前聚酰亚胺去除的工艺大都是通过氧气等离子体进行灰化处理,使有机物在氧的作用下生成二氧化碳和水,从而去除聚酰亚胺。但是此工艺存在以下缺点去除速度慢、产能低;不能彻底去除干净,经常会在芯片表面留有残留物;金属材料容易被氧化或受损,导致芯片良率低或报废。
技术实现思路
本专利技术是为了解决现有技术存在的上述技术问题,提供一种既可快速彻底(无残留)去除聚酰亚胺,又能防止金属材料受损的。本专利技术的技术解决方案是一种芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于由如下组分(质量百分比)构成吡咯烷酮5 60%,亚砜5 80%,醇醚5 40%,季铵O. I 20%,碱O. I 10%,水余量。所述各组分的质量百分比如下吡咯烷酮20 50%,亚砜20 50%,醇醚20 40%,季铵O.5 5%,碱O. 5 5%,水余量。所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。所述醇醚是乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇单乙醚或二丙二醇单丁醚。所述季铵是四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵或四丁基氢氧化铵。所述碱是氢氧化钠或氢氧化钾。一种上述芯片用聚酰亚胺剥离液的制备方法,其特征在于按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、吡咯烷酮、亚砜、醇醚、季铵和碱,所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。本专利技术是由吡咯烷酮、亚砜、醇醚、季铵、碱及水构成,既可快速彻底(无残留)去除聚酰亚胺,又能防止金属材料被氧化受损,有效提高了产品的优良率。具体实施例方式实施例I :各组分及质量百分比如下甲基吡咯烷酮5%,甲基亚砜80%,乙二醇单甲醚5%,四甲基氢氧化铵O. 1%、氢氧化钠O. 1%及纯水9. 8%。制备方法按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、甲基吡咯烷酮、甲基亚砜、乙二醇单甲醚、四甲基氢氧化铵和氢氧化钠,所有料加入后继续搅拌一小时,反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例2:各组分及质量百分比如下乙基吡咯烷酮60%,乙基亚砜5%,丙二醇单甲醚20%,四乙基氢氧化铵5%、氢氧化钠5%及纯水5%。制备方法按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、乙基吡咯烷酮、乙基亚砜、丙二醇单甲醚、四乙基氢氧化铵和氢氧化钠,所有料加入后继续搅拌一小时,反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例3:各组分及质量百分比如下羟乙基吡咯烷酮20%,二甲基亚砜40%,丙二醇单丁醚20%,四丙基氢氧化铵I. 5%,氢氧化钾O. 5%,纯水18%。制备方法按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、羟乙基吡咯烷酮、二甲基亚砜、丙二醇单丁醚、四丙基氢氧化铵和氢氧化钾,所有料加入后继续搅拌一小时,反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例4:各组分及质量百分比如下2_吡咯烷酮50%,二乙基亚砜20%,二乙二醇单甲醚20%,四丁基氢氧化铵3%,氢氧化钾2%,纯水5%。制备方法按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、2-吡咯烷酮、二乙基亚砜、二乙二醇单甲醚、四丁基氢氧化铵和氢氧化钾,所有料加入后继续搅拌一小时,反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例5:各组分及质量百分比如下甲基吡咯烷酮25%,环丁亚砜25%,二乙二醇单乙醚或二乙二醇单丁醚或二丙二醇甲醚或二丙二醇单乙醚30%,四甲基氢氧化铵5%,氢氧化钾5%,水10%。制备方法按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、甲基吡咯烷酮、环丁亚砜、二乙二醇单乙醚或二乙二醇单丁醚或二丙二醇甲醚或二丙二醇单乙醚、四甲基氢氧化铵和氢氧化钾,所有料加入后继续搅拌一小时,反应釜中的溶液呈均匀透明液体。采用本专利技术实施例广5,在加热槽(如石英、不锈钢等材质)内加热至7(T90°C,有无超声波辅助均可的条件下,把覆有聚酰亚胺(2(T30°C固化5 20分钟)的芯片浸泡其中10^60分钟后,可以完全去除厚度为f 5微米的聚酰亚胺,芯片表面无残留,金属材料完好。权利要求1.一种芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于由如下组分(质量百分比)构成吡咯烷酮5 60%,亚砜5 80%,醇醚5 40%,季铵O. I 20%,碱O. I 10%,水余量。2.根据权利要求I所述的芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于所述各组分的质量百分比如下吡咯烷酮20 50%,亚砜20 50%,醇醚20 40%,季铵O. 5 5%,碱O. 5 5%,水余量。3.根据权利要求I或2所述的芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。4.根据权利要求3所述的芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。5.根据权利要求4所述的芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于所述醇醚是乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇单乙醚或二丙二醇单丁醚。6.根据权利要求5所述的芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于所述季铵是四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵或四丁基氢氧化铵。7.根据权利要求6所述的芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于所述碱是氢氧化钠或氢氧化钾。8.—种如权利要求I所述芯片用聚酰亚胺剥离液的制备方法,其特征在于按如下步骤进行开动反应釜搅拌器,转速为500转/分钟,依次向反应釜中加入计算量的水、吡咯烷酮、亚砜、醇醚、季铵和碱,所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。全文摘要本专利技术公开一种芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于由如下组分(质量百分比)构成吡咯烷酮5~60%,亚砜5~80%,醇醚5~40%,季铵0.1~20%,碱0.1~10%,水余量,既可快速彻底(无残留)去除聚酰亚胺,又能防止金属材料被氧化受损,有效提高了产品的优良率。文档编号G03F7/42GK102944986SQ20121045186公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月13日 优先权日2012年11月13日专利技术者廖勇勤 申请人:大连三达维芯半导体材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片用聚酰亚胺剥离液,其特征在于由如下组分(质量百分比)构成:吡咯烷酮5~60%,亚砜5~80%,醇醚5~40%,季铵0.1~20%,碱0.1~10%,水余量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:廖勇勤
申请(专利权)人:大连三达维芯半导体材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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