裸芯预剥离设备和方法技术

公开了一种将贴附在切片带（200）上的半导体裸芯（212）由所述切片带预剥离的设备（100）和方法。该设备（100）包括腔体（110），所述腔体具有底部基底（112）、顶部开口（114）和从基底（112）的周边向上延伸的环形侧壁（116）。侧壁（16）具有大致平的顶部表面。该设备（100）还包括设置在腔体（110）之上的盖子（120）。盖子（120）具有中心开口。该设备（100）还包括设置在基底（112）中的至少一个入口（118），和经由该至少一个入口（118）连接至腔体（110）的压强调节器（150）。切片带（200）被布置在盖子（120）和侧壁（116）的顶部表面之间，以气密密封腔体（110）的顶部开口（114）。半导体裸芯（212）位于腔体（110）的顶部开口（114）的正上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体装置的制造。
技术介绍
在将晶片分成经由裸芯贴附膜22贴附至切片带20上的多个单元裸芯10后，在所谓拾取工艺中一装置从切片带20上拾取单个的裸芯10，如图1A所示。图1B示出了从切片带20上拾取半导体裸芯10的拾取机构的放大示意侧视图。使用诸如推力销的推出器30透过切片膜20在单个裸芯10的背面推动单个裸芯10。作为结果，半导体裸芯10在由在上方和推力销30相对的吸取装置保持的同时被从切片带20剥离。通常所知的吸取装置40为连接至真空泵的橡胶嘴。在拾取工艺中，在半导体裸芯10的厚度等于或小于100 μ m的情形中，当半导体裸芯10的背面被推出器30向上推起时，由于介于其间的粘接剂，裂纹或碎裂在半导体裸芯10的周边部分发生，这导致了产率损失或产品质量的下降。因此，存在改进用来制造半导体装置的设备和方法的需要。附图说明图1A和IB是示出了制造半导体装置的拾取工艺的示意性侧视图；图2是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的分解示意立体图；图3是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的局部示意性侧视图；图4是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的腔体的示意性俯视图；图5A和5B是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备的示意性侧视图；图6A-6E是根据本技术的第一实施例的制造半导体装置的方法的示意图；图7是具有拱顶形状的切片带的放大视图；和图8是具有反置拱顶形状的切片带的放大视图。具体实施方法现将参考图2到图8描述实施例，其涉及了从切片带预剥离半导体裸芯的设备和方法。可以理解本技术可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于本文所阐述的实施例。而是，这些实施例被提供，使得本公开将是充分和完整的，且将该技术完全传递给本领域的技术人员。本技术旨在覆盖这些实施例的替换、修改和等同物，这些实施例被包括在由所附权利要求界定的本技术的范围和精神内。另外，在本技术的所附详细说明中，阐述了许多特定的细节，以提供本技术的完整理解。然而，对于本领域技术人员而言清楚的是，本技术可以在没有这样的特定细节的情况下被实现。术语“顶部”和“底部”以及“上”和“下”在本文中仅为了方便和说明的目的而使用，且不旨在限制本技术的描述，而所指称的项目可以在位置上交换。图2是根据本技术的预剥离半导体裸芯的设备100的分解透视示意图。设备100包括腔体100，腔体100具有底部基底112、顶部开口 114和从底部112的周边向上延伸的环形侧壁116。其上贴附有多个半导体裸芯212的切片带200被设置在腔体110上方。所述腔体110的基底112可具有平或凸的表面。如图2所示，环形侧壁116具有圆环状的横截面，但本技术未对其作出限制，环形侧壁116可具有其他带有中央开口的几何形状，以允许将切片带2上的半导体裸芯212定位在该中央开口正上方。在此情形下，半导体裸芯212在切片带在操作中发生形变时可随切片带200自由移动。侧壁116具有大致平的顶部表面，使得切片带可被可靠的放置在侧壁116的顶部表面上。腔体110的主体可由金属制成，所述金属诸如钢、铝或铜。设备100还包括设置在腔体110之上的盖子120。切片带200被设置在侧壁116的顶部表面和盖子120之间。切片带200通常具有施加在两面上的粘接剂(未示出)，因此切片带200可经由粘接剂将侧壁116的顶部表面和盖子120接合在一起。如图2所示，盖子120具有圆环状形状，但本技术未对其作出限制，盖子120可具有带有中央开口的其他几何形状，以允许将切片带2上的半导体裸芯212定位在该中央开口的正上方。在此情形下，半导体裸芯212在切片带在操作中发生形变时可随切片带200自由移动。盖子120可为具有和侧壁116的顶部表面大致相同的横截面和尺寸的环形构件。盖子120可由金属制成，所述金属诸如钢、铝或铜。例如，盖子120可以是在一在先的切片步骤中贴附到切片带上的晶片环。设备100还可以包括至少一个固定构件130，其将盖子120和切片带200可靠地固定到侧壁116的顶部表面上。固定构件130可包括螺钉、销子、夹子、铆钉或其他用来改进腔体110的密封的装置。举例来说，如图2所示，具有四个沿盖子的周边等距离分布的定位销子作为固定构件130。固定构件130也可由金属制成。可选地，设备100可包括设置在切片带200和侧壁116的顶部表面之间的密封构件140，以改进腔体116的密封。如图2所示，在盖子120和侧壁116都具有圆环形横截面形状时，密封构件140可为O形环。除了直接放置在侧壁116的顶部之外，密封构件140也可被容纳在形成在侧壁116的顶部表面上的沟槽170内，如图3中的侧视图所示。此时，密封构件140可更可靠地放置在侧壁116上，并由此改进腔体110的密封。此外,设备100包括至少一个设置于基底112中的入口 118。可有多个分布在基底112中的入口 118，但优选地，至少一个入口 118被设置在基底112的中心或基底112的中心的附近。举例来说，图4是具有多个入口 118的腔体110的示意性俯视图，其中一个入口118被布置在基底112的中心，而其余的入口 118被分布遍及基底表面。设备100还包括经由一个或多个入口 118连接至腔体110的压强调节器150。如果切片带200密封腔体110的顶部开口，压强调节器150可调节腔体110内的压强，并由此在切片带200的相对面之间产生压强差，其可使切片带200发生形变。举例来说，当切片带200上的半导体裸芯212被布置在腔体110之外，如图5A所示，压强调节器150’可包括将液体或气体提供到腔体110内的流体源152’，以在腔体110内形成相对于诸如大气压的环境压强的正压强。优选地，气体可为干燥的空气或干燥的氮气，以保护切片带200不受湿气的影响。可替换地，在切片带200上的半导体裸芯212被布置在腔体110之内，如图5B所示时，压强调节器150〃可包括真空泵152〃和阀门154，以控制真空度，即，腔体110内相对于环境压强的负压强。此外，设备100还可包括腔体110内的辐射源(未示出)，诸如UV光源，其在切片带200由于由压强调节器150引入的压强差而变形时用来照射切片带200。将在下文中参考根据本技术的制造半导体装置的方法对设备100的更多细节进行讨论。图6A至6E为示出了用来如本技术的第一实施例所述，制造半导体装置的方法的示意图。如图6A所示，晶片210被可选地经由裸芯贴附膜(DAF)220首先贴附至切片带200上。切片带200通常包括基底材料和施加在两面上的粘接剂，所述基底材料诸如聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚烯烃或聚乙烯。该粘接剂也可为UV敏感的，以允许在UV照射时断开粘接剂接合。裸芯贴附膜220通常被用于薄裸芯层叠封装，以在封装中获得需要的一致的粘结层厚度。DAF220和切片带200之间的接合强度通常小于半导体裸芯212和DAF220之间的接合强度，以使得在预剥离和后续的拾取工艺期间，半导体裸芯212和DAF200被从切片带200上分离。下一步，如图6B所示，晶片210在所谓的切片工艺中被诸如钻石锯或激光(未示出)的切割工具分成切片带200上多个单独的半导体裸芯212。切片带上的粘接剂将半导体裸芯保持在位。优选地，晶片2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种将贴附在切片带上的半导体裸芯从所述切片带预剥离的设备，包括: 腔体，其具有底部基底，顶部开口和从所述基底的周边向上延伸的环形侧壁，所述侧壁具有基本平的顶表面； 盖子，设置于所述腔体上方，所述盖具有中心开口 ； 至少一个入口，设置于所述基底中；和 压强调节器，经由所述至少一个入口连接到所述腔体， 其中所述切片带设置于所述盖和所述侧壁的顶表面之间以气密地密封所述腔体的顶部开口，且 所述半导体裸芯位于所述腔体的顶部开口的正上方。2.按权利要求1所述的设备，其中所述压强调节器包括将流体经由所述入口提供到所述腔体的流体源。3.按权利要求2所述的设备，其中所述流体包括气体或液体。4.按权利要求3所述的设备，其中所述气体包括干燥的空气或干燥的氮气。5.按权利要求2所述的设备，其中所述压强调节器还包括用来控制所述流体的流速的流体控制装置。6.按权利要求1所述的设备，其中所述压强调节器包括真空泵。7.按权利要求6所述的设备，还包括至少一个固定构件，将所述盖和所述切片带固定到所述侧壁的顶表面上。8.按权利要求7所述的设备，其中所述固定构件包括螺钉、销子、夹子或铆钉。9.按权利要求1所述的设备，还包括密封构件，设置于所述切片带和所述侧壁的顶部表面之间。10.按权利要求9所述的设备，其中所述侧壁的顶部表面包括容纳所述密封构件的沟槽。11.按权利要求9所述的设备，其中所述环形侧壁的顶部表面和所述盖均具有圆环状的横截面形状，且所述密封构件是O形环。12.按权利要求9所述的设备，其中所述盖是晶片环。13.按权利要求1所述的设备，其中所述基底具有平面或凸面。14.按权利要求1所述的设备，其中所述至少一个入口设置于所述基底的中心或在所述基底的中心的附近。15.按权利要求1所述的设备，还包括设置于所述腔体内的UV光源。16.一种预剥离半导体裸芯的方法，包括以下的步骤: 将切片带设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱进添，H塔基亚尔，刘宁，张记东，吕忠，邰恩勇，N艾丽帕拉卡尔，
申请(专利权)人：晟碟半导体上海有限公司，晟碟信息科技上海有限公司，
类型：
国别省市：