本实用新型专利技术公开了一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，包括真空腔室、真空泵、抽气管道、充气装置、充气管道、电控装置和至少一对电极；所述真空腔室上设有平衡阀；所述真空泵通过抽气管道连通真空腔室；所述充气装置通过充气管道连通到真空腔室内；所述电极设置在真空腔室内，并与电控装置相连接。本实用新型专利技术的设备操作简单，清洗耗时短，生产效率高，可规模化清洗石墨烯制件，清洗后的石墨烯制件外表面无残留异物，为后续氧化腐蚀金属基底或电化学剥离金属基底提供前期准备。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种对石墨烯制件进行表面处理的设备。
技术介绍
化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)可以在金属衬底上生长大面积的单层或多层石墨烯薄膜，所得石墨烯质量好、易于转移，是目前制备石墨烯薄膜的常用方法，被广泛用于制备石墨烯晶体管和透明导电薄膜。CVD法制备的石墨烯制件的外表面会存在有机物和残留石墨烯，残留石墨烯是由CVD法在金属基底两侧生长而来，有机物是由在转移到目标基底PET衬底上使用的聚合物粘结剂而来的。因此，在氧化腐蚀金属基底或电化学剥离金属基底之前，需要对转移之后的石墨烯制件进行清洗。目前对转移之后石墨烯制件的清洗方法主要有超声清洗法和离心清洗法。超声清洗法的不足之处有:(I)清洗中使用氯仿、丙酮、异丙醇等有机溶剂，对生产环境及溶剂后处理带来了污染，溶剂使用量大且对人体危害大；(2)环境污染大，效率低，生产成本较高，而且需要二次擦拭制件或者出去制件上残留的溶剂，影响破坏石墨烯结构，从而降低石墨烯制件性能。离心清洗法的不足之处有:(I)无法实现大批量清洗石墨烯制件；(2)清洗的石墨烯制件不干净、易残留有机物。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种清洗效率高、无污染的对石墨烯制件进行表面处理的设备，适应大批量生产需求。实现本技术目的的技术方案是:一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，包括真空腔室、真空泵、抽气管道、充气装置、充气管道、电控装置和至少一对电极；所述真空腔室上设有平衡阀；所述真空泵通过抽气管道连通真空腔室；所述充气装置通过充气管道连通到真空腔室内；所述电极设置在真空腔室内，并与电控装置相连接。对石墨烯制件进行表面处理的设备还包括设置在真空腔室内的至少一块；所述每块隔板上均设有一对电极。所述充气装置包括充N2装置、充Ar装置和充O 2装置。采用了上述技术方案，本技术具有以下的有益效果:(1)本技术的设备操作简单，清洗耗时短，有效提高了生产效率，可规模化清洗石墨烯制件，清洗后的石墨烯制件上无残留异物，为后续氧化腐蚀金属基底或电化学剥离金属基底提供基础。(2)本技术的真空腔室内设置多块隔板，进一步提高了生产效率，更适合大规模、批量化生产需求。【附图说明】为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中图1为本技术的实施例1的结构示意图。图2为本技术的实施例2的结构示意图。附图中的标号为:真空腔室1、真空泵2、抽气管道3、充N2装置4、充Ar装置5、充O 2装置6、充气管道7、电控装置8、电极9、隔板10、平衡阀11。【具体实施方式】(实施例1)见图1，本实施例的对石墨烯制件进行表面处理的设备，包括真空腔室1、真空泵2、抽气管道3、充N2装置4、充Ar装置5、充O 2装置6、充气管道7、电控装置8和至少一对电极9。真空腔室I上设有平衡阀11。真空泵2通过抽气管道3连通真空腔室I。充队装置4、充Ar装置5和充O2装置6通过充气管道4连通真空腔室I。电极6设置在真空腔室I内，并与电控装置8相连接。以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，其特征在于:包括真空腔室(1)、真空泵(2)、抽气管道(3)、充气装置、充气管道(7)、电控装置(8)和至少一对电极(9);所述真空腔室(I)上设有平衡阀(11);所述真空泵(2)通过抽气管道(3)连通真空腔室(I);所述充气装置通过充气管道(4)连通到真空腔室(I)内；所述电极(9)设置在真空腔室(I)内，并与电控装置⑶相连接。2.根据权利要求1所述的一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，其特征在于:还包括设置在真空腔室(I)内的至少一块隔板(10);所述每块隔板(10)上均设有一对电极(9)03.根据权利要求1所述的一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，其特征在于:所述充气装置包括充N2装置(4)、充Ar装置(5)和充O 2装置(6)。【专利摘要】本技术公开了一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，包括真空腔室、真空泵、抽气管道、充气装置、充气管道、电控装置和至少一对电极；所述真空腔室上设有平衡阀；所述真空泵通过抽气管道连通真空腔室；所述充气装置通过充气管道连通到真空腔室内；所述电极设置在真空腔室内，并与电控装置相连接。本技术的设备操作简单，清洗耗时短，生产效率高，可规模化清洗石墨烯制件，清洗后的石墨烯制件外表面无残留异物，为后续氧化腐蚀金属基底或电化学剥离金属基底提供前期准备。【IPC分类】H01L21-67【公开号】CN204348691【申请号】CN201420843284【专利技术人】金虎, 顾永强, 狄建青, 武文鑫, 孙洪波, 徐振飞, 龚健 【申请人】常州二维碳素科技有限公司【公开日】2015年5月20日【申请日】2014年12月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种对石墨烯制件进行表面处理的设备，其特征在于：包括真空腔室(1)、真空泵(2)、抽气管道(3)、充气装置、充气管道(7)、电控装置(8)和至少一对电极(9)；所述真空腔室(1)上设有平衡阀(11)；所述真空泵(2)通过抽气管道(3)连通真空腔室(1)；所述充气装置通过充气管道(4)连通到真空腔室(1)内；所述电极(9)设置在真空腔室(1)内，并与电控装置(8)相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金虎，顾永强，狄建青，武文鑫，孙洪波，徐振飞，龚健，
申请(专利权)人：常州二维碳素科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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