具有增大的屏蔽件下空间的板级电磁干扰EMI屏蔽件制造技术

具有增大的屏蔽件下空间的板级电磁干扰EMI屏蔽件。根据各个方面，公开具有用于屏蔽件下的一个或更多个部件的增大的屏蔽件下空间和较大的部件间距的EMI屏蔽件的示例性实施方式。在示例性实施方式中，屏蔽件通常包括沿着盖的内表面的一个或更多个凹进部。介电材料在至少该一个或更多个凹进部内沿着盖的内表面。一个或更多个凹进部可以为屏蔽件下的一个或更多个部件提供增大的屏蔽件下空间和较大的间距。当一个或更多个部件在屏蔽件下时，介电材料可以阻止屏蔽件的一个或更多个凹进部直接接触一个或更多个部件和阻止使一个或更多个部件电短路。还公开了与制造EMI屏蔽件有关的方法以及与为基板上的一个或更多个部件提供屏蔽有关的方法的示例性实施方式。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及具有增大的屏蔽件下空间的板级EMI屏蔽件。
技术介绍
本节提供了与本公开有关的背景信息，该背景信息不一定是现有技术。电子设备操作时常见的问题是设备的电子电路内产生电磁辐射。这种辐射可能导致电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)，这可能干扰一定距离内的其他电子设备的操作。在没有充分屏蔽的情况下，EMI/RFI干扰可能引起重要信号的衰减或完全丢失，从而致使电子设备低效或无法操作。减轻EMI/RFI影响的常见解决方案是借助使用能够吸收和/或反射和/或重定向EMI能量的屏蔽件。这些屏蔽件典型地用于使EMI/RFI位于其源内，并且用于隔离EMI/RFI源附近的其他设备。这里所使用的术语“EMI”应当被认为通常包括并指EMI发射和RFI发射，并且术语“电磁的”应当被认为通常包括并指来自外源和内源的电磁和射频。因此，(这里所使用的)术语屏蔽广泛地包括并指诸如通过吸收、反射、阻挡和/或重定向能量或其某一组合等来减轻(或限制)EMI和/或RFI，使得EMI和/或RFI例如对于政府合规和/或对于电子部件系统的内部功能不再干扰。
技术实现思路
本节提供了公开的简要综述，并且不是其全范围或其所有特征的综合公开。根据各种方面，公开了具有用于屏蔽件下的一个或更多个部件的增大的屏蔽件下空间和/或更大的部件间距的EMI屏蔽件的示例性实施方式。在示例性实施方式中，该屏蔽件通常包括沿着屏蔽件的内表面的一个或更多个凹进部。介电材料在至少一个或更多个凹进部内沿着屏蔽件的内表面。一个或更多个凹进部可以为屏蔽件下的一个或更多个部件提供增大的屏蔽件下空间和较大的间距。当一个或更多个部件在屏蔽件
下时，介电材料可以阻止屏蔽件的一个或更多个凹进部直接接触一个或更多个部件和阻止使一个或更多个部件电短路。所述介电材料可以包括介电涂层，该介电涂层在至少所述一个或更多个凹进部内沿着所述屏蔽件的所述内表面，使得当所述一个或更多个部件在所述屏蔽件下时，所述介电涂层防止所述一个或更多个凹进部直接接触一个或更多个部件和防止使一个或更多个部件电短路。所述屏蔽件可以包括沿着所述屏蔽件的所述内表面的一个或更多个非凹进部。所述介电涂层可以沿着所述屏蔽件的所述一个或更多个非凹进部中的至少一个。所述屏蔽件可以包括盖和一个或更多个侧壁，该一个或更多个侧壁从所述盖下垂且被构造为用于总体上围绕所述基板上的所述一个或更多个部件安装到所述基板。所述一个或更多个凹进部可以沿着所述盖的内表面和/或所述一个或更多个侧壁中的至少一个的内表面。所述一个或更多个凹进部可以沿着所述盖的所述内表面。所述盖在所述一个或更多个凹进部处的厚度可以小于所述盖沿着所述盖的周边的厚度，从而为所述一个或更多个凹进部下方的部件提供增大的空间和较大的间距。所述一个或更多个凹进部可以包括由所述盖的较厚部分分开的多个不连贯的凹处(pocket)。所述屏蔽件可以包括内壁，该内壁在所述多个不连贯的凹处中的至少两个之间。所述内壁、所述盖以及所述一个或更多个侧壁合作限定多个独立的EMI屏蔽隔室，使得所述基板上的不同部件能被定位在不同的隔室中，并且借助EMI屏蔽隔室阻止EMI进入到各EMI屏蔽隔室中和/或从各EMI屏蔽隔室出去，来提供EMI屏蔽。所述盖和所述一个或更多个侧壁可以由单件导电材料一体形成以具有整体或单件构造。所述屏蔽件可以包括盖和一个或更多个侧壁，该一个或更多个侧壁从所述盖下垂且被构造为用于总体上围绕所述基板上的所述一个或更多个部件安装到所述基板。所述一个或更多个凹进部可以包括沿着所述盖的内表面和/或所述一个或更多个侧壁中的至少一个的内表面蚀刻的一个或多个凹处。所述一个或更多个凹进部可以具有通过去除制造所述屏蔽件的材料的一部分而限定的减小的厚度，使得所述减小的厚度为所述一个或更多个凹进部下方的部件提供增大的空间和/或较大的间距。还公开了与制造EMI屏蔽件有关的方法的示例性实施方式。在示例性实施方式中，一种方法通常包括以下步骤：沿着具有一个或更多个凹进部的屏蔽件的内表面设
置介电材料，使得所述介电材料在至少所述一个或更多个凹进部内。还公开了与为基板上的一个或更多个部件提供屏蔽件有关的方法的示例性实施方式。在示例性实施方式中，一种方法通常包括以下步骤：将屏蔽件安装到基板，使得一个或更多个部件布置在沿着所述屏蔽件的内表面的一个或更多个凹进部下方。介电材料在至少所述一个或更多个凹进部内。还公开了用于沿着EMI屏蔽件的部分设置介电材料的示例性方法。在示例性实施方式中，一种方法通常包括以下步骤：沿着EMI屏蔽件的一部分设置可紫外(UV)固化介电材料；以及通过暴露于UV来使该介电材料固化。所述UV固化的介电材料可以阻止所述EMI屏蔽件的一部分直接接触一个或更多个部件和阻止使一个或更多个部件电短路。进一步的应用领域根据这里所提供的描述将变得明显。该综述中的描述和具体示例仅是用于例示的目的，并且不旨在限制本公开的范围。附图说明这里所描述的附图仅用于例示所选实施方式而不是所有可能的实施，并且不旨在限制本公开的范围。图1是根据示例性实施方式的具有增大的屏蔽件下空间的EMI屏蔽件的立体底面图，其中，屏蔽件包括凹处或腔、沿着凹处的介电材料以及凹处之间的内壁或分隔件；图2是图1中所示的EMI屏蔽件的在内壁或分隔件附接(例如，焊接等)到屏蔽件的在凹处之间的内表面之前的、分解上部立体图；图3是图1中所示的EMI屏蔽件的顶视图，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)为单位的示例尺寸；图4是图1中所示的EMI屏蔽件的侧视图，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)为单位的示例尺寸；图5是图1中所示的EMI屏蔽件的端视图；图6是沿着图3中的线B-B截取的EMI屏蔽件的截面图，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)为单位的示例尺寸；图7例示了图6中EMI屏蔽件的画圆圈并标出A的部分，其中包括可以用于EMI
屏蔽件的以毫米(英寸)为单位的示例尺寸；图8是图1中所示的内壁或分隔件的在附接到屏蔽件的内表面之前的立体图；图9是图8中所示的内壁或分隔件的侧视图；图10是图8中所示的内壁或分隔件的顶视图，其中包括可以用于内壁或分隔件的以毫米(英寸)为单位的示例尺寸；图11是图8中所示的内壁或分隔件的端视图，其中包括可以用于内壁或分隔件的以毫米(英寸)为单位的示例尺寸；图12是示出了定位在印刷电路板(PCB)上的EMI屏蔽件的示例性实施方式的立体图；图13是图12中所示的EMI屏蔽件的立体截面图，并且示出了屏蔽件下的PCB部件；图14例示了图13中EMI屏蔽件和PCB的画圆圈的部分，并且示出了位于EMI屏蔽件中的凹处内的PCB部件的顶部，因而，凹处增大屏蔽件下的空间，并为PCB部件提供较大的间距；图15是根据另一个示例性实施方式的具有增大的屏蔽件下空间的EMI屏蔽件的立体底面图，其中，介电材料沿着凹处并在凹处内，并且介电材料在内壁或分隔件下面的凹处外部和凹处之间；图16是根据另一个示例性实施方式的具有增大的屏蔽件下空间的EMI屏蔽件的立体底面图，示出了屏蔽件沿着凹处或在凹处内没有任何介电材料并且在凹处之间没有任何内壁或分隔件；以及图17是根据另一个示例性实施方式的EMI屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适于在为基板上的一个或更多个部件提供电磁干扰EMI屏蔽时使用的屏蔽件，该屏蔽件包括：一个或更多个凹进部，该一个或更多个凹进部沿着所述屏蔽件的内表面，因而所述一个或更多个凹进部为所述屏蔽件下的一个或更多个部件提供增大的屏蔽件下空间和/或较大的间距；和介电材料，该介电材料在至少所述一个或更多个凹进部内沿着所述屏蔽件的所述内表面，因而当一个或更多个部件在所述屏蔽件下时，所述介电材料阻止所述一个或更多个凹进部直接接触所述一个或更多个部件和阻止使所述一个或更多个部件电短路。

【技术特征摘要】
2015.01.30 US 62/109,725;2015.04.27 US 14/696,9741.一种适于在为基板上的一个或更多个部件提供电磁干扰EMI屏蔽时使用的屏蔽件，该屏蔽件包括：一个或更多个凹进部，该一个或更多个凹进部沿着所述屏蔽件的内表面，因而所述一个或更多个凹进部为所述屏蔽件下的一个或更多个部件提供增大的屏蔽件下空间和/或较大的间距；和介电材料，该介电材料在至少所述一个或更多个凹进部内沿着所述屏蔽件的所述内表面，因而当一个或更多个部件在所述屏蔽件下时，所述介电材料阻止所述一个或更多个凹进部直接接触所述一个或更多个部件和阻止使所述一个或更多个部件电短路。2.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中，所述介电材料包括介电涂层，该介电涂层在至少所述一个或更多个凹进部内沿着所述屏蔽件的所述内表面，使得当一个或更多个部件在所述屏蔽件下时，所述介电涂层防止所述一个或更多个凹进部直接接触所述一个或更多个部件和防止使所述一个或更多个部件电短路。3.根据权利要求2所述的屏蔽件，其中，所述屏蔽件包括沿着所述屏蔽件的所述内表面的一个或更多个非凹进部；并且所述介电涂层沿着所述屏蔽件的所述一个或更多个非凹进部中的至少一个。4.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中，所述屏蔽件包括盖和一个或更多个侧壁，该一个或更多个侧壁从所述盖下垂且被构造为用于围绕所述基板上的所述一个或更多个部件安装到所述基板；并且所述一个或更多个凹进部沿着所述盖的内表面和/或所述一个或更多个侧壁中的至少一个的内表面。5.根据权利要求4所述的屏蔽件，其中，所述一个或更多个凹进部沿着所述盖的所述内表面；并且所述盖在所述一个或更多个凹进部处的厚度小于所述盖沿着所述盖的周边的厚度，从而为所述一个或更多个凹进部下方的部件提供增大的空间和较大的间距。6.根据权利要求4所述的屏蔽件，其中，所述一个或更多个凹进部包括由所述盖的较厚部分分开的多个不连贯的凹处。7.根据权利要求6所述的屏蔽件，所述屏蔽件还包括：内壁，该内壁在所述多个不连贯的凹处中的至少两个之间；其中，所述内壁、所述盖以及所述一个或更多个侧壁合作限定多个独立的EMI屏蔽隔室，使得所述基板上的不同部件能被定位在不同的EMI屏蔽隔室中并且借助所述EMI屏蔽隔室阻止EMI进入到各EMI屏蔽隔室中和/或从各EMI屏蔽隔室出去来提供EMI屏蔽。8.根据权利要求4所述的屏蔽件，其中，所述盖和所述一个或更多个侧壁由单件导电材料一体形成以具有整体或单件构造。9.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中，所述屏蔽件包括盖和一个或更多个侧壁，该一个或更多个侧壁从所述盖下垂且被构造为用于围绕所述基板上的所述一个或更多个部件安装到所述基板；并且所述一个或更多个凹进部包括沿着所述盖的内表面和/或所述一个或更多个侧壁中的至少一个的内表面蚀刻的一个或更多个凹处。10.根据权利要求1至9中任一项所述的屏蔽件，其中，所述一个或更多个凹进部具有通过去除制造所述屏蔽件的材料的一部分而限定的减小的厚度，使得所述减小的厚度为所述一个或更多个凹进部下方的部件提供增大的空间和/或较大的间距。11.一种制造包括具有内表面的盖的电磁干扰EMI屏蔽件的方法，该方法包括以下步骤：沿着具有一个或更多个凹进部的所述屏蔽件的内表面设置介电材料，使得所述介电材料在至少所述一个或更多个凹进部内，因而所述一个或更多个凹进部为所述屏蔽件下的一个或更多个部件提供增大的屏蔽件下空间和/或较大的间距，并且因而当所述一个或更多个部件在所述屏蔽件下时，所述介电材料阻止所述屏蔽件的所述一个或更多个凹进部直接接触所述一个或更多个部件和阻止使所述一个或更多个部件电短路。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述方法包括以下步骤：从所述屏蔽件去除材料，以沿着所述屏蔽件的所述内表面构建所述一个或更多个凹进部。13.根据权利要求12所述的方法，其中，去除材料的步骤包括蚀刻所述屏蔽件，以构建所述一个或更多个凹进部。14.根据权利要求11所述的方法，其中，设置介电材料的步骤包括在至少所述一个或更多个凹进部内沿着所述屏蔽件的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·R·英格利史，约瑟夫·C·博埃托，菲利普·范哈斯特尔，
申请(专利权)人：莱尔德电子材料上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31