【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体装置的制造。
技术介绍
在将晶片分成经由裸芯贴附膜22贴附至切片带20上的多个单元裸芯10后,在所谓拾取工艺中一装置从切片带20上拾取单个的裸芯10,如图1A所示。图1B示出了从切片带20上拾取半导体裸芯10的拾取机构的放大示意侧视图。使用诸如推力销的推出器30透过切片膜20在单个裸芯10的背面推动单个裸芯10。作为结果,半导体裸芯10在由在上方和推力销30相对的吸取装置保持的同时被从切片带20剥离。通常所知的吸取装置40为连接至真空泵的橡胶嘴。在拾取工艺中,在半导体裸芯10的厚度等于或小于100 μ m的情形中,当半导体裸芯10的背面被推出器30向上推起时,由于介于其间的粘接剂,裂纹或碎裂在半导体裸芯10的周边部分发生,这导致了产率损失或产品质量的下降。因此,存在改进用来制造半导体装置的设备和方法的需要。附图说明图1A和IB是示出了制造半导体装置的拾取工艺的示意性侧视图;图2是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的分解示意立体图;图3是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的局部示意性侧视图;图4是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的腔体的示意性俯视 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种将贴附在切片带上的半导体裸芯从所述切片带预剥离的设备,包括: 腔体,其具有底部基底,顶部开口和从所述基底的周边向上延伸的环形侧壁,所述侧壁具有基本平的顶表面; 盖子,设置于所述腔体上方,所述盖具有中心开口 ; 至少一个入口,设置于所述基底中;和 压强调节器,经由所述至少一个入口连接到所述腔体, 其中所述切片带设置于所述盖和所述侧壁的顶表面之间以气密地密封所述腔体的顶部开口,且 所述半导体裸芯位于所述腔体的顶部开口的正上方。2.按权利要求1所述的设备,其中所述压强调节器包括将流体经由所述入口提供到所述腔体的流体源。3.按权利要求2所述的设备,其中所述流体包括气体或液体。4.按权利要求3所述的设备,其中所述气体包括干燥的空气或干燥的氮气。5.按权利要求2所述的设备,其中所述压强调节器还包括用来控制所述流体的流速的流体控制装置。6.按权利要求1所述的设备,其中所述压强调节器包括真空泵。7.按权利要求6所述的设备,还包括至少一个固定构件,将所述盖和所述切片带固定到所述侧壁的顶表面上。8.按权利要求7所述的设备,其中所述固定构件包括螺钉、销子、夹子或铆钉。9.按权利要求1所述的设备,还包括密封构件,设置于所述切片带和所述侧壁的顶部表面之间。10.按权利要求9所述的设备,其中所述侧壁的顶部表面包括容纳所述密封构件的沟槽。11.按权利要求9所述的设备,其中所述环形侧壁的顶部表面和所述盖均具有圆环状的横截面形状,且所述密封构件是O形环。12.按权利要求9所述的设备,其中所述盖是晶片环。13.按权利要求1所述的设备,其中所述基底具有平面或凸面。14.按权利要求1所述的设备,其中所述至少一个入口设置于所述基底的中心或在所述基底的中心的附近。15.按权利要求1所述的设备,还包括设置于所述腔体内的UV光源。16.一种预剥离半导体裸芯的方法,包括以下的步骤: 将切片带设置...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱进添,H塔基亚尔,刘宁,张记东,吕忠,邰恩勇,N艾丽帕拉卡尔,
申请(专利权)人:晟碟半导体上海有限公司,晟碟信息科技上海有限公司,
类型:
国别省市:
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