A semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device are disclosed. The semiconductor device includes a substrate having a first side; a plurality of electrical components, is disposed on a first side of the substrate, the substrate and the plurality of electrical components having an exposed surface on a first side of the substrate; and a conductive plastics, the encapsulation of the substrate and a plurality of electrical components in the the first side of the substrate on the exposed surface, and electromagnetic interference of the plurality of electrical components (EMI) shielding.
【技术实现步骤摘要】
具有电磁干扰屏蔽的半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
对便携式消费电子的需求的大量增长推动对高容量存储器件的需求。诸如闪存存储卡的非易失性半导体存储器件,正变得被广泛使用以满足数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠和大容量使得这样的存储器件对于在多种电子装置中使用是理想的。随着电子部件变得更小并且在更高频率工作,由电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)引起的噪声和串扰更加成为问题。电磁(EM)辐射被携带快速变化的信号的电路作为其正常操作的副产品发射。这样的电磁辐射将EMI和/或RFI引入到其它电路,导致不期望的干扰或噪声。已经作出了努力来在带级别或者单独的单元级别施加导电镀膜进行屏蔽EM和/或RF辐射的发射和接收。图1是在带级别施加EMI屏蔽的传统的方法的流程图。如图1所示,在裸芯粘附步骤110中,多个半导体裸芯被安装在排列于基板带中的各个单独的基板上。接着,在引线键合步骤120中,形成多个引线键合体以电连接各个半导体裸芯和基板。接着,在模塑步骤130中,模塑料形成在整个基板带之上以包封半导体裸芯和引线键合体。然后,在EMI屏蔽涂覆步骤140中,EMI屏蔽层被施加到模塑料的顶表面上。最后,在单片化步骤150中,通过在邻近的半导体装置之间切开EMI屏蔽层、模塑料和基板,基板带被分隔以单片化为封装形式的单独的半导体器件。按此方法,可以在带级别更加有效地提供EMI屏蔽,但是仅在单独的半导体器件的顶表面上提供EMI屏蔽,因此半导体器件仍缺少在其侧表面上的EMI屏蔽。图2是在单元级别施 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,包括:具有第一侧的基板;多个电元件,其设置在该基板的第一侧上,使得该基板和该多个电元件具有在该基板的第一侧上暴露的表面;以及导电模塑料,其包封该基板和该多个电元件在该基板的第一侧上的暴露的表面,并为所述多个电元件提供电磁干扰(EMI)屏蔽。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,包括:具有第一侧的基板;多个电元件,其设置在该基板的第一侧上,使得该基板和该多个电元件具有在该基板的第一侧上暴露的表面;以及导电模塑料,其包封该基板和该多个电元件在该基板的第一侧上的暴露的表面,并为所述多个电元件提供电磁干扰(EMI)屏蔽。2.如权利要求1所述的半导体装置,其中所述电元件还包括一个或多个半导体裸芯;一个或多个模拟元件;以及在该一个或多个半导体裸芯、该一个或多个模拟元件以及该基板之间电连接的一个或多个电传导元件,该基板和该多个电元件在该基板的第一侧上暴露的表面涂覆有绝缘材料层。3.如权利要求1所述的半导体装置,其中该基板包括位于该基板的第一侧上的一个或多个接地接触图案,该一个或多个接地接触图案与该导电模塑料电连接。4.如权利要求1所述的半导体装置,其中该导电模塑料包括分散有导电填料的聚合物基质。5.如权利要求4所述的半导体装置,其中该导电填料包括金颗粒、铜颗粒、碳颗粒、包括碳纳米纤维的碳纳米结构(CNS)、或者不锈钢纤维。6.如权利要求2所述的半导体装置,其中该一个或多个电传导元件包括以下所述的至少一种:形成在基板上的电路图案或者接触垫、形成在半导体裸芯上的键合垫、以及引线键合体,所述引线键合体包括形成在相应的半导体裸芯之间或相应的半导体裸芯和基板之间的键合引线。7.如权利要求1所述的半导体装置,其中该一个或多个半导体裸芯包括控制器裸芯和存储器裸芯中的至少一个。8.如权利要求所述的半导体装置,其中该一个或多个半导体裸芯包括堆叠为阶梯构造或垂直构造的多个半导体裸芯。9.如权利要求2所述的半导体装置,其中该绝缘材料包括用于裸芯连接膜(DAF)或引线嵌入膜(WEF)的绝缘材料。10.如权利要求1所述的半导体装置,其中该基板包括印刷电路板(PCB)、引线框以及带自动键合(TAB)带。11.一种制造半导体装置的方法,所述方法包括以下步骤:制备半导体装置带,该半导体装置带包括基板带,该基板带包括设置为阵列的多个基板,以及在该基板带的第一侧设置在每个基板上的多个电元件,该基板和该多个电元件具有在该基板带的第一侧上的暴露的表面;以及采用导电模塑料包封该基板和该多个电元件的在该基板带的第一侧上的暴露的表面,为每个基板上的所述多个电元件提供电磁干扰(EMI)屏蔽。12.如权利要求11所述的方法,其中该电元件还包括一个或多个半导体裸芯、一个或多个模拟元件、以及...
【专利技术属性】
技术研发人员:严俊荣,徐辉,陈昌恩,莫金理,王丽,王伟利,路昕,
申请(专利权)人:晟碟半导体上海有限公司,晟碟信息科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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